模电总复习专业知识市公开课金奖市赛课一等奖课件

总复习计算器每人一个选择、填空、计算、判断、画波形步骤：公式=代入数据=结果第1页第2章基本运算电路1、掌握理想运放处于深度负反馈条件下两标准：虚短:v-=v+

，虚断:i-=i+=0

。2、掌握基本运算电路（1）反相百分比运算电路（2）同相百分比运算电路（3）反相加法运算电路减法运算电路（叠加定理或虚短虚断法）第2页（4）积分电路vi=Vi(常数)时，注意：运算电路中，若运放|vo|>|±Vos|(饱和电压），

则vo

=±Vos(依据vo正负取Vos正负）（5）微分电路3、会分析各级运放组成是什么运算电路,

计算各级运放vo以及多级vo

。如作业：书,笔记第3页3章1、杂质半导体

N型半导体

P型半导体多子：空穴；多子：自由电子3.1第4页标准一：单向导电性V阳>V阴，D管正偏，导通V阳<

V阴，D管反偏，截止标准二：优先导通标准多二极管电路中，(V阳-V阴)

大，优先导通

3.3二极管D管（特点：单向导电性）D书97页3.4.5第5页1.D管理想模型D管正偏，导通相当于短接线D管反偏，截止；相当于断路

2.D管恒压降模型导通电压

VONSi：0.7VGe：0.2Vv>VON,

D管正偏导通v<VON,

D管反偏截止3.4第6页2.5稳压二极管特点：DZ反偏工作，且工作在反向击穿状态。符号DZ+VZ

—

DZ管稳定电压

第7页放大区:发射结正偏，集电结反偏。截止区：

发射结正偏，集电结正偏饱和区:

发射结反偏，集电结反偏。1、（1）三极管三种工作状态条件：第4章第8页（2）会依据三极管各电极电位，判三极管工作状态

(放大、截止、饱和)看笔记例题第9页2、图解法

（1）直流负载线

VCE=VCC－ICRc，两点式(VCC，0)(0,VCC/Rb)

交流负载线必过Q点（2）分析电路参数对Q点影响。改变VCC

、

Rb、

Rc，Q点怎样变（3）分析失真：饱和、截止

Q↑

，Q

。

怎样消除失真（调Rb

）第10页3、计算

基本放大电路固定偏置分压式偏置（有电压、电流放大，

b入c出，vo与vi反相）；共射放大电路VB→IE→IC→VCE(1)静态分析画直流通路：电容C断开，估算Q点（IB、IC、VCE）固定偏置共射：分压式偏置共射：IB→IC→VCE（如书作业,笔记）第11页(2)动态分析会画交流H参数小信号等效电路（电容C短，VCC接地+T管H参数小信号模型）会求、Ri、Ro

*NPN、PNP交流小信号模型一样4、会依据波特图：找下限频率fL、上限频率fH

中频时AVm

，fL、fH处对应实际AV(dB)(如作业书194页4.7.1)短路，RL开路第12页共基放大电路（e入c出，vo与vi同相无电流放大、有电压放大）；共集电极电路（射极输出器）（无电压放大、有电流放大

b入e出，

vo与vi同相，

Av≈1，vo≈

vi

）；共集、共基定性了解第13页第5章场效应管增强型耗尽型JFET结型MOSFET绝缘栅型1、FET会由管子特征曲线判FET场效应管类型N沟道P沟道如作业：书251页5.3.5,第14页（1）vGS极性单一极性增强型MOSFET

JFET（耗尽型）VT

(开启电压)：VP

（夹断电压）：可正可负耗尽型MOSFETVP（2）看VT

、VP

VP

<0,

N沟道>0,

P沟道VT<0,

P沟道>0,

N沟道方法：正记忆反记忆第15页2、计算

共漏电路（源极输出器）FET放大电路共源放大电路会动态分析会画交流H参数小信号等效电路（电容C短，VDD接地+FET管小信号模型）会求、Ri、Ro

如作业：书251页5.2.9,5.3.8,第16页第6章差分放大电路放大差模信号，抑制共模信号，抑制零点漂移1、计算（1）静态分析（估算法估算Q点）（接共用Re）或(接带内阻r0

恒流源I0)（2）会差模信号输入交流小信号等效电路(方法：直流电压源短路，差模中共用Re或共用恒流源内阻r0短路）第17页（3）会求差模电压放大倍数AVD

、Rid、Rod

双端输出单端输出*差模电压放大倍数AVD

转换成求单管AV双端输出：c1-c2间为vo(vo1–

vo2)单端输出：c1端为vo(vo=vo1),c2端为vo(vo=vo2)注意：带RL与不带RLAVD公式

如作业：书316页6.2.2，6.2.5，笔记第18页双端输出：单端输出(c1端出)：单端输出(c2端出)：

Rid(详细电路分析)

Rod

=2Rc(双端输出)Rod

=Rc(单端输出)差模电压放大倍数AVD

转换成求单管AV第19页第7章反馈放大电路1.会找反馈支路，判断反馈组态、极性（方法见笔记）串联反馈并联反馈入侧电压反馈电流反馈出侧瞬时极性法：正反馈负反馈3、负反馈对放大电路性能改进，会根

据要求引入适当类型负反馈

2、对负反馈电路，会估算深度负反馈条件下闭环增益，定性分析Ri、Ro如书作业,笔记第20页串联负反馈——增大Ri并联负反馈——减小Ri电压负反馈——减小Ro

，稳定Uo电流负反馈——增大Ro

，稳定Io负反馈对放大电路性能改进第21页1、会分析甲乙类双电源互补对称功率放大电路

甲乙类单电源互补对称功率放大电路第8章功率放大电路电路原理：VBE扩大电路作用（提供适当偏压,使T1、T2静态处于微导通状态，即工作于甲乙类状态,克服交越失真）T1：NPN，T2：PNP（互补射极输出器）第22页3、分析计算输出功率Po最大输出功率Pom:如作业8.3.2,8.4.1,8.4.32、双电源（两电源+VCC

、–VCC

），无CL

与RL接单电源（单电源VCC，有C与RL接)*公式中，双电源VCC，单电源1/2VCC第23页第9章信号产生电路1、电路振荡幅度条件、相位条件

AF=a+

f=2n

(满足正反馈)2、会用相位条件、

幅度条件判RC正弦波振荡电路能否振荡，会求其振荡频率f0起振：要求AF

>

1，Rf

>

2R1稳振：要求AF

=

1，Rf

=2R1第24页3、会用相位条件判LC正弦波振荡电路能否振荡。（判为正反馈，便能振）*LC振荡电路：变压器反馈式、电感三点式、电容三点式4、

石英晶体振荡电路特点：频率稳定度高5、单门限电压比较器（开环），会计算vo。开环分析方法：v+>v–

时，vo=+Vosv+<v–

时，vo=–Vos加稳压管限幅后，vo为多少vo

=

+VZ或vo=–VZ第25页v+=v–时，vo

高低电平转换此时vi值（Vth

）——门限电压2.迟滞比较器（正反馈），

会计算上、下门限电压VT+、VT-，会