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文档简介
1、第5章时变电磁场5.1 有一导体滑片在两根平行的轨道上滑动,整个装置位于正弦时变磁场 B = ez5cos s tmT之中,如题6.1图所示。滑片的位置由了 = 0-35(1 - cos s t)m确定,轨 道终端接有电阻R =。史。,试求电流i.解穿过导体回路abcda的磁通为中=BdS = e Be ad x ab = 5cos st x 0.2(0.7 - x)=cos st0.7 - 0.35(1-cos st) = 0.35cos st(1+cos st) 故感应电流为E.1 d中黄一 Rdt=-0.35s sin st(1+ 2cos st) - 1.75s sin st(1+ 2
2、cos st)mA R5.2 一根半径为a的长圆柱形介质棒放入均匀磁场B =七气中与z轴平行。设棒以角 速度们绕轴作等速旋转,求介质内的极化强度、体积内和表面上单位长度的极化电荷。解介质棒内距轴线距离为r处的感应电场为E = v x B = e rsx e B = e rs B 故介质棒内的极化强度为 r 0P = X 8 E = e(8 -1)8 rsB = e(88 )rsB e 0r r 00 r00极化电荷体密度为p =VP = - (rP) = - (- )r2BPr drr dr00= -2(8-8 知B极化电荷面密度为=(8 -8 )aBb = P - n = e (8-8 )r
3、sB - e 则介质体积内和表面上同单位长度的极化电荷分别为r=aiia题6.3图Q =兀 a 2 x 1xp =-2 兀 a 2(8-8 )s BQ = 2 兀 a x 1xb = 2兀 a 2(8-8 )s B5.3平行双线传输线与一矩形回路共面,如题6.3图所示。 设a = 0.2m、b = c = d = 0.1m、LOcosQ兀 xSt)A,求 回路中的感应电动势。解 由题给定的电流方向可知,双线中的电流产生的磁感应强度的方向,在回路中都是 垂直于纸面向内的。故回路中的感应电动势为E =- i BdS = -g8 dS +8 dsin dfdr L 左右式中故则左 2nr 右 2n(
4、b + c + d - r)dS =B dS =右“,虹讪= Eln(处) b 2k r 2k b5 虹adr = ln() d 2Ti(b + c + d - r)2兀bu ai, ,b + cineln(2n b=-ln(+-) 1 .0cos(2k x1071)Jq2 +加7i b dt4兀 x 10-7 x0.21 c .小 小、c ”=In 2sm(2ti x 107)x271 xlOvV71= 3.484sin(27ixl07)V有一个环形线圈,导线的长度为/,分别通过以直流电源供应电压u和时变电源 供应电压U (t)。讨论这两种情况下导线内的电场强度E。解 设导线材料的电导率为y
5、,横截面积为s,则导线的电阻为R = yS而环形线圈的电感为L,故电压方程为diU = Ri + L dr四=0当u=u时,电流i也为直流,dr o故U =Ri = JS =-J =IE o yS y此时导线内的切向电场为当U=U (t)时,由 ,故U (0 = Ri0) + L =刖 E(t)S + L (y E(t)S) dtdt=二丫印)S + 0S ysd(QdtdE (t) IE (t) U (t) +=dtl S l S求解此微分方程就可得到E (t)。5.5 一圆柱形电容器,内导体半径为a,外导体内半径为b,长为1。设外加电压为U0Sin山,试计算电容器极板间的总位移电流,证明它
6、等于电容器的传导电流。解 当外加电压的频率不是很高时,圆柱形电容器两极板间的电场分布与外加直流电压 时的电场分布可视为相同(准静态电场),即E _ e U sin t r r In (b a)故电容器两极板间的位移电流密度为j _ dD _ U cos t ddtrr In (b a)则i =J - dS =2汀1 飒oCOS e e rddzd d 0 0 r In (b a) r rs2双1_U cos t _ CU cos tln(b a)002双1C _式中,ln(b a)是长为1的圆柱形电容器的电容。流过电容器的传导电流为.-dU i _ C- _ CU cos t可见6.6由麦克斯
7、韦方程组出发,导出点电荷的电场强度公式和泊松方程。解 点电荷q产生的电场满足麦克斯韦方程Vx E _ 0 和 V D _p由由D _p得J V Ddi =J pdi11据散度定理,上式即为6 D dS _ qs 利用球对称性,得D J W故得点电荷的电场表示式E _ e r 4双 r 2由于Vx E _ 0,可取E = -V中,则得Vx D _ V E _ VW _ -V卸 _ p即得泊松方程5.7坐标中;解试将麦克斯方程的微分形式写成八个标量方程:(1)在直角坐标中;:3)在球坐标中。(1)在直角坐标中dH在圆柱(2)dH dT = Jx *dH dH _IT F = Jy +dH dHx
