电控学院-432半导体器件物理_第1页
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2007年入学考试试科目 一．（每小题3分，共30分12、少子345678、MOS910、PN二、简要回答下列问题（42723456NMOSNPN三、根据要求要回答问题（301、NPN（14C

A、B、C、D在基极电流保持不变时，AVCE（3）BC时，集电极电流却随VCE的增加而增大？2PN（83NMOS（8）四、证明题（18）1PNPNNA、NDPN差为 kT

NDNA

（8nq nqi2、若缓变基区晶体管的基区杂质分布函数为NB(x)，则其基区自建电场E(x)

NB

dNB(x)

（10（301NPN=0.99、BUCBO=150Wb=18.7区中电 nb=1微秒，忽略发射结空间电荷区复合和丛区表面复合（15（9（2）求BUCEO，比较BUCBO和BUCEO的大小，并进行简要说明（6分A 2NMOSN＝3×l0l6cm-3，栅氧化层厚200Å，SiOQ=5×1010·q／cm2(q为电子电荷)，0.95V，（15A （3（4（4）nD352nNPNr0=8.85×10-r

=3.9，q=1.6×10-iK=1.38×10-23J/K，ni

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