离子注入机助力高效电池提效降本

CONTENTSPART01关于PART

02产品和技术PART

03企业文化PART

04展望未来PART

05们3PART

01关于About

Us4公司概述凯世通半导体，2009年4月在张江成立，由

“计划”入选获得者及国家特聘 ——入设备 创立。公司 资本5000万博士为首的五位世界一流离子注，主要研制、生产、再制造和销售国际领先高端离子注入机，重点应用于光伏 能电池，OLED平板显示，和半导体集成电路领域。*5管理团队五位世界一流离子注入机超过100年世界名企的工作经验离子注入机行业成功的创业经验价值观相同，专注于离子注入机勤俭创业、全力以赴、以身作则*6成员博士博士是国际离浙江大学热能系

,

哥伦比亚大学应用物理学博士。子注入技术终生常务理事，被公认为行业内最有技术创意的领

物和国，他曾以著者或合著者的

15篇，拥有16际级的离子注入设备项

专利。他在2009年带领团队由回国创办

凯世通半导体公司，经过潜心研究，以独特的创新技术和制造高端的集成电路和

能先进设备，并以自己在国际上的声誉引进了上亿元的国外研发开发，目标是

大规模制造国际一流水平的高端半导体设备。1999.12009.42015.121999年1月至2008年8月任Advanced

Ion

Beam

Technology副

、首席技术官。Inc.2009年4月至2015年12月任通半导体

总经理。凯世2015年12月至今任

凯世通半导体董事长兼总经理，三年。*7成员Jeffery

Boeker博士获得

大学计算机科学

和法学博士(J.D.)控

领域有15年以上研发经验，专长于自动化控制和，在半导体设备自，曾主导研发用于OLED封装的关键设备和集成电路用大型离子注入机。2009年至今任

凯世通半导体

董事和副总经理。拥有英国圣安德博士大学物理学博士。曾任

国家研究员，并担任国家光电设备课题主要

，20多年研究和开发经验。曾主导整个

能离子注入机的开发，提出创新性的双离子源技术和帘状的宽幅离子束流传输系

统，2009年至今任

凯世通半导体

董事并出任公司副总经理、*财务。8成员博士化工学士，

明尼苏达大学化学博士

。曾任职于

道康宁公In

公司，任工程技术部经理。在硅材料及半导体封装材料方面有司，很深的造诣。Donald

Berrian

博士拥有

普林斯顿大学半导体器件物理学博士

和罗

大学电气工程学士。有超过40年的顶尖离子注入设备设计研发经验。曾在Varian、Eaton、AIBT等企业成功开发过多款享誉全球的离子注入设备。主导设计E220/500等设备，全球销量最高的离子注入机。*920092017公司成立发展历程伙伴增资1亿新品研发成功离子注入机量产公司挂牌成功20112016iPV-3000发布2019建成临港IPO*10*11企业资质*12企业专利技术，并且另有几十件申请截止至2017年7月，已有近80余项专利申请获得在

中。凯世通半导体新品iPV-3000荣获第中国国际工业博览会银奖SILVER

AWARDPART

02产品和技术Product

&

Technology14iPV-3000主要产品第三代光伏离子注入设备维持皮带水平传送硅片和固态磷离子源改进的大束流离子源，束流提升

40%，增加图案化注入掺杂功能，产能>3000WPH。凯世通光伏离子注入机已开发出第三代系列产品。iPV-3000具有高产能、低成本、兼容性强等特点，使离子注入机完全满足现代及将来光伏量产设备的要求，诸如大尺寸、薄片化等。*15光伏离子注入机对比设备型号凯世通iPV-3000竞争对手价格产能3000WPH2400WPH磷源固态磷源，0.3分/片（RMB）低压磷烷，3.4分/片（RMB）传送方式单向皮带水平传送，无机械接触托盘，水平加垂直传送；大量快速机械接触图案化注入功能具备，硅片自动对准技术NA兼容各种尺寸硅片可以快速兼容，无需更换任何零部件需要更换托盘，重新校准自动化是否兼容薄片/IBC可以无法适应薄片，碎片率高*162009201020112012201320142015长离子源其他产品FinFET