8、= J +dEdEdHdyydz=_Ux- dtdEdEdHdzdx=_Uy dtdEdEdHy dxx dy=_U云dBdBdB-=0 x +y+ z:dxdydzdD * dD * dD =dxdydz在圆柱坐标中1 dH _ _( r d dzdHdD = J FdH dHdD云一云=J+寸1 d 1 dH r d(rH) _r 布=JdD甘1 两 6EdHz = Ur r d dzdtdEdEdHr z = U -dzdrdt1 d ,1 dE (rE ) _-r = _p r dr r ddH云1 (rB ) +1+ 笠=0r dr r r ddz1 (rD ) +14 + 邑=P
9、r dr r r ddz(3)在球坐标系中dB 4 = 062Ey6z 2故得则由Vx E =6H-0 6t TOC o 1-5 h z 16 , E、泌 I 76DE 而(Sln 6 气)一才=Jr +云1 1 6H66Dr 和诙否(叫)=J+6t166H 6Dr 6(rH。)=匕+*1 6 , 八厂、6H(sin。E )-=_日37r sin。 6。46t11 6E66Hr so前一耳(吃)=或21 66E6H-(rE ) -r-=或一4 r 6r。6。6t1 6161元旬(r2B)+rsin。布(sin。B。)+志。641 616 .八 1 6D(r2D ) + -(sin。D ) +
10、一A = P r 2 6rrr sin。6。r sin。 64E = e 0.1sin10K x cos(伽 x1091 - B z)5.8 已知在空气中y,求H和p。提示:将E代入直角坐标中的波方程,可求得B。解 电场E应满足波动方程 将已知的E = eyEy代入方程,得62E +62E 62E06x 26z 2。0 6t 2式中6 2 Ey = -0.1(15 )2 sin10兀 x cos(6兀 x1091 - p z)6x 2=0.1sin10兀x-p2cos(6兀 x1091-pz)62E 6y = 0.1 sin10兀x-(6兀 x109)2cos(6兀 x1091-Pz)-(10
11、K )2 - P 2 + (6兀 x 109)2 = 0 p = 300 = 54.41rad/mdH11dE两云=* E = 一汇1 W + ,奇 00=一一!- -e 0.1。sin10兀 x sin(6兀 x1091 - P z)*0+ e 0.1x 10k cos10兀xcos(6兀 x1091-pz)z将上式对时间t积分,得e 0.1。sin10兀 x cos(6k x 1091 - P z* x 6k X109 x 0+ e k cos10k x sin(6K x1091 - P z)=-e 2.3 x 10-4 sin10k xcos(6k x 1091 - 54.41z)x-e
12、 .1.33 x 10-4 cos10K x sin(6K x1091 - 54.41z)A/m5.9已知自由空间中球面波的电场为EE = % 了 sm。cos伽-kr)求H和k。解 可以和前题一样将E代入波动方程来确定k,也可以直接由麦克斯韦方程求与E 相伴的磁场H。而此磁场又要产生与之相伴的电场,同样据麦克斯韦方程求得。将两个电场 比较,即可确定k的值。两种方法本质上是一样的。Vx E =dH一* -0 dtdHVx E =-e (rE )* r dro E sin 0 cos(t - kr)r 。 dr 0k=e E sin 0 sin(t - kr)将上式对时间t积分,得0dtkH =
13、 e E sin 0 cos(t - kr)0(1)将式(1)代入Vx H =dE 0 dtdE 1 v=Vx H dt o=e01r 2 sin 0 d0d ,八1 d ,八(r sin0H ) - e 0 亳(r sin0H )e cost- kr) -e 知E0sin0 sin(t - kr) r* r20 * r将上式对时间t积分,得1 E = - e80 1-2kEk2 E sin伽 一 kr) + e a 2 |u, r 20 2 |u, rsin 0 cos伽一kr)(2)将已知的E = e 0与式(2)比较,可得1含r2项的Er分量应略去,且k2 =叩080,即k =将k =%
14、不代入式(2,得H = e、4z E sin 0 cos(t - kr)日r o8 E .eo sin 0 cos(t 一 kr)A日 r=e45.10试推导在线性、无损耗、各向同性的非均匀媒质中用E和B表示麦克斯韦方程。 解 注意到非均匀媒质的参数此8是空间坐标的函数,因此Vx H = Vx (B) = VG1) x B + - Vx B旦 旦 旦 TOC o 1-5 h z Vx B + - Vx B 旦2旦dDd (8 E)dEJ + =J + _- = J + 8 dtdtdt因此,麦克斯韦第一方程Vx H = J + 竺dt变为Vx B = |LXJ + |LX8+ V|LX x B
15、dt日V- D = V- (8E) = E -V8+8V- E = p故麦克斯韦第四方程V- D = p变为V- E = P-1V8-E 88则在非均匀媒质中,用E和B表示的麦克斯韦方程组为dE 1 _Vx B JAJ + |H + Vja x B dt AVxE-主 dtV-B 05.11写出在空气和日=8的理想磁介质之间分界面上的边界条件。解空气和理想导体分界面的边界条 件为n x E 0n x H Js _ .根据电磁对偶原理,米用以下对偶形式E H, H t-E , J J 即可得到空气和理想磁介质分界面上的边界 条件n x H 0n x E J-ms 式中,Jms为表面磁流密度。5.
