集成电路的基本介绍精选课件

1、简介1本课程性质和要求课程性质： 本课程是一门将半导体物理、微电子工艺、微电子器件原理、电子线路等相关知识集于一体的、将微观的器件设计、电路设计与宏观的外部应用特性以及加工工艺密切结合的综合性课程，它体现了所学知识的内在联系和综合运用，是专业主干课程，是考试课程。 2本课程性质和要求课程要求： 重点掌握集成电路的基本工作原理和设计技术。以基础为重点，以内在联系为引线，提高知识的综合运用能力。同时了解新技术的发展。成绩记载方式： 平时成绩占40%（包括出勤，课上提问，作业，阶段性测试），期末考试占60%3本课程平时成绩考核要求1、基本分为702、扣分情况：缺勤，迟到，作业不交，作业质量低，上课态

2、度不端正3、加分情况：全勤，上课认真，作业完成质量好4分立器件和分立器件构成的电路56集成电路的定义：将多个元器件（如晶体管、二极管、电阻等）集成在一块芯片上，并用互连线进行连接，得到能实现一定功能的电路。2019年9月7日 7概念解释3DK4管芯8J. Kilby 生于 1923年，1958年发明集成电路，2000年获Nobel奖，2019. 6. 20去世。R. Noyce，生于1927年。 Intel的创始人之一，1959年独立发明集成电路，1990年去世。集成电路诞生9一、集成电路发展历程 1952年 G.W.A.Dummer在华盛顿学会上提出了集成电路(ICIntegrated Ci

3、rcuit)的概念： 把多个器件及其间的连线以批加工方式同时制作在一个芯片上。10一、集成电路发展历程1958年 美国无线电公司Wallmark等人发表了PN结隔离(Isolation)的思想: 把多个器件制作在一个芯片上，器件之间必须实现电隔离，使每个器件相对独立。11一、集成电路发展历程 1959年 TI 公司研制出第一块集成电路（四个晶体管） 1963年 DTL、TTL、ECL、MOS、CMOS 集成电路相继出现1213一、集成电路发展历程 1965年 仙童半导体公司(Fairchild)戈登摩尔提出Moor 定律： 每一代（3年）硅芯片上的集成密度翻两番。 加工工艺的特征线宽每代以30

4、%的速度缩小。集成度:单个芯片上集成的器件数14一、集成电路发展历程 70年代末80年代初开始发展专用集成电路（ASIC Application Specific Integrated Circuit) 90年代中末期开始发展片上系统（ SoCSystem on Chip)15一、集成电路发展历程集成电路规模 SSI (Small Scale Integration) 10816一、集成电路发展历程特征线宽微米 Micrometer: 1.0um (1.0um 1.2um 1.5um 2um 3um 4um 5um)亚微米(SM - Sub-Micrometer): 0.8um 0.6um深亚

5、微米(DSM- Deep Sub-Micrometer): 0.5um 0.35um 0.25un超深亚微(VDSM-Very Deep Sub-Micrometer): 0.25um 0.18um 0.13um纳米：0.09um (90nm) 0.07um (70nm)17一、集成电路发展历程晶圆（Wafer)直径： 1.5吋(40mm) 2吋 (50mm) 3吋 (75mm) 4吋(100mm) 6吋(150mm) 8吋(200mm) 12吋(300mm) 16吋(400mm)1819二、集成电路的优点：1. 高集成度：简化电子线路，缩短电子产品的设计和组装周期，体积小，重量轻2. 高速度

6、：器件尺寸小、连线短、分布电容小等3. 高可靠：减少了外部接触点，不易受外界影响4.低成本：生产成本(制版、流片、 封装、测试等)； 印刷电路成本(接插件、装配、调试等)5. 低功耗：器件功率低、工作电压低20三、 应用领域 集成电路最初是作为超小型电路的一个分支而诞生的，是为了满足宇航设备及军用设备所追求的小型化和轻量化的目标。 由于其优点具有普遍性，应用领域逐渐扩大，乃至发展到各行各业的各个领域。21三、 应用领域图示家电 计算机 工业控制 交通 通信 网络 武器（电子社会）2223四、 集成电路的类别（一）按结构分双极型集成电路 器件为BJT，速度高、驱动能力强，但功耗大、集成度相对较低

7、MOS集成电路 器件为MOSFET，包括PMOS集成电路、NMOS集成电路和CMOS集成电路BiMOS集成电路 兼有两者优点，但制造工艺复杂，成本较高24四、 集成电路的类别（二）按功能分逻辑电路（Logic)，又称数字电路（Digital） 产品以CMOS型为主，尤其是规模大的电路模拟电路（Analog）原称线性电路（Linear） 产品以双极为主， CMOS是目前研究方向数模混合电路（Mixed） 产品以Bi-MOS居多，CMOS是目前研究方向25双极集成电路典型工艺流程P-Sub衬底准备（P型）光刻n+埋层区氧化n+埋层区注入清洁表面26P-Sub1.1.1 工艺流程（续1）生长n-外延

8、隔离氧化光刻p+隔离区p+隔离注入p+隔离推进N+N+N-N-271.1.1 工艺流程（续2）光刻硼扩散区P-SubN+N+N-N-P+P+P+硼扩散氧化281.1.1 工艺流程（续3）光刻磷扩散区磷扩散氧化P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP291.1.1 工艺流程（续5）光刻引线孔清洁表面P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP301.1.1 工艺流程（续6）蒸镀金属反刻金属P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP311.1.1 工艺流程（续7）钝化P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP光刻钝化窗口后工序321.1.2 光刻掩膜版汇总埋层隔离硼扩磷扩引线孔金属钝化331.1.

9、3 隔离的实现1.P+隔离扩散要扩穿外延层，与p型衬底连通。因此，将n型外延层分割成若干个“岛” 。2. P+隔离接电路最低电位，使“岛” 与“岛” 之间形成两个背靠背的反偏二极管。N+N+N-epiPN-epiPP-Sub(GND)P-Sub(GND)P-Sub(GND)BP-SubSiO2光刻胶N+埋层N-epiSiO2P+P+P+SiO2N-epiPPN+N+N+N+CECEBB钝化层341.1.4 外延层电极的引出 外延层参杂浓度较低，与金属相接处易形成整流接触（金属半导体势垒二极管）。因此，外延层引出电极处应增加浓扩散。BP-SubSiO2光刻胶N+埋层N-epiP+P+P+SiO2

10、N-epiPPN+N+N+钝化层N+CECEBB351.1.5 埋层的作用BP-SubSiO2光刻胶N+埋层N-epiP+P+P+SiO2N-epiPPN+N+N+钝化层N+CECEBB1.减小串联电阻（集成电路中的各个电极均从上表面引出，外延层电阻率较大。2.减小寄生pnp晶体管的影响（第二章介绍）36集成NPN晶体管的有源寄生效应 （1）NPN晶体管正向有源时P-SubN-epiP+P+PN+N+CEBE(N+)B(P)C(N)NPNS(P)PNPVBC0 VSC0 VSC0 寄生PNP晶体管正向有源导通，有电流流向衬底，影响NPN晶体管的正常工作。 38集成NPN晶体管的有源寄生效应 （3）减小有源寄生效应的措施P-SubN-epiP+P+PN+N+CEB增加n+埋层 掺金降低硼扩浓度39集成NPN晶体管的寄生效应重点寄生P