(优选)焊点切片分析详解.课件

1、焊点切片分析第1页，共19页。2切片分析切片目的：电子元器件表面及内部缺陷检查及SMT制程不良分析主要为BGA焊点失效分析；镀层厚度测量；PCB及元器件异常状况分析适用范围 : 适用于电子元器件结构剖析,PCBA焊接缺陷,焊点上锡形态及缺陷检测等 实验原理： 切片分析实验是将检验样本表面经研磨抛光（或化学抛光、 电化学抛光）至一定的光滑要求后,已特定的腐蚀液予以腐蚀,用各相或同一相中方向不同對腐蝕程度的不同 (anisotropy) 而表現出各相之特徵,並利用顯微鏡放大倍率觀察判斷。使用仪器：精密切割机,研磨及抛光机,金相显微镜，真空包埋机材料：环氧树脂，砂纸，切削液，脱模剂，抛光液，抛光布，

2、蚀刻液（氨水双氧水5%-10%），镶埋盒，量杯，玻璃棒规范：IPC-TM-650 2.1.1第2页，共19页。3切片分析-实验设备设备名称：切割机用途目的：切割材料成适当大小试片，以便后续镶埋。原理：利用砂轮锯片或砖石锯片高速旋转，将样本切割。设备名称：真空包埋机用途目的：灌胶后在真空環境下去除镶埋磨具中的空氣原理：电机将密封的包埋机种中的空气抽出。第3页，共19页。4切片分析-实验设备设备名称：金相显微镜用途目的：材料或產品表面品質觀察或切片焊點失效分析，並能實現微小尺寸的軟體測量原理:金像顯微鏡光源發出的光線經物鏡照射于金像試樣表面，取決於表面顯微組織特徵而形成的強弱不同的反射光線再經物鏡

3、以及目鏡放大後進入觀察孔，觀察者可由觀察孔看到放大後的反映組織形態的圖像，或經轉換後成像於顯示器上。 设备名称：研磨抛光机用途目的：研磨以及拋光試樣表面，為金像觀察以及攝像前處理工作。原理: 利用砂紙上之砂粒或拋光液中之拋光粉與試片表面的物理摩擦作用，對試片表面進行研磨或拋光處理第4页，共19页。5切片基本信息水平切片位置示意图水平切片照片切片分为:垂直切片和水平切片垂直切片水平切片第5页，共19页。6垂直切片位置示意图切片基本信息垂直切片检验项目: 1. PCB结构缺陷：PCB分层，孔铜断裂等 2. 产品结构剖析,电容与PCB铜箔层数解析,LED结构剖析,电镀工艺分析,材料 内部结构缺陷等；

4、 3. 微小尺寸量测（一般大于1um）：气孔大小,上锡高度,铜箔厚度等 水平切片检验项目: 1.BGA空焊，虚焊，孔洞，桥接，上锡面积等 第6页，共19页。7怎样切片根据送检人员要求取样，对待检样品外观进行观察并拍照 对需切片分析的部位在精密切割进行切割，切割speed一般设置为275rpm 将固化好的切片试样由磨具内取出,按照专用研磨砂纸目数又小到大的顺序进行粗磨和细磨用抛光液和抛光布对待检表面进行抛光处理按标准配置腐蚀液进行显微观察拍照，先使用小倍率放大倍数在使用大倍率观察.切片流程:取樣切割冷埋研磨拋光微腐蝕观察固化剂与促进剂以合适的比例倒入纸杯中.用玻璃棒搅拌均匀慢慢倒入模內,将灌好的

5、放入真空泵中抽真空,以赶走试样中的气泡第7页，共19页。8怎样切片切片过程中的注意事项：灌胶： 1.灌胶前保证样品的清洁防止灌胶后产生气泡.方法是用棉棒蘸丙酮进行 擦拭清洁.或用超声波清洁 2.取一切片專用模具,塗抹脫模劑,並且將試樣豎直於模內（可使用固定夾 具）,需將待檢樣品底部水平放置 3.调配树脂胶混合时将促进剂和树脂充分搅拌均匀. 3.适当提高固化剂的体积含量及适当提高环境温度(比如烘烤),能够缩短 固化时间 4.倒入到模具中时 使用玻璃棒引流,防止产生气泡. 5.将试样放入真空泵中以达到彻底灌封 6.待树脂在模具内完全固化，此过程中有热量产生 灌胶品质要求： 1.灌封材料与样品间无间

