晶体制造工艺与设计选用课件

晶体制造工艺与设计选用2022/10/28晶体制造工艺与设计选用晶体制造工艺与设计选用2022/10/22晶体制造工艺与设计11.水晶材料基本特性2.石英谐振器的生产工艺3.石英谐振器的基本参数4.线路设计中石英谐振器的选用5.典型案例分析6.发展趋势7.品质系统流程图目录晶体制造工艺与设计选用1.水晶材料基本特性目录晶体制造工艺与设计选用2水晶材料基本特性一压电效应石英晶体在压力作用下产生形变，同时产生电极化。其极化强度与压力成正比。这种现象就称“正压电效应”。反之，在电场作用下，晶体产生形变，其形变大小与电场强度成正比，这种现象称“逆压电效应”。在二十多类具有压电效应的晶体中，石英晶体是无线通讯设备中最为满意的材料之一。它的机械强度高，物理化学性能稳定，内损耗低等，用它制成的器件被广泛用在频率控制和频率选择电路中。晶体制造工艺与设计选用水晶材料基本特性一压电效应晶体制造工艺与设计选用3水晶材料基本特性二石英晶体的切型

由于石英片的取向不同，其压电特性、弹性特性和强度特性就不同，用它来制造的谐振器的性能也不一样，经过前辈的大量研究，已发现了几十种有用的切割方式。切型的习惯表示方法：AT，BT，CT，DT，ET，FC，SC，LC等晶体制造工艺与设计选用水晶材料基本特性二石英晶体的切型晶体制造工艺与设计选用4水晶材料基本特性三应用领域：3.1主要产品：石英晶体谐振器、石英晶体振荡器3.2主要特点：高稳定性(年老化率小于+/-5ppm),高Q(品质因数)值,低功耗,小体积,易于使用。3.3主要应用于通讯,电脑,导航,航空航天,家用电器等领域。一般石英晶体谐振器的频率可从几十KHZ至几百MHZ。晶体制造工艺与设计选用水晶材料基本特性三应用领域：晶体制造工艺与设计选用5水晶材料基本特性四石英谐振器的组成和特性

由石英片，电极，基座，上盖、导电胶组成，其关键部分是石英片。石英片是弹性体，它有固有频率。石英片也是压电体，谐振时，振动幅度最大，阻抗最小；失谐时，阻抗迅速加大。晶体制造工艺与设计选用水晶材料基本特性四石英谐振器的组成和特性晶体制造工艺与设6石英谐振器的生产工艺

一石英晶片制造工艺流程晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺一石英晶片制造工艺流程晶体制造工艺7石英谐振器的生产工艺

二石英晶体谐振器制造流程图

晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺二石英晶体谐振器制造流程图晶体制8石英谐振器的生产工艺

2.1被银：用真空镀膜原理在洁净的石英晶片上蒸镀薄银(金)层，形成引出电极，并使其频率达到一定范围。晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.1被银：用真空镀膜原理在洁净的9石英谐振器的生产工艺

2.2上架点胶：将被上银（金）电极的晶片装在基座上，点上导电胶，并高温固化，通过弹簧(PAD)即可引出电信号。晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.2上架点胶：将被上银（金）电极10石英谐振器的生产工艺

2.3微调：SMD产品采用Ar离子轰击晶片表面的银（金）电极，将多余的金（银）原子打下来。(插脚类产品使用真空镀膜原理，微调晶体谐振器的频率达到规定要求)晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.3微调：SMD产品采用Ar离子11石英谐振器的生产工艺

2.4封焊：将基座与上盖放置在充满氮气(真空)的环境中进行封焊，以保证产品的老化率符合要求。本公司主要有：电阻焊（DIPOSC、DIPCrystal）、SEAM焊（滚边焊7S、6S、5S、4S、3S、2S）、玻璃焊（8F、6F、5F）晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.4封焊：将基座与上盖放置在充满12石英谐振器的生产工艺

2.5密封性检查：检查封焊后的产品是否有漏气现象粗检漏：检查较大的漏气现象;细检漏：检查较小的漏气现象;晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.5密封性检查：检查封焊后的产品是13石英谐振器的生产工艺

