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MOSMOSMOSMOSMOSMOS管开关性能的是源边感抗。寄生的源边感抗主要有两种来源，第一个就是晶圆DIE和封装之间的BondingPCB走线的感抗（地是作为驱动电路的旁路们在G端看到震荡尖峰的原因荡（震荡的Q值非常高需要加入的优化电阻的值可以通过上述的公式选取，如果电阻过大则会引起G端电压的过冲（优点是园感抗另外一个影响是阻碍Id的变化，当开启的时候，初始di/dt偏大，因此在原感抗上产生了较大压降Vg电压大部分加在电感上面，因此使得G点的电压变化减小，进而形实际上驱动器和MOS仍旧需要一段很粗的PCB另外仍旧需要一段很粗的PCB另外一个问题是大部分的集时内部功耗很高也导致了IC的成本较高，因此有两个电流如果驱动器输出级为晶体管如果驱动器输出级为晶体管采NPN的输出级电路。NPN管子只能承受单向电流，高边的管子输出电流，低边的管子吸收电流。在开启一条方向通路，低电压的肖特基二极管可以用来保护驱动器的输出级，这里注意这两个管子并不能这是最便宜和有效地驱动方式，此电路需要尽量考虑MOS管，这样可以使得开启时大电流环路尽可能小的PN结有效的实现了反压时候的相互保护，并能有效的把电压嵌位在VCC+Vbe，GND-Vbe之间。件因此MOS管关断的时间需要1.电路。Rgate调整着MOS电路。Rgate调整着MOS管的开启速度，当关断的时候，由二极管短路电阻，此时极电流最小为：Imin=VfRgate2.PNP的电流通路（并且有保护PNP管子eb免受反向电压的影响），Rgate限制了开启的速度。电路的最大的好处是放电电流的尖峰被限制在最小的环路中，电流并不返回至驱动器，因此也不会造成3.NPN关断电到0VEC优点和上面的PNP管子相同，缺点是加入了一个反向器，加入反向器势必会造成延迟优点和上面的PNP管子相同，缺点是加入了一个反向器，加入反向器势必会造成延迟4.NMOS这个电路可以使得MOS至零电压。不过小NMOS管子需要一个向电压来驱动

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