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《集成电路设计基础1-5》复习题2022某某某某某某某某某某某某某某《集成电路设计基础》复习题（某某某某某某某某某某某某某某某1．按原理、工艺、结构、实现方法、用途的不同，集成电路主要有哪些分类？全定制IC骤？双极型IC集成NPNNPN管的有源PNPNPN的有源PNPECLECL5．什么是MOSIC的“场区寄生MOSFET”？其产NPN电极串联电阻RCS，在其版图和工艺设计上主要可采取那些相应措施？7．什么是CMOSCMOSIC8．基区硼扩散电阻的计算公式3.3），其最小条宽设计设计（特别是P54PA,ma某与WR,ma），如：电阻值R=10k，方块电阻RS=100/□，允许最大耗散功率PA,ma=10W/cm22V，扩散电阻条宽度WL。9．在双极和硅栅MOSIC（交叉）互连的技术和方法主要有哪些？单元IC特性参数是什么？能针对反相器单元，给出其简单的定义和描述。能定性地画出典型双极TTLECL工作原理。TTL其对器件的噪容特性有什么影响？在五管和六管单元TTLfT2>fT5，试14．请说明五管单元TTL态和截止瞬态对电阻R3TTL六管单元TTLTTL的稳定性以及速度三个方面有何改进？为什么？图示说明为什么普通具有“图腾柱”输出结构的TTLOC电路各有什么优缺点？SBDSTTLIC（SCT本原理）？六管STTLT1之BCSBD中，大规模TTLIC表现在哪里？MOS（静、动态）以各种方式连接构成的扩展逻辑线路的功能分析（包括逻辑表达式，各局部电路的结构功能特点）法（针对性）？ECL实现高速度的主要原因是什么？有比MOSMOSβRE/EMOSVOL3．会画出并分析饱和E/EMOSCMOS效电路和工作轨迹，推倒下降时间tfE/EMOS和上升时间tr，其上升过程为什么会有拖长长的尾巴现象？E/DMOS特性好坏的三个标准是什么？CMOSICCMOS如何？请结合图示，分析MOSMOSMOSCOMS上构成的相应扩展逻辑电路的结构功能分析。不同结构的门电路的下降时间tftr与标准CMOS器下降时间tf升时间tr的关系，并能

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