2.6老化及模拟回流焊：对产品加以高温长时间老化，释放应力以及模拟客户使用环境，暴露制造缺陷，据以提高出货可靠性。晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.6老化及模拟回流焊：对产品加以14石英谐振器的生产工艺

2.7测试：对成品进行电性能指标测试，剔除不良品，保证产品质量。晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.7测试：对成品进行电性能指标测15石英谐振器的基本参数Fs:串联谐振频率;Fs=1/[2π(L1C1)1/2]FL:指定负载CL时的谐振频率。Fr:谐振频率;Xe=0时的频率）CL:特定负载谐振频率时的负载电容(pf)。C0:静电容（pF）;C1:动态电容（fF）。L1:动态电感。(mH);RR:动态电阻。ohmQ:品质因数。Q=2πfL1/R1TS:指定负载CL时测试的频率因负载电容变化而引起的牵引能力。(ppm/pf)PWR:激励功率。(uW)晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的基本参数Fs:串联谐振频率;Fs=1/[2π(L16线路设计中石英谐振器的选用一石英谐振器的稳频条件：负载电容激励电平频率温度特性晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用一石英谐振器的稳频条件：晶体制造17线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响：石英谐振器一般作为电感元件在振荡电路中起稳频作用，而电路的其它元件均可等效为一个负载电容与石英谐振器串联或并联。负载电容的大小将对石英谐振器的等效参数及频率稳定度带来影响。晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响：晶体制造18线路设计中石英谐振器的选用

负载电容CL对频率的影响(18PF为例)

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响(1819线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响(18PF为例)

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响(18PF20线路设计中石英谐振器的选用激励电流和频率稳定度的关系：一般取70~100uA为佳；用激励功率表示时，一般取1~100uW为佳。激励电平的大小直接影响石英谐振器的性能，所以电路设计者一定要严格控制石英谐振器在规定的激励电平下工作，以便充分发挥石英谐振器的特点;一般来讲，激励电平偏小对于长稳有利，激励电平稍大对于短温有利。但是激励电平太大，石英片振动强，振动区域温度升高，石英片内产生温度梯度，会使频率稳定度降低；激励电平过大，由于机械形变超过弹性限度而引起永久性的晶格位移，使频率产生永久性的变化，甚至有时会把石英片振坏；激励电平过大，会使等效电阻增加，Q值下降，电阻温度特性和频率温度特性变得不规则；激励电平过大，容易激起寄生振动，同时还会使老化变大。当然，激励电平太低也会使信噪比变小而影响短期稳定度，激励电平太低，谐振器不易起振，影响工作的温定和可靠性。所以谐振器使用者应根据不同的要求严格控制激励电平；更不能为了增大输出而随意提高激励电平.晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用激励电流和频率稳定度的关系：晶体制21线路设计中石英谐振器的选用频率温度特性

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用频率温度特性晶体制造工艺与设计选22线路设计中石英谐振器的选用二石英振荡电路的组成：石英振荡电路主要由IC、石英谐振器（简称：晶体）XTAL、电阻、PCB等组成晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用二石英振荡电路的组成：晶体制造工23线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（一）：IC：可根据实用的需要任意选用：CMOS反向器IC；专用振荡IC；大规模的数字IC中自备石英振荡门；*负阻特性：振荡电路（除去CRYSTAL），具有一个负阻特性（用网络频谱分析仪），振荡电路负阻值（绝对值）必须大于3倍的CRYSTAL电阻值（CRYSTALESR/RR），振荡电路才可以稳定的振荡。电容：可根据用户的需要选用片式或传统结构的产品，但是应注意选择适用于高频的、低损耗角的，选用NP0系列的温度系数产品。Cg/Cd的具体数值请参阅下面的注意事项。晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选24线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（二）：电阻:在选择尺寸的同时需注意功耗的满足。PCB：注意能满足高频的使用场合和注意尽量降低线路的分布参数；大面积接地和一点式接地方案的采纳。有必要的时候应注意EMI的防护。XTAL：频率大于1MHz的谐振器应选用AT-MODE可根据用户的需要选择合适的外形尺寸和封装的晶体；主要电性指标：FL、ESR的CLOCK需要选用FL及公差(@25℃)，并按Cg/Cd值，计算而得：CL=(Cg*Cd)/(Cg+Cd)+Cs(线路分布杂散电容);晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选25线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（三）：

