晶体三极管输出特性曲线

1、晶体三极管输出特性曲线第1页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三教学设计2.新知引入1.复习回顾3.讲授新知 4.拓展新知第2页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三复习回顾 当VBE大于三极管门坎电压时（硅管约0.5V,锗管约0.2V），三极管开始导通。随后IB在较大的范围内变动时，VBE变化很小，近似一个常数，此时VBE值称为发射结正向压降或导通电压值，硅管为0.7 V，锗管约为0.3 V。PNNNPPVBE与IB成非线性关系A输入特性曲线第3页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三新知引入在电路维修和故障分析中，常常要根据测量的电压

2、，判定三极管是否正常工作，判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点。B第4页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三讲授新知三极管的输出特性：IB为一定值，VCE和IC之间的相应数量关系，可用三极管的输出特性曲线表示。GCGBRPRVCERCICIBVVuAmA以共射电路为例：C第5页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三 vCE/v00.30.513510IB=0uA000.10.10.150.20.3IB=40 uA00.430.520.530.530.530.53IB=80 uA02.12.32.42.42.42.4

3、IB=120 uA04.14.34.44.44.44.4 IC/mA 输出特性曲线族图IB一定，VCE和IC对应的数据：第6页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三1截止区IB=0，三极管处于截止状态。电流特点：IB=0，IC=ICEO0，ICEO为穿透电流。偏置条件：发射结反偏或零偏，集电结反偏。截止状态以NPN管为例：PNNVBE0,VBC 0,VCEVBEICEOVBEVBCVCE第7页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三2饱和区VCE=VCES ，VCES称为饱和压降，硅管约0.3V，锗管约为0.1V ，三极管处于饱和状态。电流特点： IC不随IB

4、的增大而线性增大 。偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。饱和状态VBE 0,VBC 0,VCE VBE以NPN管为例：PNNVBEVBCVCE第8页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三3放大区放大状态电流特点：IC受IB控制而变化，IC=IB，具有电流放大作用。恒流特性：IB一定，IC不随VCE而变化，即IC恒定。偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。以NPN管为例：VBE 0,VBC 0,VCE VBEPNNVBEVBCVCE第9页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三总结：三极管工作状态由偏置情况决定截止状态放大状态饱和状态 偏置 条件发射结反偏或零偏 集电

5、结反偏 发射结正偏 集电结反偏 发射结正偏 集电结正偏电位 电压 （NPN） VBVE 即：VBE0VBC0，VBEVCE VCVBVE 即：VBE0，VBC0，VBEVCEVBVE，VBVc 即：VBE0， VBC0，VBEVCE 电位 电压（PNP） VBVE 即：VBE0VBC0,VBEVCE VCVBVE 即：VBE0，VBC0，VBEVCEVBVE，VBVC 即：VBE0， VBC0, VBEVCEPNNVBVEVCVBEVCEVBVEVCVBEVCENPP第10页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三C拓展新知：1判别三极管的工作状态 ，NPN为硅管，PNP为锗管

6、。NPP-0.3V-0.1V0VPP0.3VN-12V0VNPP-2V-7V-1.6V6V2V1.3VPNN4.5V4V4.8VPNN5V0V0.7VNNP截止放大饱和截止放大饱和第11页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三2. 工作人员在检修某放大电路时，在无图纸又无管子型号标志的情况下，他利用测电位的办法，在图中测出“1”端对地为-6.2V，“2”端对地为-6V，“3”端对地为-9V,从而定出了管脚所属的电极和管子的类型（PNP或NPN）,你能说出其中的道理吗？PNP锗管，“1”为B，“2”为E，“3”为C第12页，共15页，2022年，5月20日，18点14分，星期三想一想：1.在截止状态下，IB能控制IC吗？三极管CE间等效电阻是大还是小？相当于C、E断开吗?2.在饱和状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻是大还是小？相当于C、E怎么样?3.在放大状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻有什么特点？第13页，共15页，2022年，5月20日，18点1