《模拟电子技术》课件晶体三极管1-2

2.3BJT的特性曲线vCE=0V+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE

iB=f(vBE)

vCE=const(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。vCE=0VvCE

1V(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）2.3BJT的特性曲线vCE=0V+-bce共射1iC=f(vCE)

iB=const2.输出特性曲线iC=f(vCE)iB=const2.输出特性曲线2iC=f(vCE)

iB=const输出特性曲线的三个区域:饱和区:

iC明显受vCE控制的区域，

UCE=UBE称为临界饱和.一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。放大区:iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。截止区:

iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。输出特性曲线是一条几乎与横轴重合的直线。此时，vBE小于死区电压(发射结反偏,集电结反偏)。2.输出特性曲线iC=f(vCE)iB=const输出特性曲线的三个区域3例：下列图中晶体三极管各工作在什么状态？例：下列图中晶体三极管各工作在什么状态？43、温度对特性曲线的影响温度每升高1℃，三极管的导通电压约减小2-2.5mv，因此输入特性随温度升高而左移；温度每升高10℃，ICBO约增大一倍，输出特性曲线随温度升高而上移。温度每升高1℃，值约增大0.5%~1%，导致输出特性曲线间距增大。参见图2.23、温度对特性曲线的影响温度每升高1℃，三极管的导通电压约减5《模拟电子技术》课件晶体三极管1-26(1)共发射极直流电流放大系数=(IC－ICEO)/IB≈IC/IB1.电流放大系数(2)共发射极交流电流放大系数=IC/IBvCE=const

2.4BJT的主要参数在放大区且当ICBO和ICEO很小时，≈，可以不加区分。(1)共发射极直流电流放大系数=(7

2.极间反向电流(1)集电极基极间反向饱和电流ICBO

——（发射极）开路.也称集电结反向饱和电流。温度升高时，ICBO急剧增大，温度每升高10℃，ICBO增大一倍。选管时应选ICBO小且ICBO受温度影响小的三极管。(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO是指基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，也称集电结穿透电流。它反映了三极管的稳定性，其值越小，受温度影响也越小，三极管的工作就越稳定。ICEO即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。2.极间反向电流(1)集电极基极间反向饱和电流ICB8

3.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功率损耗PCM=iCvCE

(3)反向击穿电压V(BR)CEO、V(BR)EBO

、V(BR)CBO

V(BR)CEO—基极开路时集电极和发射极间的击穿电压U(BR)CEO>U(BR)CBO>U(BR)EBO3.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM(2)92.5三极管（放大电路）的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；如何判断组态？外部条件：发射结正偏，集电结反偏2.5三极管（放大电路）的三种组态共集电极接法，集电极作为102.6特殊三极管简介

1．光电三极管光电三极管也称光敏三极管，其等效电路和电路符号如图2.6所示。图2.6光电三极管的等效电路与电路符号

(a)等效电路;(b)电路符号2.6特殊三极管简介

1．光电三11

2．光电耦合器光电耦合器是将发光二极管和光敏元件（光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池等）组装在一起而形成的二端口器件,其电路符号如图2.11所示。

图2.11光电耦合器电路符号LED+光敏电阻；LED+光电二极管LED+光电三极管;LED+光电池2．光电耦合器图2.11光电12光电耦合器的工作原理光电耦合器的工作原理是以光信号作为媒体将输入的电信号传送给外加负载,实现了电—光—电的传递与转换。光电耦合器主要用作高压开关、信号隔离器、电平匹配等电路中,起信号的传输和隔离作用。光电耦合器的工作原理光电耦合器的工作原理是以光信号作为媒体将13光电三极管的应用1、产品计数光电三极管的应用1、产品计数142光电隔离，提高抗干扰能力2光电隔离，提高抗干扰能力15图2.10典型三极管的管脚排列图

图2.10典型三极管的管脚排列图16《模拟电子技术》课件晶体三极管1-217《模拟电子技术》课件晶体三极管1-218

2.3BJT的特性曲线vCE=0V+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE

iB=f(vBE)

vCE=const(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。vCE=0VvCE

1V(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）2.3BJT的特性曲线vCE=0V+-bce共射19iC=f(vCE)

iB=const2.输出特性曲线iC=f(vCE)iB=const2.输出特性曲线20iC=f(vCE)

iB=const输出特性曲线的三个区域:饱和区:

iC明显受vCE控制的区域，

UCE=UBE称为临界饱和.一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。放大区:iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。截止区:

iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。输出特性曲线是一条几乎与横轴重合的直线。此时，vBE小于死区电压(发射结反偏,集电结反偏)。2.输出特性曲线iC=f(vCE)iB=const输出特性曲线的三个区域21例：下列图中晶体三极管各工作在什么状态？例：下列图中晶体三极管各工作在什么状态？223、温度对特性曲线的影响温度每升高1℃，三极管的导通电压约减小2-2.5mv，因此输入特性随温度升高而左移；温度每升高10℃，ICBO约增大一倍，输出特性曲线随温度升高而上移。温度每升高1℃，值约增大0.5%~1%，导致输出特性曲线间距增大。参见图2.23、温度对特性曲线的影响温度每升高1℃，三极管的导通电压约减23《模拟电子技术》课件晶体三极管1-224(1)共发射极直流电流放大系数=(IC－ICEO)/IB≈IC/IB1.电流放大系数(2)共发射极交流电流放大系数=IC/IBvCE=const

2.4BJT的主要参数在放大区且当ICBO和ICEO很小时，≈，可以不加区分。(1)共发射极直流电流放大系数=(25

2.极间反向电流(1)集电极基极间反向饱和电流ICBO

——（发射极）开路.也称集电结反向饱和电流。温度升高时，ICBO急剧增大，温度每升高10℃，ICBO增大一倍。选管时应选ICBO小且ICBO受温度影响小的三极管。(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO是指基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，也称集电结穿透电流。它反映了三极管的稳定性，其值越小，受温度影响也越小，三极管的工作就越稳定。ICEO即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。2.极间反向电流(1)集电极基极间反向饱和电流ICB26

3.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功率损耗PCM=iCvCE

(3)反向击穿电压V(BR)CEO、V(BR)EBO

、V(BR)CBO

V(BR)CEO—基极开路时集电极和发射极间的击穿电压U(BR)CEO>U(BR)CBO>U(BR)EBO3.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM(2)272.5三极管（放大电路）的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；如何判断组态？外部条件：发射结正偏，集电结反偏2.5三极管（放大电路）的三种组态共集电极接法，集电极作为282.6特殊三极管简介

1．光电三极管光电三极管也称光敏三极管，其等效电路和电路符号如图2.6所示。图2.6光电三极管的等效电路与电路符号

(a)等效电路;(b)电路符号2.6特殊三极管简介

1．光电三29

2．光电耦合器光电耦合器是将发光二极管和光敏元件（光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池等）组装在一起而形成的二端口器件,其电路符号如图2.11所示。

图2.11光电耦合器电路符号LED+光敏电阻；LED+光电二极管LED+光电三极管;LED+光电池2．光电耦合器图2.11光电30光电耦合器的工作原理光电耦合器的工作原理是以光信号作为媒体将输入的电信号传送给外加