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选26线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（四）：ESR：可参见产品目录提供的数据；单位：Ω；工作温度范围的频率公差：例：±30ppm/-10~60℃,±30ppm/-20~70℃等Cg/Cd的选择要点和注意事项：正确的选取Cg/Cd的值将有利于振荡电路的工作稳定，并能使振荡频率满足使用的CLK要求。其选取的步骤如下：

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选27线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（五）：首先应该按照-R的需求选择Cg/Cd，在满足TS的情况下应尽量小些，保持较高的–R以保证振荡的的稳定性。当无法满足-R要求时应考虑对IC的特性重新评价、选择。

-R=gm/{ω2*（Cg*Cd）}；-R>(3~5)*ESR(XTAL)；

Rf值选取：取用的XTAL为基本波的时候，Rf选用1MΩ；3RD模式的XTAL时须考虑截止频率必须界于基频与3RD的中间以保证3RD工作正常为原则，通常Rf阻值在2~15KΩ间。晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选28线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（五）：

IC的-R与CL的关系IC的-R与F0的关系晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选29线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（六）：为了避免对XTAL的过激励而影响电路的正常工作，建议采用Rr以控制XTAL的激励功率；其数值视频率高低可在33~68Ω间选取。对于有EMI要求的振荡电路设计中必须选取SEAM焊封4PAD的晶体谐振器，同时赋予合理接地方式，可满足EMI防护的需求。晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选30典型案例分析一某客户在使用过程中发现输出图象产生黑白图像:（客户使用我司ESA24.0000F27D33产品）

测试结果：IC:-R=238ohms在线实际测试频率为F=163ppm用250B测试，在CL=27PF时为FL=1.7ppm.解决方案：我司按CL=20pF给客户供货；晶体制造工艺与设计选用典型案例分析一某客户在使用过程中发现输出图象产生黑白图像:31典型案例分析二某客户在使用过程中发现产品波形输出不稳定振动幅度过小：（E5FA24.0000F16E33）

测试结果：IC的-R=42.9ohms此类晶体产品的规格值中ESR一般会控40ohms控制，依此推算，客户的IC-R应在120ohmsmin.比较适合解决方案：建议客户将Cg=Cd改为12pF，以提高-R，同时我司按9PF给客户供货晶体制造工艺与设计选用典型案例分析二某客户在使用过程中发现产品波形输出不稳定32典型案例分析三某客户在产品使用过程中发现有部分会出现停振（E3SB20.0000F16E11）

测试结果：发现线路设计没问题，与晶体的FL、RR也匹配，后从客户所提供的IC相关参数中发现其激励功率为300uw，对小尺寸晶体产品而言（此颗料的外形尺寸为3.2*2.5mm）一般激励功率不能超过100uw；

解决方案：我司更改晶片制造工艺，将其电阻提高到15ohms以上来解决；（建议客户在线路中串联电阻Rr=33ohms，以减小电流）晶体制造工艺与设计选用典型案例分析三某客户在产品使用过程中发现有部分会出现停振（33典型案例分析四某客户在产品使用过程中发现会出现产品三倍频的振荡模式（EUA2.34496F20D33）

测试结果：在2.34MHZ时-R=6.5Kohms,在7.009MHZ时-R=805ohms,而此产品在正常状态下电阻在150ohms以内，3RD电阻300ohms以内;解决方案：建议客户在线路中串联电阻Rr=470ohms；晶体制造工艺与设计选用典型案例分析四某客户在产品使用过程中发现会出现产品三倍频的34发展趋势石英产品与其它的电子元器件同样朝着轻薄短小演进。石英产品从1990年开始朝着SMD的方向演进，1998年开始又向小型SMD的方向发展，因此轻薄短小的竞争也就从此白热化起来，当今已从SMD-8045、7050、6035、5032、4025发展为3225和2520等产品，很快2016的产品将量产市场化；随着CPU的运转速度的加快，石英谐振器和石英振荡器的高频化进程也在加快。石英振荡器的输出逻辑除了常用的TTL/CMOS之外，继续推出了LVCMOS和PECL等更适合于高速通讯的产品。以及低工作电压2.5V、1.8V等的低功耗产品。更适合现代产业的需求。在石英水晶的压电效应发现已经历了120年的今天，终于将进入重要的频率控制元件发展的新纪元。晶体制造工艺与设计选用发展趋势石英产品与其它的电子元器件同样朝着轻薄短35发展趋势

