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文档简介

1、原材料检测：目的：通过设备对原材料（硅片）的外观及电性能参数进行筛选，对合格与等外片进行 分类。硅片制绒和清洗硅片表面处理的目的：去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质形成起伏不平的金字塔绒面，增加硅片对太阳光的吸收总结：在硅片形成金字塔，使硅片在有效的面积最大化，利用陷光原理减少光的 反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。磷扩散目的：在硅片表面制造PN结制造一个PN结并不是把两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在一起就 能形成的。必须使一块完整的半导体品体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。扩散方法：（本公司目前采用的

2、是第一种方法）三氯氧磷（P0C13）液态源扩散喷涂磷酸水溶液后链式扩散丝网印刷磷浆料后链式扩散总结：扩散是太阳能电池制作的核心工序，主要是在硅片表面制造PN结；影响 扩散的主要因素有工艺卫生（小于万级）管内气体中杂质源的浓度、扩散温度、 扩散时间。等离子体刻蚀目的：去掉硅片周边多余的PN结防止上下短路去磷硅玻璃什么是磷硅玻璃？在扩散过程中发生的化学反应使硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称 之为磷硅玻璃。去除磷硅玻璃的目的：磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰 减。死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低 了短路电流Isc和开路电

3、压Voc。磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。总结：用高频辉光放电反应，使反应气体（四氟化碳+氧气）激活成活性离子、 原子、自由基，这些活性离子扩散到所需要刻蚀部位与那里的材料反应形成挥发 性物质被除去；在利用HF去除掉在扩散程中发生的化学反应使硅片表面形成一 层含有磷元素的SiO2。PECVD目的：在硅片表面镀减反射膜表面钝化作用（n+发射极）总结：利用SiH和NH化学气相沉积借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离， 在局部形成等离4子体，3而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积 出所期望的薄膜。丝网印刷.:目的：背电极印刷及烘干（材料：Ag /Al浆）背电场印刷及烘干（材料：

4、Al浆）正面电极印刷及烘干（材料：Ag浆）总结：在硅片的正反面分别印刷背电极 背电场和正电极图案烧结的目的：干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和短路电流，改善对红外 54线的响应。测试分选测试分选的目的：根据不同的电性能参数质量 外观颜色分档，以便于组件的 制造。太阳能电池名词解析光生伏特效应：吸收光子，产生电子空穴对电子孔穴对被内建电场分离，在PN结两端产生电势3.将PN结用导线连接,形 成电流。电性能测试条件：温度(T) 25 2 C 光强(E) 100050W/m?光谱分布:AM1.5太阳电池电性能参数:Isc :短路电流V

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