(全新)7月自考线性电子电路试题及答案解析

…………精品自学考试资料推荐…………………………精品自学考试资料推荐………………PAGEPAGE620187月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。杂质半导体中的多数载流子是产生的，少数载流子是产生的。利用晶体二极管和 特性可以构成整流稳压限幅等各种功能电路。B三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC= B

，I= I。EB晶体管工作在放大状态时其发射结的结电容主要电容集电结的结电容主是 电容。EB就VGS而言，增强型MOS管极性的，而耗尽型MOS管极性的。在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制通过改变PN结 中的 来实现的。放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波这种失真称失真，这输出信号中将产频率成份。直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称采用电容耦合方式是否存在种现象。放大电路中引入直流负反馈的作用引入交流负反馈的目的是改善放大器的 。若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采负反馈；若希望负载变输出电压稳定，则应引负反馈。二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。当PN结外加正向电压时，扩散电漂移电流（ ）C.等于温度升高时，晶体二极管的

B.小于D.近似等于将（ ）D(on)

减小D.近似不变当半导体二极管的反向击穿电压大于6V，主要发生何种击穿现象？（ ）

齐纳击穿随着温度的升高，晶体三极管将变小（ ）β

B.VBE(on)D.ICEO某晶体三极管的从20μA变化到40μA时，对应的从2mA变化到5mA，则该管β等于（ ）A.100C.200

B.150D.300PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是（ ）A.VBE>0,VCB>0C.VBE<0,VCB>0

B.VBE>0,VCB<0D.VBE<0,VCB<0若场效应管的偏置电压VGSQ=1V，则该管不可能是一个（ ）A.P沟道结型管C.P沟道耗尽型MOS管

B.N沟道结型管D.N沟道增强型MOS管当场效应管工作区且限制VDS为小值时可作为阻值受VGS控制的线性电阻器。（ ）饱和

截止在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的（ ）

差值由PNP管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC，-VCC为电源电压，则可判断该三管处于（ ）

深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数，与基本放大器的放大倍数无关，但基放大器（ ）C.不一定

不能去掉D.负反馈放大电路不自激的条件是（ ）0 A.T(ω)=π,T(ω0 0 C.T(ω)=π,T(ω0

B.T(ω)=-π,T(ω)>100 D.T(ω0)=-π,T(ω00 对于电流串联负反馈而言，下列哪个回答是正确的？（ ）C.输入电阻变小，输出电阻变大

输入电阻变大，输出电阻变小D.集成运算放大器实质上是一种（ ）交流放大器C.高电压增益的直接耦合放大器

D.高增益的高频放大器集成运放组成比较器电路时，工作在（ ）C.截止区

过渡区D.三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)设二极管为理想，试判断图三D是否导通，并求VAO的值。已知晶体三极管的静态工作电流ICQ=1mA，|VA|=100V，β=100，试确定混合π型参数rb′e、gmrce的值。图三（3）所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型？并指出它的VGSth或VGSoff

等于何值？（图中iD的假定正向为流进漏极）（） （ ）四、分析计算题(本大题共4小题，共35分)放大器输入电阻Ri；放大器输出电阻Ro；放大器电压增益Av。′ 1.（9分）放大电路如图四（1放大器输入电阻Ri；放大器输出电阻Ro；放大器电压增益Av。′ 2.（9分）差分放大电路如图四（2）所示，已知T1，T2参数对称，β=100,rbb′=0Ω,I=2mA（T1的静态工作点CQ1、VCQ1；（2）差模电压增益Avd的值。3.（9分）反馈放大电路如图四（3）所示：判断级间反馈的类型和极性；vf o