附SMDCrystal产品发展趋势图（单位：Mpcs)

晶体制造工艺与设计选用发展趋势附SMDCrystal产品发展趋势图（单位：M36发展趋势

附SMDOSC产品发展趋势图（单位：Mpcs)）晶体制造工艺与设计选用发展趋势附SMDOSC产品发展趋势图（单位：Mpcs)）37品质部组织机能图品质部IQCOQC制程外观全验仪校统计QAE文管中心信赖性试验室统计1.制程数据的统计与分析2.SCAR回复3.退货、特采处理4.客户端异常处理5.客户需求及问题回馈1.测量设备的内外校与测量系统分析仪校QAE试验室1.信赖性测试1.各制程不良品分析确认、不良率统计文控中心1.ISO9001/ISO14001/RoHS系统维护2.文件管制与发行3.客规审查及发行4.内/外部稽核事宜1.供应商/协力商管理2.原物料检验与分频3.不良品索赔IQC1.制程抽检与压封前全检2.返修,不合格品及重工管制3.矫正及预防措施追踪与确认4.SPC管制及分析外观全检1.成品仓之稽核2.出货前外观抽检3.出货报告之制作OQC晶体制造工艺与设计选用品质部组织机能图品质部IQCOQC制程外观全验38品质系统运作流程图市场销售产品品质规划量产服务持续改善客户抱怨分析,矫正,预防品质确认与稽核业务品质采购生管制造生技研发进料检验新产品试作样品测试样品确认原物料储存原物料采购生产计划进料检验原物料准备制程管制制程中检验最终测试编带成品仓库出货管制出货量产原物料采购样品转量产试作制程中信赖性抽测服务量产前制程与样品检讨订单审查新产品规划外观检验包装出货前抽检晶体制造工艺与设计选用品质系统运作流程图市场销售产品品质规划量产39供应商/协力商评估流程图技术单位制造单位品质单位生管单位采购单位新供应商开发新协力商开发不列入合格名录中技术能力评估制程能力评估品质系统评估交期评估成本评估共同评估结果合格协力商名录合格供应商名录NGOK总经理核准晶体制造工艺与设计选用供应商/协力商评估流程图技术单位制造单位品质单位生管单位采购40演讲完毕，谢谢听讲!再见，seeyouagain3rew2022/10/28晶体制造工艺与设计选用演讲完毕，谢谢听讲!再见，seeyouagain3rew41晶体制造工艺与设计选用2022/10/28晶体制造工艺与设计选用晶体制造工艺与设计选用2022/10/22晶体制造工艺与设计421.水晶材料基本特性2.石英谐振器的生产工艺3.石英谐振器的基本参数4.线路设计中石英谐振器的选用5.典型案例分析6.发展趋势7.品质系统流程图目录晶体制造工艺与设计选用1.水晶材料基本特性目录晶体制造工艺与设计选用43水晶材料基本特性一压电效应石英晶体在压力作用下产生形变，同时产生电极化。其极化强度与压力成正比。这种现象就称“正压电效应”。反之，在电场作用下，晶体产生形变，其形变大小与电场强度成正比，这种现象称“逆压电效应”。在二十多类具有压电效应的晶体中，石英晶体是无线通讯设备中最为满意的材料之一。它的机械强度高，物理化学性能稳定，内损耗低等，用它制成的器件被广泛用在频率控制和频率选择电路中。晶体制造工艺与设计选用水晶材料基本特性一压电效应晶体制造工艺与设计选用44水晶材料基本特性二石英晶体的切型

