晶体管元件认识及测量

1、晶体管元件认识及测量第1页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四2、用数字万用表鉴别晶体三极管（1）晶体管的管脚和类型的识别： 先判断基级 判别类型 集电极和发射极的判断（2）晶体管性能好坏的检查eeecbcbbbecNPNcPNP90153DD01B3AX31B2763LM324CD4100第2页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四Ib（A）OVBE（V）0.220VCE=0V0.40.6VCE1V4080603、运用晶体管特性曲线求参数 (1)晶体二极管正反向V-I特性A、正向特性B、反向特性C、反向击穿特性vDovziDvBR(2)晶体三极管输入特性曲线

2、硅管输入特性曲线Ib（A）OVBE（V）0.0520VCE=0V0.100.15VCE1V4080600.20锗管输入特性曲线第3页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四QIC（mA）VCE (V)OUCE (V)IBIC(3)晶体三极管输出特性曲线 A、工作区域饱和区：VCE小到一定程度， 而是放大区：截止区：IB=0而IC0 过损耗区：不大于 其中如何一项安全工作区：小于 其中如何一项饱和区截止区放大区IC（mA）VCEOOUCE (V)过 损 耗 区安全工作区第4页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四B、主要参数电流放大系数：集电极-基极反向饱和电流 （

3、发射极开路）集电极-发射极反向饱和电流 （基极开路）集电极最大允许电流集电极最大允许功率损耗反向击穿电压 （集电极开路） （发射极开路） （基极开路）uAICEOuAICBOIBICV（BR）EBOV （BR） CBOV（BR）CEOICEO=常数OVBE（V）102030 243561ICE（mA）7060508040VCEO=常数ICEO、 VCEO特性曲线第5页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四4、三极管输出特性曲线及其逐点测量法示意图AAvvRBECRCEBOICIB0IB1IB2IB3UCEO5、三极管特性图示仪组成方框图tIbY轴放大器RC功耗限制电阻RB集电极

4、扫描信号RF取样电阻阶梯波信号X轴放大器OtUS示波管UCEOIC第6页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四UCOIbteUR（Ic）bRLcUsaOtUSIb1Ib2Ib0Ib36、图示法测三极管输出特性基本原理OICIb0Ib1Ib2Ib3t3t2t1tIbt4第7页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四7、XJ4810型半导体管特性图示仪 辅助聚焦X轴选择Y轴选择聚焦电源指示亮度电源开关显示开关Y轴位移X轴选择电容平衡辅助电容平衡功耗电阻选择扫描电压范围保险丝扫描电压%极性选择极性调零级/簇单簇按开关串联电阻开关阶梯信号选择测试选择重复/关开关第8页，共

5、13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四实验内容1、用万用表鉴别晶体三极管的性能（1）先判断晶体管的基极；（2）判断晶体管的集电极；（3）判断晶体管的类型；（4）利用数字万用表测晶体管hfe值。将实验结果记录于下列表中.晶体管型号类型判断管脚判断晶体管hfe值90149015第9页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四2、用XJ4810型晶体管特性图示仪测量晶体管的特性曲线与参数 （1）测稳压管 2CW4正反向伏安特性，在方格纸上记下图示仪所显示的特性曲线，并记录稳定电压VZ。 （2）晶体三极管输出特性测量 测出9014共发射极连接的输出特性曲线族，并用方格纸记下曲线

6、分别估算线性区的值。 分别求出当VCE3V时，IC5mA情况下管子的值。 （3）晶体三极管输入特性测量 测出3AX31和9014两管共发射极连接的输入特性曲线，在方格纸上记下图示仪所显示的特性曲线族。 从输入特性曲线上求取IB=20uA时，9014、3AX31的VBE值。 （4）晶体三极管反向击穿电压V（BR）CEO的测量 测出3AX31和9014两管（取 ICEO=2mA）的V （BR） CEO将击穿曲线记录于方格纸上，并求取V （BR） CEO的值。 （5）晶体管穿透电流的测量 （VCEO=10 V） 测出3AX31的ICEO曲线，用方格纸记录图示仪的ICEO曲线。第10页，共13页，20

7、22年，5月20日，1点41分，星期四9013(NPN)半导体管测试条件 输出特性输入特性ICEO（基极开路）BVCBO（基极开路）峰值电压范围010V0-100V极性正(+)功耗电阻250-2KX轴VCE：1V/度VBE0.1V/度VCE：10V/度Y轴IC：1mA/度基极电流IC：0.1mA/度阶梯信号重复极性正(+)阶梯选择10A/级第11页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四3AX81(PNP)半导体管测试条件输出特性输入特性ICEO（基极开路）BVCBO（基极开路）峰值电压范围010V0-100V极性正(-)功耗电阻250-2KX轴VCE：1V/度VBE0.05V/

8、度VCE：10V/度Y轴IC：1mA/度基极电流IC：10A/度阶梯信号重复极性正(-)阶梯选择10A/级第12页，共13页，2022年，5月20日，1点41分，星期四注意事项1、注意晶体管引脚。2、集电极扫描电压不能加的太高，一般小功率管在几十伏。以免击穿晶体管。3、基极电流不能太大，一般小功率管在微安级。4、注意晶体三极管导电类型实验报告要求1、整理实验数据，画出被测各类特性曲线（共7条曲线）。2、从实验结果分析锗、硅管的不同点。评分标准整齐度,规范化 5+10分用数字万用表测判别管脚 ， 10分稳压管曲线及稳压值， 15分9013输出特性曲线及 ， 15分3AX81、9013输入特性曲线及VBEO， 15分9013 V （BR