16、12提出推导nxHi = J5的详细步骤。解 Ja题6.12图所示,三第2区为理想导体(2= 8)。在分界面上取闭合路径 abcda, ab = Cd = Albc = da = Ah T 0。对该闭合路径应用麦克斯韦第一方程可得i H - dl = b H - dl + H - dl +Jd H - dl + H - dlabcd(1)就 H -A l H 2 -A l = limj J - dS + D - dS)dD因为dt为有限值,Aht0 s故上式中lim- dS 0Ah t0 dt而(1)式中的另一项Slim j J - dSAhT0 S为闭合路径所包围的传导电流。取N为闭合路径所
17、围面积的单位矢量(其指向与闭合路径的绕行方向成右手螺旋关系),则有lim j J - dS = J - NAAh t0sSAZ (N x n)Al故式(1)可表示为(2)(H H2) - (N xn)Al J - NAl应用矢量运算公式A (B x C) = (C x A) B,式(2)变为 nx(H1 H ) N = J N 故得12(3)由于理想导体的电导率率 2=8,故必有E2 =0,H 2 = 0,故式(3)变为n x H = J15.13在由理想导电壁(=8)限定的区域0 x a内存在一个由以下各式表示的电 磁场:a 冗xE = H 呻(一)sin()sin( kz -t)H = H
18、 k(a)sin(一)sin(kz一t)x 0 一 aw* ,一 x、,、H = H cos()cos(kz 一t)xI1ao题6.13图这个电磁场满足的边界条件如何?导电壁上的电流密度 的值如何?解如题6.13图所示,应用理想导体的边界条件可以得 出在 x=0 处,Ey=,HX = 0H = H cos(kz e t)在 x=a 处,EZH0H = H cos(kz et) 上述结果表明,在理想导体的表面,不存在电场的切向 分量E和磁场的法向分量H。另外卜,在x=0的表面上:电流密度为J = n x HI = e x (e H + e H )1 sx=0 x x x z z x=0=e x
19、e H = e H cos(kze t)在x=a的表面上,电流密度则为x=0yJ = nxHI =e x(e H + e H )I sx=ax x x z z x=a=-e x e H |=-e H cos(kz -e t)5.14海水的电导率=4S/m,在频率f=1GHz时的相对介电常数e* 81。如果把海水视为等效的电介质,写出H的微分方程。对于良导体,例如铜,s = 1,y = 5.7 x 107 S/m r,比较在f=1GHz时的位移电流和传导电流的幅度。可以看出,即使在微波频率下,良导体中 的位移电流也是可以忽略的。写出H的微分方程。解对于海水,H的微分方程为Vx H = J + j
20、ED = y E + jESE = jE(& 一 j )E eS =Sj即把海水视为等效介电常数为c E的电介质。代入给定的参数,得L L c f 10-94Vx E = j2x 109 (81 x一 j)E362x109=j (4.5 - j 4) E = (4 + j 4.5) E对于铜,传导电流的幅度为为E 之比为2兀 f x x10-936 兀=9.75 x 10-13 f位移电流的幅度eE。故位移电流与传导电流的幅度82 f 8 8T= Y5.7 x10 7可见,即使在微波频率下,铜中的位移电流也是可以忽略不计的。故对于铜,H的微分方程 为Vx H =yE = 5.7x 107E5.