由于石英片的取向不同，其压电特性、弹性特性和强度特性就不同，用它来制造的谐振器的性能也不一样，经过前辈的大量研究，已发现了几十种有用的切割方式。切型的习惯表示方法：AT，BT，CT，DT，ET，FC，SC，LC等晶体制造工艺与设计选用水晶材料基本特性二石英晶体的切型晶体制造工艺与设计选用45水晶材料基本特性三应用领域：3.1主要产品：石英晶体谐振器、石英晶体振荡器3.2主要特点：高稳定性(年老化率小于+/-5ppm),高Q(品质因数)值,低功耗,小体积,易于使用。3.3主要应用于通讯,电脑,导航,航空航天,家用电器等领域。一般石英晶体谐振器的频率可从几十KHZ至几百MHZ。晶体制造工艺与设计选用水晶材料基本特性三应用领域：晶体制造工艺与设计选用46水晶材料基本特性四石英谐振器的组成和特性

由石英片，电极，基座，上盖、导电胶组成，其关键部分是石英片。石英片是弹性体，它有固有频率。石英片也是压电体，谐振时，振动幅度最大，阻抗最小；失谐时，阻抗迅速加大。晶体制造工艺与设计选用水晶材料基本特性四石英谐振器的组成和特性晶体制造工艺与设47石英谐振器的生产工艺

一石英晶片制造工艺流程晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺一石英晶片制造工艺流程晶体制造工艺48石英谐振器的生产工艺

二石英晶体谐振器制造流程图

晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺二石英晶体谐振器制造流程图晶体制49石英谐振器的生产工艺

2.1被银：用真空镀膜原理在洁净的石英晶片上蒸镀薄银(金)层，形成引出电极，并使其频率达到一定范围。晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.1被银：用真空镀膜原理在洁净的50石英谐振器的生产工艺

2.2上架点胶：将被上银（金）电极的晶片装在基座上，点上导电胶，并高温固化，通过弹簧(PAD)即可引出电信号。晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.2上架点胶：将被上银（金）电极51石英谐振器的生产工艺

2.3微调：SMD产品采用Ar离子轰击晶片表面的银（金）电极，将多余的金（银）原子打下来。(插脚类产品使用真空镀膜原理，微调晶体谐振器的频率达到规定要求)晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.3微调：SMD产品采用Ar离子52石英谐振器的生产工艺

2.4封焊：将基座与上盖放置在充满氮气(真空)的环境中进行封焊，以保证产品的老化率符合要求。本公司主要有：电阻焊（DIPOSC、DIPCrystal）、SEAM焊（滚边焊7S、6S、5S、4S、3S、2S）、玻璃焊（8F、6F、5F）晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.4封焊：将基座与上盖放置在充满53石英谐振器的生产工艺

2.5密封性检查：检查封焊后的产品是否有漏气现象粗检漏：检查较大的漏气现象;细检漏：检查较小的漏气现象;晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.5密封性检查：检查封焊后的产品是54石英谐振器的生产工艺

2.6老化及模拟回流焊：对产品加以高温长时间老化，释放应力以及模拟客户使用环境，暴露制造缺陷，据以提高出货可靠性。晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.6老化及模拟回流焊：对产品加以55石英谐振器的生产工艺

2.7测试：对成品进行电性能指标测试，剔除不良品，保证产品质量。晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的生产工艺2.7测试：对成品进行电性能指标测56石英谐振器的基本参数Fs:串联谐振频率;Fs=1/[2π(L1C1)1/2]FL:指定负载CL时的谐振频率。Fr:谐振频率;Xe=0时的频率）CL:特定负载谐振频率时的负载电容(pf)。C0:静电容（pF）;C1:动态电容（fF）。L1:动态电感。(mH);RR:动态电阻。ohmQ:品质因数。Q=2πfL1/R1TS:指定负载CL时测试的频率因负载电容变化而引起的牵引能力。(ppm/pf)PWR:激励功率。(uW)晶体制造工艺与设计选用石英谐振器的基本参数Fs:串联谐振频率;Fs=1/[2π(L57线路设计中石英谐振器的选用一石英谐振器的稳频条件：负载电容激励电平频率温度特性晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用一石英谐振器的稳频条件：晶体制造58线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响：石英谐振器一般作为电感元件在振荡电路中起稳频作用，而电路的其它元件均可等效为一个负载电容与石英谐振器串联或并联。负载电容的大小将对石英谐振器的等效参数及频率稳定度带来影响。晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响：晶体制造59线路设计中石英谐振器的选用