IMP

Optima-HDAMOLED

IMPE500再制造Ion

Solar

IMPiPV-2000

IMP低能机构1720162017*18主要技术系统工艺产品优势离子注入机行业

者全球TOP1光伏离子注入机，高效N型，P型电池片适用可控性注入剂量和深度可控，实现掺杂表面浓度和结型的精确控制。方向性离子束流的方向性，保证了掺杂的单面性。无需掩模，简化了工艺步骤。均匀性高均匀性帘状束流，实现硅片内掺杂均匀性<2%。低成本采用固态磷作为掺杂源，相当于气态磷烷成本的10%，掺杂成本和传统扩散相当并提升安全性。技术特点高密度RF离子源。独创天线结构和优化的电场布置，实现大密度高均匀性帘状束流，线性束流密度可达5.0mA/cm。高效硅片传送系统。用花篮和皮带进行硅片承载和传送，无需静电或真空吸附，避免硅片损伤或碎片。完全兼容不同硅片尺寸（

156.75~161.75mm)和厚度(120~180μm)。图案化注入功能。硅片自对准设计，保证对位精度。Mask结合双离子源完成图案化注入掺杂。设备自动化。増加高精度Robot实现花篮的自动进出LL及软着陆式提放，最大限度保证设备设计产能的稳定

。减少配置。20系统符合半导体行业规范。通过可视化图形界面，控制系统可监测离子注入过程中的参数以及设备的各项参数。建立自动控制流程、生产计划、系统、晶片注入数据记录。触控屏幕，人性化设计，操作简单直观。21离子注入机在N型电池中的应用22背场磷注入掺杂，实现掺杂浓度和结型的精准控制可实现全背场或图案化背场硼注入p-poly掺杂，磷注入n-poly掺杂低能量大束流注入控制掺杂深度图案化注入一步完成emitter和BSF的不同区域注入掺杂nPERT22%TOPCon22.5%IBC>23%图案化注入掺杂形成正面n++选择性发射极。选择性发射极提高PERC电池效率0.3以上。

产线结合离子注入设备兼容型IBC电池工艺，技术升级无需更换设备。23离子注入在P型PERC电池中的应用PERC电池选择性发射极工艺对比工艺步骤所需设备效率增益磷扩散局部激光推进去PSG退火氧化磷扩散炉激光设备~

0.2>0.3选择性注入注入后退火氧化离子注入机槽式

机扩散工艺注入工艺24实证平台运行数据25图案化注入双离子源设计兼容性强高产能、低成本硅片自对准工艺保证对准精度，结合双离子源实现图案化注入。保证设备高uptime。根据客户需求，2个离子源可采用不同的掺杂源，一步实现p型和n型不同区域的掺杂。传送方式简单。无需修改任何硬件，完全兼容不同硅片厚度（120-180μm）

和尺寸(156.75~161.75m)。高密度束流系统，束流密度>4.0mA/cm,实现设备产能>3000WPH。采用固态磷作为掺杂源，掺杂成本0.3分/片(RMB)。iPV离子注入机在客户端已实现电池片量产。客户已实现nPERT电池效率22%以上、60片组件功率310W以上，IBC电池效率突破23%。的优势本土制造与服务全面质量管理生产，快速售前售后响应机制。*26合作伙伴苏州中来光伏新材英利绿色能源TempressAmtechGroup晶澳（扬州）能科技协鑫新能源*27PART

03企业文化Corporate

Culture28*公司文化1

公平2

正直3

创新4

进取29品牌价值品牌和团队，中国制造并创新。30PART

04展望未来Look

Ahead31大力发展光伏离子注入机OLED、集成电路等领域全面发展2019实现主板IPO上市公司未来发展*32能电池发展趋势平价上网是光伏产业发展的终极目标。 能电池光电转换效率每提高1%，光伏系统发电成本降低7%。国家实施的领跑者计划本质目的也是在引导高效率的电池，降低发电成本。高效率的N型Pert电池由于可叠加双面发电技术，发电量较P型电池大幅增加，并且现有产线可兼容效率更高的IBC电池，是光

伏产业发展的