升级到22nm Intel新晶圆厂破例参观

1、升级到22nmIntel新晶圆厂破例参观Intel公司今天宣布，将在美国境内投资60到80亿美元，升级半导体制造技术，并在俄勒冈州兴建一座新的晶圆厂。根据该计划，Intel将在美国俄勒冈州建立名为FabD1X的新晶圆厂，预计该厂将于2013年投入研发工作，具体投产日期还未确定。同时，Intel位于美国亚利桑那州的Fab12、Fab32,以及位于俄勒冈州的FabD1C和FabD1D也将借助这笔投资，升级到22nm制程工艺。预计该项投资将能够制造6000到8000个建筑工业岗位，并在完成后再制造800到1000个永久性高技术工作岗位。Intel表示，目前公司制造处理器的速度相当于每秒钟100亿个晶

2、体管。但相比PC行业今年达到的每天100万台的销售速度，其产能仍然无法满足需求，因此需要进一步的投资来升级技术，扩充产能。据称，新的FabD1X未来将有能力升级制造450mm晶圆，相比目前最大的300mm晶圆进一步提高产量降低成本。不过，该升级计划目前还没有具体时间表。根据Intel的“Tick-Tock”技术升级路线图，下一个“Tick”将是代号为IvyBridge的22nm工艺产品。预计该系列处理器将于2011年下半年投产，2012年初零售上市，此次四座工厂的制程升级很可能就是为这次换代做准备。FabD1X设计图，位于美国俄勒冈州Hillsboro，IntelRonlerAcres园区My

3、Drivers,com呃动之家MyDrivers.c.qm呃动之家FabD1C，位于美国俄勒冈州HillsboroFabDID，位于美国俄勒冈州HillsboroFab32，位于美国亚利桑那州ChandlerWorldwideManufacturingNetwork/严亠.喉y;一IrelandFab24,IFOIntel、美光合资闪存制造企业IMFlashTechnologies,LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外，他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。位于雪山脚下的IMFT工厂工厂结构，制造半导体

4、产品最关键的无尘室位于第三层，加压吊顶形成由上向下的气流，设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。进入无尘室之前的“打包”过程。（由于无尘室内部的严格要求，实际上以下内部照片均来自IMFT官方）00;ii*alI/*晶圆厂内走廊，顶端的自动运输系统（AMHS）正在以每小时13公里的速度将晶圆在各个制造环节间运输，24小时不停歇。每个运载器都打在了一个F0UP（前端开口片盒），其中可装载最多25片300mm晶圆。厂内地面全部打孔，保证空气从上向下流通，将落尘可能减到最小。FOUP片盒挂接在一个制造阶段设备上，后面的那个正在被AMHS吊起。几乎所有制造过程均为自动完成，因此厂内大部分工人的工

5、作就是保证这些设备正常运行。化学机械抛光（CMP）车间照明受限的光刻车间一块光刻掩膜，光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。光刻过程中的“校准”实时缺陷监测（RDA）FOUP片盒中的300mm晶圆PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆，总容量超过2TB。MyD韭动家M/Drivers,com驼动之家MyDrivers.corn驼动之家300mm晶圆每片闪存颗粒die容量为8GB（每格2GB），面积167平方毫米。Intel副总裁，NAND闪存业务总经理TomRampone手持25nm颗粒尺寸对比从左到右分别是：2003年130nm工艺128MB,2005年90nm工艺512MB,2007年50nm工艺1GB,2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。使用2