负载电容CL对频率的影响(18PF为例)

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响(1860线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响(18PF为例)

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用负载电容CL对频率的影响(18PF61线路设计中石英谐振器的选用激励电流和频率稳定度的关系：一般取70~100uA为佳；用激励功率表示时，一般取1~100uW为佳。激励电平的大小直接影响石英谐振器的性能，所以电路设计者一定要严格控制石英谐振器在规定的激励电平下工作，以便充分发挥石英谐振器的特点;一般来讲，激励电平偏小对于长稳有利，激励电平稍大对于短温有利。但是激励电平太大，石英片振动强，振动区域温度升高，石英片内产生温度梯度，会使频率稳定度降低；激励电平过大，由于机械形变超过弹性限度而引起永久性的晶格位移，使频率产生永久性的变化，甚至有时会把石英片振坏；激励电平过大，会使等效电阻增加，Q值下降，电阻温度特性和频率温度特性变得不规则；激励电平过大，容易激起寄生振动，同时还会使老化变大。当然，激励电平太低也会使信噪比变小而影响短期稳定度，激励电平太低，谐振器不易起振，影响工作的温定和可靠性。所以谐振器使用者应根据不同的要求严格控制激励电平；更不能为了增大输出而随意提高激励电平.晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用激励电流和频率稳定度的关系：晶体制62线路设计中石英谐振器的选用频率温度特性

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用频率温度特性晶体制造工艺与设计选63线路设计中石英谐振器的选用二石英振荡电路的组成：石英振荡电路主要由IC、石英谐振器（简称：晶体）XTAL、电阻、PCB等组成晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用二石英振荡电路的组成：晶体制造工64线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（一）：IC：可根据实用的需要任意选用：CMOS反向器IC；专用振荡IC；大规模的数字IC中自备石英振荡门；*负阻特性：振荡电路（除去CRYSTAL），具有一个负阻特性（用网络频谱分析仪），振荡电路负阻值（绝对值）必须大于3倍的CRYSTAL电阻值（CRYSTALESR/RR），振荡电路才可以稳定的振荡。电容：可根据用户的需要选用片式或传统结构的产品，但是应注意选择适用于高频的、低损耗角的，选用NP0系列的温度系数产品。Cg/Cd的具体数值请参阅下面的注意事项。晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选65线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（二）：电阻:在选择尺寸的同时需注意功耗的满足。PCB：注意能满足高频的使用场合和注意尽量降低线路的分布参数；大面积接地和一点式接地方案的采纳。有必要的时候应注意EMI的防护。XTAL：频率大于1MHz的谐振器应选用AT-MODE可根据用户的需要选择合适的外形尺寸和封装的晶体；主要电性指标：FL、ESR的CLOCK需要选用FL及公差(@25℃)，并按Cg/Cd值，计算而得：CL=(Cg*Cd)/(Cg+Cd)+Cs(线路分布杂散电容);晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选66线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（三）：

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选67线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（四）：ESR：可参见产品目录提供的数据；单位：Ω；工作温度范围的频率公差：例：±30ppm/-10~60℃,±30ppm/-20~70℃等Cg/Cd的选择要点和注意事项：正确的选取Cg/Cd的值将有利于振荡电路的工作稳定，并能使振荡频率满足使用的CLK要求。其选取的步骤如下：

晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选68线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（五）：首先应该按照-R的需求选择Cg/Cd，在满足TS的情况下应尽量小些，保持较高的–R以保证振荡的的稳定性。当无法满足-R要求时应考虑对IC的特性重新评价、选择。

-R=gm/{ω2*（Cg*Cd）}；-R>(3~5)*ESR(XTAL)；

Rf值选取：取用的XTAL为基本波的时候，Rf选用1MΩ；3RD模式的XTAL时须考虑截止频率必须界于基频与3RD的中间以保证3RD工作正常为原则，通常Rf阻值在2~15KΩ间。晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选69线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（五）：

