随机存取存储器（RAM）

1、 随机存取存储器（RAM）数字电子技术2022/7/272 随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器又叫随机读/写存储器，简称RAM，指的是可以从任意选定的单元读出数据，或将数据写入任意选定的存储单元。优点：读写方便，使用灵活。缺点：掉电丢失信息。分类： SRAM （静态随机存取存储器） DRAM （动态随机存取存储器）2022/7/2731. RAM的结构和读写原理 （1）RAM 的结构框图图8-1 RAM 的结构框图I/O端画双箭是因为数据即可由此端口读出，也可写入2022/7/274 存储矩阵 共有28（256）行24（16）列共212（4096）个信息单元（即字） 每个信息单元有k位二

2、进制数（1或0） 存储器中存储单元的数量称为存储容量（字数位数k）。 2022/7/275 地址译码器 行地址译码器：输入8位行地址码，输出256条行选择线（用x表示） 列地址译码器：输入4位列地址码，输出16条列选择线（用Y表示）2022/7/276 读写控制电路 当R/W =0时，进行写入(Write)数据操作。 当R/W =1时，进行读出(Read)数据操作。 2022/7/277图9-2 RAM存储矩阵的示意图 2564（256个字，每个字4位）RAM存储矩阵的示意图。如果X0Y01，则选中第一个信息单元的4个存储单元，可以对这4个存储单元进行读出或写入。 2022/7/278（2）R

3、AM 的读写原理 （以图91为例） 当CS=时，RAM被选中工作。 若 A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=000000000000 表示选中列地址为A11A10A9A8=0000、行地址为A7A6A5A4A3A2A1A0=00000000的存储单元。 此时只有X0和Y0为有效，则选中第一个信息单元的k个存储单元，可以对这k个存储单元进行读出或写入。 2022/7/279若此时R/W1，则执行读操作，将所选存储单元中的数据送到I/O端上。 若此时R/W=0时，进行写入数据操作。 当CS=1时，不能对RAM进行读写操作，所有端均为高阻态。 2022/7/2710 （3）RAM的

4、存储单元按工作原理分为： 静态存储单元：利用基本RS触发器存储信息。保存的信息不易丢失。 动态存储单元：利用MOS的栅极电容来存储信息。由于电容的容量很小，以及漏电流的存在，为了保持信息，必须定时给电容充电，通常称为刷新。 2022/7/27112. 静态读写存储器（SRAM）集成电路6264简介 采用CMOS工艺制成，存储容量为8K8位，典型存取时间为100ns、电源电压5V、工作电流40mA、维持电压为2V，维持电流为2A。 8K=213，有13条地址线A0A12； 每字有位，有条数据线I/O0I/O7； 图8-3 6264引脚图 四条控制线 2022/7/2712表9- 6264的工作方

5、式表 3.Intel2114A是1 K字4位SRAM，它是双列直插18脚封装器件，采用5V供电，与TTL电平完全兼容。 4.Intel 2116是16 K1位动态存储器（DRAM），是典型的单管动态存储芯片。它是双列直插16脚封装器件，采用+12V和 5V三组电源供电，其逻辑电平与TTL兼容。2022/7/27131. 存储器容量的扩展存储器的容量：字数位数 位扩展（即字长扩展）：将多片存储器经适当的连接，组成位数增多、字数不变的存储器。 方法：用同一地址信号控制 n个相同字数的RAM。2022/7/2714 例：将2561的RAM扩展为 2568的RAM。 将8块2561的RAM的所有地址线

6、和CS（片选线）分别对应并接在一起，而每一片的位输出作为整个RAM输出的一位。 2022/7/27152568RAM需2561RAM的芯片数为：图8-10 RAM位扩展 将2561的RAM扩展为2568的RAM2022/7/2716 字扩展 将多片存储器经适当的连接，组成字数更多，而位数不变的存储器。 例：由10248的 RAM扩展为40968的RAM。 共需四片10248的 RAM芯片。 10248的 RAM有10根地址输入线A9A0。 40968的RAM有12根地址输入线A11A0。选用2线-4线译码器，将输入接高位地址A11、A10，输出分别控制四片RAM的片选端。 2022/7/2717 图8-11 RAM字扩展 由10248的 RAM扩展为40968的RAM2022/7/2718 (3) 字位扩展 例：将10244的RAM扩展为20488 RAM。 位扩展需2片芯片，字扩展需2片芯片，共需4片芯片。字扩展只增加一条地址输入线A10，可用一反相器便能实现对两片RA