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练习二（参考答案）1。Zn在Si中是一双重受主，即每一个Zn原子可在EA1（EA1-EV=0.31eV），能级接受1个电子，在较高能级EA2（EA2-Ev=0.55eV）上接受第2个电子。为了完全补偿1个Nd=1016cm-3的n-Si样品，需要掺入Zn的密度是多少？（设Eg=1.12eV）。EcEvEF=Ei1.12evEA1-Ev=0.31ev

EA2-Ev=0.55ev1。如图所示的硅样品，尺寸为h=1.0mm,W=4.0mm,L=8.0mm.在霍尔效应实验中，I=1mA,B=4000(0.4T),实验中测出在77K~400K的温度范围内霍尔电势差不变，其数值为Vac=Va-Vc=-5.0mV。在300K测得Vx=200mV。acxyzIhWLB

yxEFEVECEiNd=Ne-ax，则电子为主要载流子n(x)=ni+Nd=ni+Ne-axyxEFEVECEi4．某半导体硅样品中含磷浓度为1016/cm3,含硼的浓度为2X1015/cm3,已知在T=260K时，本征载流子浓度为ni=2X109/cm3,且费米能级EF与ED重合，试求：（1）未电离的施主浓度；（2）多子浓度和少子浓度（3）设un=1300cm2/(

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