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文档简介
SDRAM、DDRDDRIISDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进展数据传输;DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM一样的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(DelayLockedLoop,延时锁定回路供给一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储把握器可使用这个数据滤波信号来准确定位数据,每16DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差异并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。DDR184针脚,比SDRAM16个针脚,主要包含了的把握、时钟、电源和DDR2.5V电压的SSTL2标准SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDRII内存起始频率从DDR400Mhz开头,现已定义可以生产的频率支533Mhz667Mhz,200/266/333MHz,1.8V。DDRII240PINDIMM接口标准,完全不兼容于DDR的184PINDIMM接口标准。DDRII和DDR一样,承受了在时钟的上升延和下降延同时进展数据传输的根本方式,但是最大的区分在于,DDRII4bit预读取。两倍于标准DDR2BIT预读取,这就意味着,DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的力气,因此,DDRII则简洁的获得两倍于DDR的完整的数据传输力气。DDRII内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输力气,而是,在承受更DDR的400MHZ限制^_^DDRIIDDR的区分DDR相比,DDRIIDDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为比照,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲,DDRII内存上照旧只有一个DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。DDRIIDDR的外观区分示意图与双倍速运行的数据缓冲相结合,DDRII4bit的数据,比传统DDR2bit数据高了一倍。DDRII内存另一个改进之处在于,它承受FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而,尽管DDRII内存承受的DRAM核心速度和DDR的一样,但是我们照旧要使用主板才能搭配DDRII内存,由于DDRII的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样,DDRII240针,而DDR184针;其次,DDRIIVDIMM电压为1.8V,也和DDR2.5V不同。DDRII的定义:DDRII〔DoubleDataRate2〕SDRAM是由JEDEC〔电子设备工程联合委员会〕进开放发的生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是承受了在时钟的上升/下降延同时进展数据传输的根本方式,但DDRII内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取力气〔即:4bit数据读预取〕。换句话说,DDRII内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/4倍的速度运行。此外,由于DDRII标准规定全部DDRII内存均承受FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以供给了更为良好的电气性能与散热性,为DDRII内存的稳定工作与将来频率的进展供给了坚实的根底。DDR的进展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今日的双通道DDR400技术,第一代DDR的进展也走到了技术的极限,已经很难通过常规方法提高内存的工作速度;随Intel最处理器技术的进展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDRII内存将是大势所趋。我的观点 DRII不到DDRII667表达不了优势,但假设升级的话要留意接口,主板和CPU的支持.想进一步了解,请看一组DDR和DDRII技术比照的数据。1、延迟问题:从上表可以看出,在同等核心频率下,DDRII的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDRII内存拥有两倍于标准DDR4BITDDRIIDDR一样,都承受了在时钟的上升延和下降延同时进展数据传输的根本方式,但DDRII拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的力气。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR200MHz,而DDRII400MHz。DDR和DDRII于前者。举例来说,DDR200和DDRII-400具有一样的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDRII-400DDR4003.2GB/s,但是DDR400的核心工200MHzDDRII-400100MHzDDRII-400的延迟要高于DDR400。2、封装和发热量:DDRII内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输力气,而是在承受更低发热量、更低功耗的状况下,DDRII可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。DDR内存通常承受TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当DDR的核心频率很难突破275MHZDDRII内存均承受FBGATSOP封装形式,FBGA封装供给了更好的电气性能与散热性,为DDRII内存的稳定工作与将来频率的进展供给了良好的保障。DDRII1.8V电压,相对于DDR2.5V,降低了不少,从而供给了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。DDRII承受的技术:除了以上所说的区格外,DDRII还引入了三项的技术,它们是OCD、ODT和PostCAS。OCD〔Off-ChipDriver〕:也就是所谓的离线驱动调整,DDRIIOCD可以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉〔pull-up〕/下拉〔pull-down〕的电阻值使两者电压相等。使OCD通过削减DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过把握电压来提高信号品质。ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数DDRII号波形。使用DDRII不但可以降低主板本钱,还得到了最正确的信号品质,这是DDR不能比较的。PostCAS:它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中,CAS信号〔读写命令〕RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟AdditiveLatec后面保持有效。原来的tRCDRAS到CAS和延迟〕被ALLatency〕所取代,AL0,1,2,3,4C
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