电子技术基础模拟部分-ch04

1、半导体三极半导体三极BJT的结构简放大状态下BJT的工作原BJT的V-I特性曲BJT的主要参BJT的结构简(a)小功BJT的结构简(a)小功率(b)小功率(c)大功率率BJT的结构简BJT的结构简BJT的结构简型：NPN型和PNP型BJT的结构简型：NPN型和PNP型集电极，用C或表示集发集电结基基极，用B或表示发射结三极管BJT的结构简结BJT的结构简结构特点放大状态下BJT的工作原外部条件放大状态下BJT的工作原外部条件：由于三极管内有两种载流子电olarJunctionTransistor)管或( （以NPN为例IE=IB+IC=InC+载流子的传输过2. 根据传输过程可IE=IB+I2

2、. 根据传输过程可IE=IB+IC=InC+ 传输到集电极的电设发射极注入电即 IE通常ICIC则有 IE关。一般 =0.90.99载流子的传输过2. 1InC I =I +I = + 根C2. 1InC I =I +I = + 根CCIEICEO=(1+)ICBO 且电流 CEO时， IC当ICCIIBB是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般1。3. BJT的三种组3. BJT的三种组共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示4. ICec+b+O4. ICe

3、c+b+OIBB-共基极放大电iE=-1vI=0.98时若则使当iC=iE =-0.98mA，vO =-iCRL=0.98 vO A电压放大倍VI4. vI=若+IC=20BcIB-=b4. vI=若+IC=20BcIB-=b+e-+则CB1IV-IBEEVvO =-iCRL=-0.98共射极放大电 0.98V A电压放大倍VI放大状态下BJT的工作放大状态下BJT的工作原条件：发射区杂质浓度远大于基区杂浓度，且基区很薄）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。4.1.3 BJT的VI特性曲（以共射极放大电路为例iB=f(4.1.3 BJT的VI特性曲（以共射极放大电路为例iB=f(vBE)

4、当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线当vCE1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。cev=iBb+-V共射极放大电4.1.3 BJT的VI特4.1.3 BJT的VI特性曲BJT的VI 特BJT的VI 特性曲iC=f(vCE)输出特性曲线的三个区域饱和区：iC明显受vCE放大区：iC平行于vCE时，偏BJT的主要参共发射极直流电流放BJT的主要参共发射极直流电流放大系 IC ICvCEIIBBBJT的主BJT的主要参1. (2) 共发射极交流电流放大系数BJT的主要参1. (3)BJT的主要参1. (3) 共基极直流电流放大系 (4) 共基极交流电流放大系数=IC/IE 当ICBO和ICEO很小时，、 BJT的主要参集电极基极间反向饱和电流cb-+eBJT的主要参集电极基极间反向饱和电流cb-+eBJT的主要参-c2. (2)集电极发射极间的反向饱ICEO=（1+BJT的主要参-c2. (2)集电极发射极间的反向饱ICEO=（1+ Y坐标的数值。 ICEO也+ebBJT的主要参3BJT的主要参3. 集电极最大允许电流集电极最大允许功率损耗PCM=BJT的主BJT的主要参反向击穿电V(BREBO集电极开路时发射结的反V(BR)CEOV(BR)CBOV(BR)CEOV(