DRAM模块行业分析报告 2022年DRAM模块行业发展前景及规模分析-

1、DRAM模块行业分析报告 2022年DRAM模块行业发展前景及规模分析_产品定义及统计范围DRAM 的英文全称是Dynamic RAM，翻译成中文就是动态随机存储器。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。 DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。基本简介所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在

2、数字电子中被认为是逻辑上的1，而空的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷，所以内存需要不断定时刷新，才能保持暂存的数据。电容器可以由电流来充电-当然这个电流是有一定限制的，否则会把电容击穿。同时电容的充放电需要一定的时间，虽然对于内存基本单位中的电容这个时间很短，只有大约0.2-0.18微秒，但是这个期间内存是不能执行存取操作的。DRAM制造商的一些资料中显示，内存至少要每64ms刷新一次，这也就意味着内存有1%的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题，而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变-所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新:执行一次回写

3、操作，因为读取操作也会破坏内存中的电荷，也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms刷新一次，每次读操作之后也要刷新一次。这样就增加了存取操作的周期，当然潜伏期也就越长。 SRAM，静态(Static)RAM不存在刷新的问题，一个SRAM基本单元包括4个晶体管和2个电阻。它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据，而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态-同CPU中的逻辑状态一样。读取操作对于SRAM不是破坏性的，所以SRAM不存在刷新的问题。SRAM不但可以运行在比DRAM高的时钟频率上，而且潜伏期比DRAM短的多。SRAM仅仅需要2到3个时钟周期就能从CPU缓存调入需要

4、的数据，而DRAM却需要3到9个时钟周期(这里我们忽略了信号在CPU、芯片组和内存控制电路之间传输的时间)。DRAM模块行业目前现状分析国内DRAM发展之苦中国是世界最大的电子产品制造国，根据历年来海关总署统计的半导体产业进出口数据，可以看到国内企业每一年花在存储器采购上的资金，高达几千亿美元，并且在一直往上攀升。但由于没有掌握相关核心技术，我国在DRAM的产品定价上一直受制于国际巨头，手机、PC厂商经常遇到DRAM缺货情况。而头部厂商对DRAM市场的垄断和价格操纵，使国内的企业深受其苦。其实这很大程度上是我们的产业基础没有打扎实，我们可以回顾下国内的产业发展历程中的一些关键性节点。1975年

5、，北京大学物理系半导体研究组在109厂采用硅栅NMOS技术，试制出中国大陆第一块1K DRAM，比美国、日本晚五年；1978年中科院半导体所成功研制4K DRAM；1981年中科院半导体研究所成功研制16K DRAM（比韩国晚两年）；1985年中科院微电子中心研制成功64K DRAM（比韩国晚一年）；1993年无锡华晶制造出第一块256K DRAM（比韩国晚7年）；1997年亚洲金融危机爆发，华晶遭遇巨额亏损，最终只能选择转型；1999年上海华虹量产出64M的DRAM，但由于市场环境恶化，华虹失去日本企业NEC的技术支持，华虹宣布退出DRAM并转型做晶圆代工业务；2004年中芯国际开始进军DR

6、AM领域；2008年中芯国际深陷与台积电的官司，被迫放弃了DRAM业务，标志着大陆企业在DRAM领域的尝试，均已失败告终。不难看出，存储器和芯片市场都是国内相当薄弱的环节，要想发展则需要从国外垄断企业中抢夺市场份额。统计数据显示，2017年中国DRAM模块市场规模482.33亿元，到2021年中国DRAM模块市场规模676.04亿元，增长率42.99%。2017-2022年中国DRAM模块市场规模如下：图表：2017-2022年中国DRAM模块市场规模DRAM模块产业链分析所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。图表：DRAM模块产业链资料来源：DRAM模块中国企业SWOT分析

7、DRAM 市场长期呈寡头垄断格局，寡头垄断市场会造成定价机制的扭曲， 导致供需变化与价格之间的传导较为缓慢，导致供需错配及较大幅度的价格 变动。存储芯片新品上市时，受益于业界产量有限及具备技术领先性，存储芯 片定价较高；随后受上游市场格局特性及存储晶圆、存储芯片之间存在生产、 销售周期间隔等因素影响，存储新品的销售价格变动滞后于存储器产品销售 单价及下游需求的变化，产量的调整迟滞于下游市场需求的变化，导致上游存 储原厂出现产能过剩，价格显著下跌，原厂业绩受损。与所有半导体产品一样，少数公司倾向于控制特定产品的多数市场份额，DRAM也不例外，存储器行业科技含量高，高昂的研发成本使得资本支出大且增速高于其他行业，从而垄断格局牢固，巨头优势下马太效应愈演愈烈。市场数据显示，目前DRAM市场基本被三星电子、SK海力士、美光三家企业瓜分。具体来看，三星在DRAM市场的占比达到