华东交通大学本科毕业设计论文格式要求

1、华东交通大学本科毕业设计（论 文）格式要求liiJ本科毕业设计（论文）格式模板矗教I辱私知.East China Jiaotong Universityj题 目:学 院:专业班级:学生姓名:指导教师:本彩页封而仅为电子稿样本，文本装订时 请以班为单位到学院办公室领取纸质封面 及资料袋后再装订毕业设计（论文）诚信声明本人郑重声明：所呈交的毕业设计（论文）是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究 成果。就我所知，除了文中特别加以标注和致谢的 地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研 究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育 机构的学位或证书所使用过的材料。如在文中涉及抄袭或剽窃行为，

2、本人愿承担由此而造成的一切后果及责任。本人签名导师签名华东交通大学毕业设计任务书姓名学号毕业届别专业毕业设计（论文）题目指导教师学 历职 称具体要求：进度安排:指导教师签字：年 月曰教研室意见：教研室主任签字：年 月 日题目发出日期设计（论 文）起止时 间附注：课题名称课题来源课题类型导师学生姓名学号专业开题报告内容：方法及预期目的：指导教师签名：日期：课题类型：（1） A工程设计；B技术开发；C软件工程；D理论研究；(2) X真实课题；Y模拟课题；Z虚拟课题(1)、(2)均要填，如AY、BX等。华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(1) %和T0的值样品 类型实验 方法带隙温度系数dEg/dT

3、(eV/K)T=300Eg0(e V)ac(eV/K)T 0(K)参考文献华东交通大学毕业设计（论文）KGaN/Al2O3光致 发光5.32x10-43.5035.08X10-4-99 661GaN/Al2O3光致 发光3.4897.32X10-470059GaN/Al2O3光致发光4.0 x10-4-7.2x10-4600KAKA62GaN/Al2O3光吸 收4.5x10-43.471-9.3x10-477263偶数页书写“学生姓名：毕业（论文）论文的题目”，用宋体小五号书写，居中加热电阻气流测温元件测温元件图1-1热风速计原理图标题置于图的下方，中文宋体，英文TimesNew Roman，

4、五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文 Times New Roman，五号。偶数页书写“学生姓名：毕业（论文）论文的题目”，用宋体小五号书写，居中华东交通大学毕业设计（论文）第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺2.1 MOCVD材料生长机理地 址 发 生 器频 率 控制 器D / A 转 换 器波形存E器控制频 率 信 号 源华东交通大学毕业设计（论文）频率设置波形数据设置图2-1 DDS方式AWG的工作流程235Candy J C. A use of double-integretion in siggma-delta modulationJ . IE

5、EE参考文1 Well . Multiple-modulator fraction-n dividerP . US Patent , 5038117. 1986-02-02Brian Miller. A multiple modulator fractionldividerJ. IEEE Transaction on instrumentation and Measurement, 1991万心平，张厥盛.集成锁相环路参文献原理用特号宋体羸英MT呷曝:Ro哭民林 电出版社，1990. 302-307.4 Miler. Frequency synthesizersP. US Patent, 46

6、09881. 1991-08-06.Trans Commun, 1985, 33（COM）： 249-258.6 丁孝永.调制式小数分频锁相研究D.北京：航天部第二研究院，1997.常见参考文献格式：科技书籍和专著：编著者.译者.书名M（文集用C）.版本.出版地：出版者， 出版年.页码.科技论文：作者.篇名J.刊名，出版年，卷号（期号）：页码.作者.篇名.xx单位博（硕）论文，年.参考文献必须标明文献类型标志：普通图书M；会议录C；汇编G；报纸N；期刊J； 学位论文D；报告日；标准，；专利P；数据库DB；计算机程序CP；电子公告EB。 电子文献载体类型标志：磁带MT；磁盘DK；光盘CD；联机网

7、络OL。张三：III-V族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究标题：宋体，4号，居中。内容：宋体，5号，两边对齐。致谢mpany in Japan first realized the e LED in 1994.its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6x2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained

8、 by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this the

9、sis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield Xminof GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1 nA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was