6-1602带闹钟万年历8芯片字符手册

1、目录一字符型模块的性能1二基本原理23三技术参数4四时序特性五引脚、指功能5六使用实例6七使用注意事项71字符型模块的性能重量轻：100g；体积小：=2.02.5deg对比度K?2=20o =0o8.0上升时间tr?=20o100150ms下降时间td?=20o150200ms名 称符 号测试条件标 准 值单 位MAXMYPE输入高电压VIH-2.2VDDV输入低电压VIL-0.30.6V输出高电压VOHIOH=0.2mA2.4-V输出低电压VOLIOL=1.2mA-0.4V工作电流IDDVDD=5.0V2.02.4MA液晶驱动电压VDD-VEET.=0oC4.9VT.25oC4.7T.50o

2、C4.5时序特性读写时序TIMING GHART6Ltem（项目）Symbol（符号）Masuring Condition测试条件（标准值）Standard ValueUnitmin.typ.max.Enable Cycle Time（允许时间周期）TcycE5.la、b1000nSEnable Pulse Width，High Level(允许脉冲宽度、)PW cH450-nSEnable Rise and Decay Ttime（允许上升和下降时间）tErtEf-25nSAddress Setup Tine，Rs， R/W-E（地址建立时间）TAS140-nSData Delay Time

3、（数据延迟时间）tDDR-320nSData Setup Ttime（数据建立时间）195-nSData Hold Time（数据保持时间）TH10-nSData Hold TimetDHR20-nSAddreee Hold Time（地址保持时间）TAH10-nS VCC=5.0V5%、Ta=25o4.1 la WRITE OPERATION （写操作）5. lb READ OP ER ATION (读操作)4.2RESET 电路对电源的要求如电源不能满足 RESET 电路的要，需要用指令程序进行初始化。引脚、指令功能模块引脚功能7引脚号符号名称功能1Vss接地0V2VDD电路电源5V10%

4、3VEE液晶驱动电压见图 2符合测试条件MAX电源上升时间TRON5.20.110ms电源下降时间TOFF5.21.0-ms5.2 寄存器选择功能备注：忙标志为“1”时，表明正在进行操作，此时不以输入指令或数据，要等，操作结束时，忙标志“0”时。5.3 指令功格式：RSR/WDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0共 11种指令：清除、返回、输入方式设置、显示开关、控制、移位、功能设置、CGRAM 地址设置、DDRAM 地址设置、DDRAM 地址设置、读忙地址和地址、写数据到 CG/DDRAM、读数据由 CG/DDRAM。指令表8指令名称指 令 码RS R/W DB7 DB6 DB5

5、DB4 DB3 DB2 DB1说明执行周期FCP=250KH2清屏LLLLLLLLLH清除屏幕，置 AC 为零164ms返回LLLLLLLLH设 DDRAM 地址为零，显示回原位，DDRAMM 内容不变164ms输入方式设置LLLLLLLHI/D S设光标移动方向并指定整体显示是否移动40usRSR/W操作00指令寄存器(IR)写入01忙标志和地址计数器读出10数据寄存器(DR)写入11数据寄存器读出4RS寄存器选择信号H：数据寄存器 L：指令寄存器5R/W读/写信号H：读L：写6E片选信号下降沿触发714DE0DE7数据线数据传输字符库及对应关系显示位与 DD RAM 地址的对应关系9显示位

6、序号1234540DD RAM 地址（HEX）第一行000102030427显示开关控制LLLLLLLHD C B调整体显示开关（D），光标开关（C）及光标位的字符闪耀（B）40us移位LLLLLHS/C R/L移动光标或整体显示，同时不改变 DD RAM 内容40us功能设置LLLLHDLNF投接口数据位数（DL）显示行数（L）及字形（F）40usCG RAM 地址设置LLLHACG设 CG RAM 地址，设置后 DDRAM 数据被发送和接收40usDD RAM地址设置LLHADD设 DD RAM 地址，设置后 DD RAM 数据被发送和接收40us读忙信号（BF）及地址高数器LHBLAC读