IC的-R与CL的关系IC的-R与F0的关系晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选70线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选用（六）：为了避免对XTAL的过激励而影响电路的正常工作，建议采用Rr以控制XTAL的激励功率；其数值视频率高低可在33~68Ω间选取。对于有EMI要求的振荡电路设计中必须选取SEAM焊封4PAD的晶体谐振器，同时赋予合理接地方式，可满足EMI防护的需求。晶体制造工艺与设计选用线路设计中石英谐振器的选用三石英振荡电路中的主要元器件的选71典型案例分析一某客户在使用过程中发现输出图象产生黑白图像:（客户使用我司ESA24.0000F27D33产品）

测试结果：IC:-R=238ohms在线实际测试频率为F=163ppm用250B测试，在CL=27PF时为FL=1.7ppm.解决方案：我司按CL=20pF给客户供货；晶体制造工艺与设计选用典型案例分析一某客户在使用过程中发现输出图象产生黑白图像:72典型案例分析二某客户在使用过程中发现产品波形输出不稳定振动幅度过小：（E5FA24.0000F16E33）

测试结果：IC的-R=42.9ohms此类晶体产品的规格值中ESR一般会控40ohms控制，依此推算，客户的IC-R应在120ohmsmin.比较适合解决方案：建议客户将Cg=Cd改为12pF，以提高-R，同时我司按9PF给客户供货晶体制造工艺与设计选用典型案例分析二某客户在使用过程中发现产品波形输出不稳定73典型案例分析三某客户在产品使用过程中发现有部分会出现停振（E3SB20.0000F16E11）

测试结果：发现线路设计没问题，与晶体的FL、RR也匹配，后从客户所提供的IC相关参数中发现其激励功率为300uw，对小尺寸晶体产品而言（此颗料的外形尺寸为3.2*2.5mm）一般激励功率不能超过100uw；

解决方案：我司更改晶片制造工艺，将其电阻提高到15ohms以上来解决；（建议客户在线路中串联电阻Rr=33ohms，以减小电流）晶体制造工艺与设计选用典型案例分析三某客户在产品使用过程中发现有部分会出现停振（74典型案例分析四某客户在产品使用过程中发现会出现产品三倍频的振荡模式（EUA2.34496F20D33）

测试结果：在2.34MHZ时-R=6.5Kohms,在7.009MHZ时-R=805ohms,而此产品在正常状态下电阻在150ohms以内，3RD电阻300ohms以内;解决方案：建议客户在线路中串联电阻Rr=470ohms；晶体制造工艺与设计选用典型案例分析四某客户在产品使用过程中发现会出现产品三倍频的75发展趋势石英产品与其它的电子元器件同样朝着轻薄短小演进。石英产品从1990年开始朝着SMD的方向演进，1998年开始又向小型SMD的方向发展，因此轻薄短小的竞争也就从此白热化起来，当今已从SMD-8045、7050、6035、5032、4025发展为3225和2520等产品，很快2016的产品将量产市场化；随着CPU的运转速度的加快，石英谐振器和石英振荡器的高频化进程也在加快。石英振荡器的输出逻辑除了常用的TTL/CMOS之外，继续推出了LVCMOS和PECL等更适合于高速通讯的产品。以及低工作电压2.5V、1.8V等的低功耗产品。更适合现代产业的需求。在石英水晶的压电效应发现已经历了120年的今天，终于将进入重要的频率控制元件发展的新纪元。晶体制造工艺与设计选用发展趋势石英产品与其它的电子元器件同样朝着轻薄短76发展趋势

附SMDCrystal产品发展趋势图（单位：Mpcs)

晶体制造工艺与设计选用发展趋势附SMDCrystal产品发展趋势图（单位：M77发展趋势

附SMDOSC产品发展趋势图（单位：Mpcs)）晶体制造工艺与设计选用发展趋势附SMDOSC产品发展趋势图（单位：Mpcs)）78品质部组织机能图品质部IQCOQC制程外观全验仪校统计QAE文管中心信赖性试验室统计1.制程数据的统计与分析2.SCAR回复3.退货、特采处理4.客户端异常处理5