场效应晶体管放大电路(共12张PPT)

基础电子技术逸夫楼607第1页，共12页。本节内容场效应晶体管特性、规律总结双极型和场效应晶体管的比较场效应管放大电路共源组态基本放大电路偏置、放大电路性能指标计算第2页，共12页。总结1：根据符号识别管子（1）PN结箭头总是表示PN结，由P指向NPN结总是反偏截止状态，栅极无电流（2）沟道DS间的连线表示沟道沟道为虚线：Ugs=0时沟道不存在，只有增强电压才能感应出电荷形成沟道——增强型沟道为实线：Ugs=0时沟道存在，外加电压可形成电流——结型、耗尽型。第3页，共12页。转移特性曲线和漏极输出特性曲线与N沟道型场效应管以纵轴左右对称，即上述结论为：ΔiD=gm*Δug绝缘栅耗尽型：N沟道,P沟道双极型和场效应晶体管的比较场效应晶体管(FET)Rds大小取决于Ugs另：NPN型晶体管与PNP型晶体管特性曲线也以纵轴对称箭头总是表示PN结，由P指向N另：NPN型晶体管与PNP型晶体管特性曲线也以纵轴对称双极型和场效应晶体管的比较uDS>0，iD实际流向为D－>S转移特性曲线和漏极输出特性曲线与N沟道型场效应管以纵轴左右对称，即上述结论为：另：NPN型晶体管与PNP型晶体管特性曲线也以纵轴对称总结2：P沟道VSN沟道N沟道Ugs越大，导电沟道越宽，iD越大uDS>0，iD实际流向为D－>S第4页，共12页。总结3：工作区域判断（1）两端均开启（或均未夹断）：可变电阻区DS间等效为电阻RdsRds大小取决于UgsiD=UDs/Rds（2）一端开启（导通），一端夹断：恒流区DS间等效为受控电流源ΔiD=gm*Δug放大状态应工作区域（3）两端未开启（或均夹断）：截止区iD=0第5页，共12页。P沟道转移特性曲线和漏极输出特性曲线与N沟道型场效应管以纵轴左右对称，即上述结论为：Ugs越小，导电沟道越宽，iD越大uDS<0，iD实际流向为S－>D第6页，共12页。另：NPN型晶体管与PNP型晶体管特性曲线也以纵轴对称第7页，共12页。电压控制电流源VCCS(gm)uDS<0，iD实际流向为S－>D电流控制电流源CCCS(β)电压控制电流源VCCS(gm)箭头总是表示PN结，由P指向N双极型晶体管(BJT)PN结总是反偏截止状态，栅极无电流Ugs越大，导电沟道越宽，iD越大多子扩散、少子漂移（两种）另：NPN型晶体管与PNP型晶体管特性曲线也以纵轴对称电压控制电流源VCCS(gm)箭头总是表示PN结，由P指向NRds大小取决于Ugs双极型和场效应晶体管的比较ΔiD=gm*ΔugBJTVSFET晶体管类型项目双极型晶体管(BJT)场效应晶体管(FET)结构NPN型PNP型结型：N沟道,P沟道绝缘栅增强型：

N沟道,P沟道绝缘栅耗尽型：

N沟道,P沟道电极倒置C、E不可倒置使用D、S一般可倒置使用载流子多子扩散、少子漂移（两种）多子漂移（一种）输入量电流电压控制电流控制电流源CCCS(β)电压控制电流源VCCS(gm)噪声较大较小热稳定性差较好输入电阻低（几十到几千欧姆）高（几兆欧姆以上）静电影响不易受静电影响易受静电影响集成工艺不易大规模集成适宜大规模和超大规模集成大电流特性好次之第8页，共12页。场效