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文档简介

1、晶体缺陷-点缺陷实际晶体-由于原子的热运动并存在能量起伏, 原子排列不完整,偏离理想结构;晶体中一些微小区域原子排列的周期性受到破坏 -晶体缺陷 defects (Imperfections)晶体的形成条件;原子(离子、分子)的热运动;冷热加工过程;辐射、杂质等。晶体缺陷 :crystal defect晶体缺陷的产生原因:3*1. 晶体缺陷与扩散、相变、塑性变形、再结晶、 氧化、烧结等(工艺过程)有着密切关系。晶体缺陷对晶体性能的影响2. 对强度/塑性/韧性等力学性能, 电磁热光等结构敏感的物理性能,有很大的影响。缺陷 defects (Imperfections)在材料中的重要地位:材料性质

2、(能)propertyperformance的决定性因素。4*It is the defects that makes materials so interesting , just like the human being .Defects are at the heart of material science.按照缺陷区尺寸相对晶体的大小,晶体缺陷分为三类: 点缺陷Point defect线缺陷line defect面缺陷Planar defect体缺陷:三维尺寸较大, 如-空洞,气泡,沉淀相等。空间三维方向上的尺寸都很小, 约为几个原子间距,又称零维缺陷。点缺陷 Point defec

3、t包括:空位: vacancy间隙原子: interstitial atom置换原子: Displaced atom“尺寸很小”?:一般与原子间距同一数量级。(1)某一方向上尺寸与晶体或晶粒的线度相当, 而在其它方向上的尺寸可以忽略。线缺陷 line defect (位错dislocation)(2)线缺陷就是各种类型的位错(dislocation)。8*位错的高分辨图像9*(1)在共面的各方向上尺寸可与晶体或晶粒的线度相比拟,在穿过该面的任何方向上缺陷区的尺寸都远小于晶体或晶粒的线度。面缺陷 Planar defect表面surface、晶界grain boundary、亚晶界sub-gra

4、in boundary、孪晶界twin boundary、层错stacking fault相界phase boundary 等。非化学计量: TiO2-x11*第4章 晶体缺陷 Chapter 4 Crystal Defect4.1 点缺陷 (Point defect)4.1.1 点缺陷的类型4.1.2 点缺陷的浓度4.1.3 点缺陷对材料性能的影响4.2 线缺陷(Line defects)4.2.1 位错的类型4.2.2 柏氏矢量4.2.3 位错的运动4.2.4 位错的应力场 4.2.5 位错与晶体缺陷间的交互作用4.2.6 位错的增殖与塞4.2.7 实际晶体中的位错4.3 面缺陷 (Sur

5、face defects)4.3.1 晶体表面4.3.2 晶界结构与能量4.3.3 单相多晶体中的晶粒形貌4.3.4 晶界偏析与晶界迁移4.3.5 相界13*4.1 点缺陷一、点缺陷形成与种类: 空位、间隙原子、置换原子原子热震动能量起伏动态4.1 点缺陷一、点缺陷形成与种类: 空位、间隙原子、置换原子晶体中的点缺陷 空位; 间隙原子; 置换原子(一)空位的类型动态Frankel空位Schottky空位德国物理学家Walter H.Schottky苏联物理学家Yakov Frenkel(1)肖脱基缺陷(Schottky):原子迁移到外表面/晶界, (2)弗兰克空位(Frankel):原子挤入点

6、阵间隙。动态Franker空位形成等量空位和间隙Schottky空位只形成空位(一)空位的类型(二)离子晶体中的点缺陷保持电中性:(1)Schottky空位: 等量的正/负离子空位。(2) Franker空位:等量的正离子空位/间隙。Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Cl-Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+VClVNaSchottky空位(二)离子晶体中的点缺陷:Frankel空位:等量的正离子空位/间隙。Schottky空位: 等量的正/负离子 空位。离子晶体中的点缺陷

7、:间隙和置换原子不同价位离子置换?20*FeO中:Fe3+置换Fe2+;引发Fe2+空位高价正离子占据低价正离子(A3+ B2+):该位置带正电荷;为保持电中性,产生间隙负离子或正离子空位。(三)缺陷方程 (了解)21*低价正离子占据高价正离子(A+ B2+):该位置带负电荷;为保持电中性,产生间隙正离子或负离子空位。缺陷方程: (了解)22*MgO晶体内常含有FeO,Fe2+离子置换了Mg2+:缺陷方程:1个正电荷1个空位,2个负电荷2个负电荷间隙Ca2+,2个正电荷23*小 结:点缺陷类型 二、点缺陷的平衡浓度平衡浓度Ce : Ce=Aexp(EV/kT) EV:空位形成能。Ei:间隙原子

8、形成能空位和间隙哪个容易形成?空位平衡浓度远大于间隙原子的 平衡浓度。主要点缺陷为空位。三、点缺陷对材料性能的影响原因:点缺陷使附近的原子稍微偏离原结点位置才能 平衡,造成小区域的晶格畸变。 点缺陷不断运动,加快原子的扩散 迁移。 空位可作为原子运动的周转站。 2)形成其他晶体缺陷。 过饱和空位集中形成空洞,集中塌陷形成位错。 27*3)改变材料的力学性能。使强度提高,塑性下降。 一般情况下,点缺陷对金属力学性能影响较小, 通过和位错交互作用,阻碍位错运动使晶体强化。 在高能粒子辐射下,形成大量点缺陷, 引起晶体显著硬化和脆化。 4)提高材料的电阻。 电子在点缺陷处受到非平衡力,增加运动阻力.四、过饱和点缺陷晶体中点缺陷数大大超过平衡值。 过饱和空位的存在是一非平衡状态,热力学上:有恢复到平衡态的趋势;动力学上:需要一时间过程。(2)辐照法(3)塑性变形(1)淬火法: 高温下快冷到低温,空位来不及移出晶体。29*空位: vacancy间隙原子: interstitial atom置换原子: Displaced atom小结:点缺陷的种类及对材料性能的影响。30*空位的类型:(1)肖脱基缺陷(Schottky):原子迁移到外表面/晶界, 只形成空位而不形成等量的间隙原子。(2)弗兰克空位(Franker):同时形成等量空位和间隙。动态Fran

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