电子材料与器件工艺第六章光刻

光第六光晶硅栅—半欧姆接触孔，互连图形等。图象复印与刻蚀相结合的技光刻胶 方式 系统）及刻蚀方式等光刻胶种类性能聚肉桂酸酯附性能好，抗蚀能力强，分辨率差。聚烃类理能力，与硅片粘附差，抗湿法腐蚀力差光刻胶 负胶聚烃类在紫外光辐照下放出氮气，分子结构重新排列，产生环收缩，在碱性聚烃类光刻邻-叠氮醌类光刻光刻胶的主要 S=K/H*(量(R15 d △d掩膜面与胶/硅λ:源波1/R=1/W(最小线条宽度粘附性抗蚀性*H：光刻胶在标准条件下，发生光化学反应所需的最小能量 光刻流 清洁处理：去除颗粒-化 ，刷片去除有机沾污-化使用增粘剂(二甲基二氯硅烷，六甲基二硅亚胺胶膜均匀，无缺陷，厚度适当:d∝R——d↓d↑→针孔密度↓——

*-烘箱-生产率高，温度不均红外-溶剂挥发充分，前烘效果热板-生产率高择波长。 正胶-H>HT(略大于负胶-H>H0(略大于量与线宽控 接触

R 接近 投 扫描投 分步重复投 氧抑制交联剂的光化学反氧与胶联剂进行化学反——驻波效应的原——抑制驻波效应的方法PEBAR对位精度：由光刻机定位精度，掩膜板套准精度，环境等因素决定硅圆片表面台阶导 区域扩显影工艺：显影，漂洗，干显影中的常见问选择膨胀效应较弱的显影选择可使光刻胶收缩的漂选择最佳显影方式(喷显)掌握适当的显影时间 不会膨胀，分辨率高(1)湿法腐蚀-化学反应-SiO2—HF:NH4F:NH4F:减缓HF对SiO2的腐蚀,抑制对光刻胶的剥离Si3N4—H3PO4(温度较高，光刻胶抗蚀性下降。H3PO4:HF4B(100～110( 光刻胶，但可同时腐蚀Poly-Si—HF:HNO3:（腐蚀质量差Al—H3PO4:HNO3:CH3COOH:BPSG〔HF(6%)NH4F(30%)〕:CH3COOH=2:1薄膜 HF:NH4F: HF:NH4F:〔HF(6%)NH4F(30%)〕CH3COOH21#： 2#：H3PO4: (100～110HF:HNO3:H3PO4:HNO3:CH3COOH:H2OHNO3:腐蚀剂CH3COOH:润湿剂(2)化学药品 性及腐蚀性各向同性腐蚀，不利于提高Si3N4,Poly-Si腐蚀液可溶解光刻胶，使图形等离子腐蚀*-靠活性分子或游离基团腐蚀-反应离子刻蚀*-靠活性分子或离子腐蚀-离子束-物理腐蚀-各向异性腐CF4→CF3+CF3→CF2+CF2→CF+SiO2Poly-

SiO2+4F*→SiF4↑+Si3N4+12F*→3SiF4↑+Si+4F*→添加少量H2，可使SiO2/Si,Si3N4/SiAl——氯基腐蚀性气体（CCl4,Al+3Cl*→H2O可导致Al腐蚀速率下∵H2O→2H++2Al3+3OAl2O3——阻碍AlClHHCl——Cl-∴AlAl挥发性的氯化物可部分存在于光氯化物如遇到水汽，可成为HCl，可腐蚀AlAl/SiO2的选择比高于反应离子刻蚀反应离子刻蚀同时具有化学，物理腐蚀原理，因此刻 H2SO4:H2O2=3:H2SO4:HNO3=88:

(120℃,(100℃,(2)干法剥离技光刻胶性能（分辨率，感光度，胶/基片的粘附性光源 （R d 腐蚀方式干法刻蚀（等离子刻蚀，RIE，离子束刻蚀6.4.2光刻技术的发接触/接近式光R 1:1投优越性 不足之处分步重