模拟电子技术基础第三讲二极管和三极管课件

1、模拟电子技术基础第三讲二极管和三极管模拟电子技术基础第三讲二极管和三极管PN结的单向导电性PN结外加正向电压 外电场使扩散运动加剧，漂移运动减弱，空间电荷区变窄。 由于电源的作用，扩散运动将源源不断的进行，从而形成正向电流，PN结导通。内容回顾2PN结的单向导电性PN结外加正向电压内容回顾42. PN结外加反向电压 外加反向电压是指N端加正电压，P端加负电压，也称反向接法或反向偏置。 外电场使漂移运动加剧，扩散运动减弱，空间电荷区变宽。 形成反向电流，也称漂移电流。 反向电流非常小，在近似分析中忽略不计，认为PN结处于截止状态。内容回顾32. PN结外加反向电压内容回顾5二极管的伏安特性开启电

2、压：使二极管开始导通的临界电压Si : 0.5VGe : 0.1V导通压降：Si : 0.60.8V 一般取0.7VGe : 0.10.3V 一般取0.2V内容回顾AK4二极管的伏安特性开启电压：使二极管开始导通的临界电压Si 写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD0.7V。 1）假设二极管截止，计算uA、uK。2）若uA-uK0.7V,则二极管导通，UD=0.7V。步骤：5 写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电 例 写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD0.7V。 Uo1= 1.3V ; Uo2= 0V; Uo3= -1.3V; Uo4= 2V; U

3、o5= 1.3V; Uo6= -2V6 例 写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压1.2.5 稳压二极管 稳压二极管的伏安特性主要参数：稳定电压UZ稳定电流IZ额定功耗PZM动态电阻rz=UZ / IZ温度系数= UZ /T稳压区：IZIDZIZM71.2.5 稳压二极管 稳压二极管的伏安特性主要参数：稳压稳压管电路 8稳压管电路 10例 已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。1）假设稳压管在稳压区，求其电流IDz2）若IDz在IZ和IZM之间，则假设正确，Uo=Uz, 若IDz小于IZ ，则稳压管未击穿，Uo按R和RL分

4、压计算， 若IDz大于IZM ，则稳压管过流烧毁。 步骤：9例 已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmin例 已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。解：UO16V，UO25V。10例 已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmin 解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。例 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为UZ1=6V和UZ2=8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多

5、少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？11 解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V1.3 晶体三极管晶体三极管又称双极型晶体管，半导体三极管等。121.3 晶体三极管晶体三极管又称双极型晶体管，半导体三极管1.3.1 晶体管的结构及类型 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构特点：基区很薄且杂质浓度很低；发射区掺杂浓度高；集电区面积很大。131.3.1 晶体管的结构及类型 根据不同的掺1.3.2 晶体管的电流放大作用 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 晶体管的放大作用

6、表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。输入回路输出回路共射放大电路141.3.2 晶体管的电流放大作用 晶体管工一、晶体管内部载流子的运动1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC15一、晶体管内部载流子的运动1. 发射结加正向电压，扩散运动形二、晶体管的电流分配关系16二、晶体管的电流分配关系18三、晶体管的共射电流放大系数共射直流电流放大系数一般情况下，IBICBO,117三、晶体管的共射电流放大系数共射直流电流放大系数一般情况下，共射交流电流放大系数在近似分析中,不对二者加以区分18共射交流电流放大系数在近似