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1、第4章 图 1聚酰亚胺制造过程中各反应(聚酰胺酸生成,解聚分子量下降和酰胺交换,化学 热亚胺化,异亚胺化及异亚胺化的水解 溶剂分解)的模式图。以 PMDA/ODA聚酰亚胺的结构为例)wwnn 1 8)M n) 系时 )只 19) 5 2 5 等 变 2 ) 。) 。10) 行热亚胺化时,要比在 或23 ) ) 或 m )m ) -1 29) 或 ) 。) ) 等 ) m) -1 -1 A -1或到 -135) 10m 的 认 。-1) ) ) ) 。) 。) -1 ) )体 ) T g 或(膜厚、基板/ 面) ) ) 。)T 。)g ) 48) 或 T )g T g)图 4低熱膨胀性聚酰亚胺的
2、化学结构)psinin-2-2-2inS图7 用苝二亚胺标识化的s-BPDA/PDA系聚酰胺酸及聚酰亚胺膜的可见及荧光光谱200 )f 基板上亚胺化的条件与图8 相同。使用样品:图3(()聚酰胺酸,()聚酰亚胺fCTE(ppm/K)20:未固定状态下亚胺化,bifix:金属框固定状态下亚胺化f ) 变) m图 12对 s-BPDA/PDA系亚胺化诱発的面内图 13 对 s-BPDA/PDA系亚胺化诱発的面内取向聚酰胺酸膜中(膜厚 80 初期残留溶剂 NMP浓度的影响在m加 25m )71)图 15 对 s-BPDA/PDA系中亚胺化诱発面内取向聚酰胺酸初期分子量的效果)55)n图 16 聚苯并噁唑的合成路线 g) 。) 。) 等 1T g 与 / ) 测 图 17 导入亚胺基的聚酰胺合成路线(封端剂省略)图 18 对 s-BPDA/PDA聚酰亚胺膜的 CTE亚胺基的导入率及涂膜中液晶有序结构的效果 T f f 时f T 3g的 T fgg) 83) )inin)inin)亚胺化:基板上,各温度1 小时(a)PMDA/TFMB, (b)PMDA/m-TOL 图 21聚酰亚胺膜的 CTE与亚胺化温度的依存性ininin) 或 18)ggg图 22 低介电常数、低熱膨胀率含氟聚酰亚胺的化学结构图 23 用于低介电常数低 CTE半脂环族聚酰亚胺的单体立体结构)
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