7、忙信号位（BF）判断操作正在执行并读地址计数器内容0us写数据 CG/DDRAMHL写数据写数据到 CG 或 DD RAM40usTadd=6ns读 数 据 由CG/DD RAMHH读数据写数据到 CG 或 DD RAM40usTadd=6nsI/D 1：增量方式，0：减量方式 S1：移位 S/C1：显示移位，0：光标移位R/L1：右移，0：D L1：8 位，0：4 位 N1：2 行，0：1 行 F1：510。0：57DD RAM 显示数据 RAM CG RAM 字符生成 RAM AC：用于 DD 和 CG RAM地址的地址计数器执行周期随主频而改变例如：当 fcp 或 Fosc 为270KH

8、2 40us250/270BF 1：操作，0：接收指令RS ：寄存器选择R/W ：读/写=37us5.4.2 标准字符库表 2 所示是字符库的内容、字符码和字形的对应关系。例如“A”的字符码为 41（HEX），“B”的字符码这 42（HEX）。5.4.3 自编字库（CG RAM）字符码（DD RAM DATA）|CG RAM ADDREAADATA）之间关系如表 3 和表 4 年示。与自编字形（CG RAM10第二行404142434467备注：1 字符码的高 4 位为 0000 时它的低 3 位以应于第 18个（000111 ）自编字形；2 字形码的 02位对应于自编字形的列位置对应于 CG

9、RA DATA 的 04 CGRAM ADDRESS 的 02位；代表无效位；位，行位置对应于11DD RAM DATA CHARACTER CODESCG RAM ADDRESSCG RAM DATA CHARACTETERNS7 6 5 4 3 2 1 0MSBLSB5 4 3 2 1 0MSBLSB7 6 5 4 3 2 1 0MSBLSBDD RAM DATA CHARACTER CODESCG RAM ADDRESSCG RAM DATA CHARACTETERNS7 6 5 4 3 2 1 0MSBLSB5 4 3 2 1 0MSBLSB7 6 5 4 3 2 1 0MSBLSB5

10、.5初始化方法用户所编的显示程序，开始必须进行初始化，否则模块无法正常显示，下而介绍两种初始化方法：5.5.1利用复位电路进行初始化如果电路电源能满足图 5.2a 所示的条件的话，就可行初始化，下面指令是在初始化进程中执行的。（1）（2）清屏（DISPLAY CLEAR）；功能设置（FUNCTION SET） DL=1:8Bin 接口数据N=0:1 行显示；F=0:57dot 字形；显示开/关控制（Display ON/OFF Conrtol） D=0：显示关；C=0：光标关；B=0：消隐关输入方式设置（ENTRY MODE SET）I/D=1：（增量）；S=0：无移位；（3）（4）5.5.2

11、复位如果电路电源不能满足复位电路的要求的话，那么初始化就要用软来实现。过程如下：12八位接口初始化流程图等待1.1ms等待100ms检查忙标志或延时 40us检查忙标志或延时 40us功能设置检查忙标志或延时 40us关显示检查忙标志或延时 1.64ms清屏检查忙标志或延时 40 us设定输入方式6编程实例162 模块的使用为例13初始化结束RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0000000011/DSRS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0000000001RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB

12、2 DB1 DB00000001000RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0000000NFRS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 000011 RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0000011 RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0000011 VDD 上升到 4.5V 后等待 15ms电源开14步骤指令RS R/W DB7 6543210显示123456789ABCDE0操作1清屏0000000001清除屏幕置 AC 为零2功能设置000

13、01100 设置 8 位操作 2 行显示 57 点阵3显示开关控制0000001110-显示开关 光标开闪耀光4输入方式设置0000000110-设置开AC 为增时方式显示不移动5写数据到 CG/DD1001010100-写入“T”1001010100TM写入“M”6DD RAM 地址设置001000101009TM改变显示位置到第 1 行第 10 位（第一行地址由 00 到 27）7重复步骤 5TMTM8DD RAM 地址设置001100000040TMTM改变显示位置到第 2 行第 1 位（第一行地址由 40到 67）9重复步骤TMTM10输入方式设置0000000111TMTMTM设置AC 为增量方式 显示移位11写数据到 DD RAM1001010011MTMMS写入“S”请照指令表7使用注意事项不得弯曲金属框的定位销，否则会