21、15计算题6.13中的能流密度矢量和平均能流密度矢量。解瞬时能流密度矢量为S = E x H = e E x (e H + e H ) = e E H e E Hy y x x z z x y z z y x=e H2 日sin(曾)cos(禁)sin( kz 一 t)cos( kz 一 t) x 0 兀 a a一 一.兀 x、. 一一 e H2呻k(一)2 sin2()sin2(kz t) TOC o 1-5 h z z 0 兀a一 1a /兀 x、/兀 x、=e 万H2日sin()cos()sin 2(kz t)1a x一 eH 2 日 k (一 )2 sin2()1-cos 2( kz
22、一 t)z 2 0 a为求平均能流密度矢量,先将电磁场各个分量写成复数形式E = H 岬(a)sin( x)ejkz+j2H = H k(a)sin(x)ejkz+御x 0 ax、, H = H cos()e-攸.故平均能流密度矢量为S = ReExH* = Ree E H一e E H*av 22 x y z z y xa . , x、, x、产 i=Ree H2 日一 sin()cos()ej 2 x 0 a aa x、1a x、- e H2 岬k()2 sin2()=-e 万 H 岬k()2 sin2 ()5.16写出存在电荷P和电流密度J的无损耗媒质中E和H的波动方程。解 存在外加源P和
23、,时,麦克斯韦方程组为Vx H = J + 8 竺dtVx E = f 竺(1)dt(2)V- H = 0(3)V- E = E(4)对式(1)两边取旋度,得d ,一 fVxVx H =Vx J + e (Vx E)而VxVx H =V(V-H)-V2H故d ,一 V(V- H) = V2H = Vx J + 8 (Vx E)(5)将式(2)和式(3)代入式(5),得a 2 hV2H - 3= -Vx Jat 2这就是H的波动方程,是二阶非齐次方程。同样,对式(2)两边取旋度,得aVxVx E = f (Vx H) ata V(V- E)-V2E = -|! 一(Vx H) at(6)将式(1
24、)和式(4)代入式(6),得a 2 eaJ1 勺V2E 一日8=日+ -Vpat2at e此即E满足的波动方程。对于正弦时变场,可采用复数形式的麦克斯韦方程表示Vx H = J + joeEVx E = - jop HV- H = 0V- E = Pe对式(7)两边取旋度,得VxVx H = Vx J + joe Vx E利用矢量恒等式VxVx H =-V(V-H)-V2H得V (V- H )-V 2 H = Vx J + joe Vx E将式(8)和式(9)代入式(11),得V2H + o2 peH = -Vx J此即H满足的微分方程,称为非齐次亥姆霍兹方程。同样,对式( 8)两边取旋度,得
25、VxVx E = - jopVx H(7)(8)(9)(10)(11)V(V-E)-V2H = - jop Vx H(12)将式(7)和式(10)代入式(12),得1 -V 2 E + 2 M E =爬叮 + -Vp此即E满足的微分方程,亦称非齐次亥姆霍兹方程。5.17在应用电磁位时,如果不采用洛伦兹条件,而采用所谓的库仑规范,令V,A = , 试导出A和中所满足的微分方程。解将电磁矢量位A的关系式B = Vx A和电磁标量位中的关系式E =斗一告代入麦克斯韦第一方程dDVx H = J + - dt得利用矢量恒等式得又由得即1湖Vx H = -Vx (Vx A) = J + 8 石a=J +
26、 8 一atVxVx A = V(V A)-V2AV(V A) V2A= -J + -8 (-V中竺) atatV,D = pV,E = V,(-W-竺)=pat 8V2 + (V,A) = -Pat8(1)按库仑规范,令V,A = 0,将其代入式(1)和式(2)得V 2 A *竽= -J + -8V(岑)pV 2中=-二8式(3)和式(4)就是采用库仑规范时,电磁场A和中所满足的微分方程。(2)(3)(4)5.18设电场强度和磁场强度分别为E = E cos(t+W )H = H cos(t +W )证明其坡印廷矢量的平均值为0c 1 /、S = 2 E X H cos(v -v )解坡印廷矢量的瞬时值为S = E x H = E cos(wt +v ) x H cos(t +v )=2 E x H cos(t +v +t +v ) + coswt +v -t v =2 E x H cos(2t +v +V ) + cos(v W )故平均坡印廷矢量为S = 1 j T Sdt=1 j T-E x H cos(2t +v +V ) + cos(v V )d tT Q 200e me m=2
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