6、隙 2.灌封材料无气泡 3.灌封材料灌满PTH孔第8页，共19页。9怎样切片切片过程中的注意事项：研磨： 1.手持样品切片时,千万不可用力,否则就会偏离平衡.轻轻拿,慢慢放,稳稳 找(平 ) 2.用180号砂纸粗磨刚脱模样品,接近PTH孔壁边.注意：大量水洗，以防止烧焦对样品破坏，并冲走磨碎. 3.依次用,800,1200,2400,4000号砂纸精细研磨样品,最后磨到PTH孔中心, 磨时用大量水洗.在精细研磨中,磨盘转速度为200到300转每分钟.在两 相邻的研磨,旋转样品90,研磨时间为磨掉前道研磨的磨痕的时间的2到 3倍.在换砂纸间检查样品,可确认磨痕是否磨掉.研磨平面在同一水平面 上很

7、重要 3.用流水冲洗后,用过滤空气吹. 4.研磨过程效率不宜过快,效率越快单位切削越强,样品标本的形变也 就 越大,导致后续细磨和抛光过程中,消除形变的时间越久. 第9页，共19页。10怎样切片切片过程中的注意事项：抛光： 1.抛光的主要作用是消除细磨过程中的形变.应当依次对每个方向都均匀 进行抛光,以消除各个方向在细磨过程中所残余的形变. 2.抛光布：软、织布或中绒毛布， 抛光液：1到01微米钻石抛光剂、005微米氧化铝或其它氧化物。 时间： 抛光剂为氧化物或二氧化硅时，抛光时间10到20秒； 当使用钻石抛光剂和软织布时，抛光需要几分钟(见 转速： 使用的抛光速度为100到1 50转每分钟。

8、抛光后效果： 1没有大于被最后的抛光膏引起的磨痕。 2没有铜渣镀到PTH或基材中。 3切片平面在孔中心。如果研磨不够，那幺要求再研磨和重新抛第10页，共19页。11怎样切片切片过程中的注意事项：微蚀液： 25毫升35体积比的双氧水 25毫升氨水(2530) 1.使用合适的微蚀液擦切片样品 2. 时间为2到3秒注意：过蚀将造成铜箔和电铜分界线模糊，使测量不准。 3.用流水或去离子水清洗，除去微蚀剂。 4.用溶剂洗后吹干。第11页，共19页。12切片观察结果铜箔IMC阻焊膜锡球垂直切片示意图IMC(Interllic compound)介面合金共化物:焊锡与被焊金属之间由于原子间的扩散作用.原子间

9、相互渗入.结合.在高温中快速形成一薄层类似“锡合金”化合物第12页，共19页。13切片观察结果IMC层基本特性：1.IMC在PCB高温焊接或锡铅重融时才会发生,其生长速度与温度成正比,常温下 较慢.直到全铅的阻绝层才会停止.2.IMC本身具有不良的脆性.影响焊点的机械强度及寿命,尤其是对抗疲劳强度影 响最为严重.熔点也较金属要高.3.由于焊锡在介面附近的锡原子会逐渐移走,而与被焊金属组成IMC,使得该处的 锡量减少.相对的使铅含量的比例增加,以致使焊点展性增大及固着强度降低,久 之会带来整个焊锡体的松弛4.一旦焊垫上原有的熔锡层或喷锡层与滴铜之间出现较厚间距过小的MIC层后， 对该焊垫以后再做焊垫有很大的妨碍; 也就是在粘锡性和焊锡性上都会出现劣 化的情形第13页，共19页。14切片观察结果-BGA良好的球形拒焊冷焊连锡气泡绿油起翘灌锡第14页，共19页。15切片观察结果-chip料水平切-OK垂直焊端-OK裂纹伤及电极垂直焊盘-OK电阻-NG电容-NG第15页，共19页。16切片观察结果-ESDEOS彷真人体带 8000V静电放电 放电 3次放大 3000倍第16页，共19页。17P