SDRAM、DDR和DDRII三种内存的区别

SDRAM、DDRDDRIISDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进展数据传输；DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM一样的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(DelayLockedLoop，延时锁定回路供给一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储把握器可使用这个数据滤波信号来准确定位数据，每16DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差异并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。DDR184针脚，比SDRAM16个针脚，主要包含了的把握、时钟、电源和DDR2.5V电压的SSTL2标准SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDRII内存起始频率从DDR400Mhz开头，现已定义可以生产的频率支533Mhz667Mhz,200/266/333MHz，1.8V。DDRII240PINDIMM接口标准，完全不兼容于DDR的184PINDIMM接口标准。DDRII和DDR一样，承受了在时钟的上升延和下降延同时进展数据传输的根本方式，但是最大的区分在于，DDRII4bit预读取。两倍于标准DDR2BIT预读取，这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的力气，因此，DDRII则简洁的获得两倍于DDR的完整的数据传输力气。DDRII内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输力气，而是，在承受更DDR的400MHZ限制^_^DDRIIDDR的区分DDR相比，DDRIIDDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为比照，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDRII内存上照旧只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。DDRIIDDR的外观区分示意图与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDRII4bit的数据，比传统DDR2bit数据高了一倍。DDRII内存另一个改进之处在于，它承受FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDRII内存承受的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们照旧要使用主板才能搭配DDRII内存，由于DDRII的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDRII240针，而DDR184针；其次，DDRIIVDIMM电压为1.8V，也和DDR2.5V不同。DDRII的定义：DDRII〔DoubleDataRate2〕SDRAM是由JEDEC〔电子设备工程联合委员会〕进开放发的生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是承受了在时钟的上升/下降延同时进展数据传输的根本方式，但DDRII内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取力气〔即：4bit数据读预取〕。换句话说，DDRII内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/4倍的速度运行。此外，由于DDRII标准规定全部DDRII内存均承受FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以供给了更为良好的电气性能与散热性，为DDRII内存的稳定工作与将来频率的进展供给了坚实的根底。DDR的进展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今日的双通道DDR400技术，第一代DDR的进展也走到了技术的极限，已经很难通过常规方法提高内存的工作速度；随Intel最处理器技术的进展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDRII内存将是大势所趋。我的观点 DRII不到DDRII667表达不了优势,但假设升级的话要留意接口,主板和CPU的支持.想进一步了解，请看一组DDR和DDRII技术比照的数据。1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDRII的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDRII内存拥有两倍于标准DDR4BITDDRIIDDR一样，都承受了在时钟的上升延和下降延同时进展数据传输的根本方式，但DDRII拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的力气。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR200MHz，而DDRII400MHz。DDR和DDRII于前者。举例来说，DDR200和DDRII-400具有一样的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDRII-400DDR4003.2GB/s，但是DDR400的核心工200MHzDDRII-400100MHzDDRII-400的延迟要高于DDR400。2、封装和发热量：DDRII内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输力气，而是在承受更低发热量、更低功耗的状况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。DDR内存通常承受TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当DDR的核心频率很难突破275MHZDDRII内存均承受FBGATSOP封装形式，FBGA封装供给了更好的电气性能与散热性，为DDRII内存的稳定工作与将来频率的进展供给了良好的保障。DDRII1.8V电压，相对于DDR2.5V，降低了不少，从而供给了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。DDRII承受的技术：除了以上所说的区格外，DDRII还引入了三项的技术，它们是OCD、ODT和PostCAS。OCD〔Off-ChipDriver〕：也就是所谓的离线驱动调整，DDRIIOCD可以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉〔pull-up〕/下拉〔pull-down〕的电阻值使两者电压相等。使OCD通过削减DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过把握电压来提高信号品质。ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数DDRII号波形。使用DDRII不但可以降低主板本钱，还得到了最正确的信号品质，这是DDR不能比较的。PostCAS：它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中，CAS信号〔读写命令〕RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟AdditiveLatec后面保持有效。原来的tRCDRAS到CAS和延迟〕被ALLatency〕所取代，AL0，1，2，3，4C