场效应管N沟道和P沟道判断方法

1、1场效应管N沟道和P沟道判断方法（1）场效应管的极性判断，管型判断（如图）G极与D极和S极正反向均为R（2）场效应管的好坏判断把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。不符合以上规律的场效应管均为坏管。场效应管的代换原则（注：只适合主板上场效应管的代换）一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大

2、小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。chinafix.ixmcnI等效d中a场效应管一般规律如图1飞00左右为1T沟道P沟道500左右为F沟通G极与D极和嚴正反向均対-如果要问更简单的测试方法，就是：找一块有R*10K挡的指针表，将表打在R*10K挡，把管子放在绝缘好的板上，（因为场效应管的输入阻抗非常高），如万用表的玻璃上，先用镊子短路一下管脚，用黑笔定住D极，红笔定住S极，用一个手指摸G极，另一手指摸黑笔，这时候表针大幅度偏转，摸着G极的手指不放，摸着黑笔的手指放开黑笔，去摸红笔，这时表针反偏，再摸黑笔正偏，又摸红笔又反偏，正常的管子偏转脚度非常大，接近0欧姆，坏的管子不偏

3、转，（不包括击穿），性能变坏的偏转小。由于管子结构不同，在正偏时手指放开黑笔后表针反不反偏都为正常。（就是有的还是保持在0欧姆左右，有的手指放开黑表笔后表针就回到无穷大）。原理就是给控制栅极（G）加个高或低的电位，使其导通或截止。部分供电MOS管电压计算方法电路如图，这里常见MOS的S极输出电压计算与输入电压没有关系，和431上端的电阻也无关系，与图中的VCC也无关系（R1/R2的VCC有效，除外）Vout=VrefX（Ra+Rb）/Ra而Vref仅由R1、R2决定R1R2RaRb四个电阻的人为修改，均可直接改变MOS输出电压其实11171084等器件内部也就是这样的(II)(II)vccvc

4、cmosfetR1R2431VrefVCC-INin.358J/2(II)(II)新手知识：MOS管原理双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET）,把输入电压的变化转化为输出电流的变化。JET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来

5、作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。首先考察一个更简单的器件一MOS电容一能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsicsilicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开（图1.22A）。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gatedielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS电容的电特性能通过把backgate接地，ga

6、te接不同的电压来说明。图1.22A中的MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORKFUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。图示的器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。图1.22B中是当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATEDIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况

7、。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成(II)channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。Gate(OV)Gate(3V)Ga(II)图1.22MOS电容：（A）B未偏置（VBG0V），（B）反转（VBG民3Vkg（O积累）（VBGBad=-3v）。（A）（B）图1.22C中是当MOS电容的GATE相对于ba

8、ckgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。MOS电容的特性能被用来形成MOS管。图1.23A是最终器件的截面图。Gate,电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果G

9、ATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channelo这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate对source电压V超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。NM):.NMOS(A)和PMOS(B)。在图中，S=Source，G=Gat&D=Drain。PkgntrMOSFET晶体管的截面图(II)虽然backgate图上也有，但没有说明MOS管的source和,draih是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使

10、两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对soure和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain,另一个被优化作为source。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。5i8m$K;H)N+y$T图1.23A中的晶体管有N型channel所有它称为N-channelMOS管，或NMOS。P-channelMOS(PMOS)管也存在。图1.23B中就是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果GATE相对于BA