正电子技术在材料研究中的应用课件

1、正电子技术在材料研究中的应用正电子组姜小盼提纲正电子的基本知识正电子谱学的基本知识正电子组谱仪的基本情况正电子是人类发现的第一个反粒子1930年 赵忠尧发现硬伽玛射线在重金属中的反常吸收和特殊辐射1932年 安德逊在宇宙线中发现正电子1928年 Dirac预言正电子的存在1930年，中国物理学家赵忠尧在美国加州理工学院做研究生。他的博士论文的题目为“硬射线通过物质时的吸收系数”。在研究过程中，赵忠尧发现了射线通过重元素时的“反常吸收”现象，并发现强度各向同性、能量在0.5兆电子伏左右的射线辐射，他称之为“特殊辐射”。但当时赵忠尧不知道狄拉克预言正电子存在的理 论。 论文题目：硬射线的散射 19

2、30年5月美国国家科学院院报 1930年10月物理评论原高能物理研究所副所长赵忠尧院士正电子的发现(19021998)正电子的性质（1）基本物理性质寿命：在真空无电子环境，21021年正电子属轻子族，不直接参与强相互作用是费米子，遵守Fermi-Dirac统计正电子与电子的基本物理量对比e+e-静止质量9.11x10-28g9.11x10-28g自 旋1/21/2电 荷1.602 x10-19C-1.602 x10-19C磁 矩9.28510-24 AM2 -9.28510-24 AM2（2）湮没特性正电子作为电子的反粒子，和电子相遇时发生湮没，将其全部质量转换成电磁辐射，这一现象被称为正电子

3、湮没（湮灭）现象。正电子的性质正电子作为电子的反粒子，和电子结合变成光子遵从爱因斯坦公式：E = mc2辐射的光子携带湮没电子的信息正电子湮没e+ + e- 2 E=0.511MeV 正电子湮没谱学利用正电子与电子发生湮没现象，以核谱学方法分析材料微观结构的近代物理实验方法，是研究材料微观结构，特别是材料微观缺陷(如位错、空位、空位团、微空洞等)的特色方法，在固体物理、材料科学、物理冶金和化学等领域得到广泛应用。常用正电子源核素半衰期 能量(MeV) 分支比()伴随（MeV）22Na2.6年0.54891.27658Co71天0.48150.8164Cu12.8小时0.6519少量68Ge 6

4、8Ga279天1.8980少量正电子谱学方法正电子源正电子与物质的相互作用正电子的热化：高能量的正电子进入固体中，在极短的时间内(约几个ps)，正电子与晶格点阵发生一系列非弹性碰撞，能量迅速减至晶格热振动能量KBT，这个过程称为热化阶段。正电子在样品中的射程取决于这个阶段 扩散阶段：热化后的正电子在材料中扩散与电子、声子以及晶体缺陷等相互作用，最终与周围介质中的一个电子发生湮没 自由湮没和捕获态湮没：在正电子的扩散阶段，正电子可能是自由的，即自由湮没；也可能形成某种区域化的束缚态而停止扩散，即捕获态湮没 正电子谱学常规正电子湮没方法 基本测量技术（2湮没角关联、多普勒展宽、正电子湮没寿命）Si

5、ze of open volume + intensity 多参数测量技术（CDB,AMOC）Size of open volume + intensity + chemical species慢正电子束流（正电子束流能量可控，可应用于表面、界面） 湮没特性测量 Size of open volume + intensity + chemical species+ depth profile 正电子谱学技术 (TOF-Auger，Ps-TOF)慢正电子束流技术 利用正电子在一些特定材料表面的发射现象，得到能量约为 eV的低能正电子，并通过电磁场的聚焦和加速，获得单色、能量可调的正电子束流 慢正

6、电子束（低能正电子束）如何获得低能正电子正电子湮没谱学基本实验方法正电子湮没寿命正电子湮没角关联正电子湮没多普勒能谱Doppler展宽谱线形参数正电子谱学参数与缺陷性质的关系 正电子谱学新技术符合多普勒展宽测量技术AMOC测量技术Ps-TOF测量技术高性能符合多普勒测量系统HPGeHPGe定时虑波放大器恒比定时延时定时虑波放大器恒比定时时幅转换器单道分析器符合主放大器放大器单道分析器放大器主放大器单道分析器计算机多道ADCADCPURPURGate样品和Ge68恒比定时BaF2快符合BaF2时幅转换器ADC计算机多参数符合单元主放大器PMTHPGePMTADC线性门恒比定时恒比定时定时滤波放大

7、器源&样品符合计数率：70 cps/10Ci,寿命谱分辨率200ps,Doppler分辨率1.2 keV高性能AMOC测量系统ABC国际先进水平的测量系统正电子素飞行时间谱 正电子素飞行时间谱（Positronium Time of Flight Spectroscopy, Ps-TOF）是研究多孔材料的有效手段，相比于其它的材料测试方法，它在分析材料的开孔尺寸、方向以及连通性方面更有优势。目前世界上已建成Ps-TOF设备的单位有日本的KEK、东京大学、美国的Lawrence Livermore National Laboratory (LLNL)等机构。 电子偶素的猝灭 正电子素与周围介质发

8、生作用的结果会使其寿命大大缩短（主要针对o-Ps） ，这个寿命骤然缩短的过程叫做猝灭。主要的猝灭过程有四种：拾取（Pick-off）猝灭、磁猝灭、化学猝灭和正-仲转换猝灭。正电子素（ Positronium ）o-Ps在多孔薄膜中的发射能#1#2Initial energy a few eVPsSi#1#2PsPs-TOF谱与材料性质的关系 - detectorZShieldSamplePulsed e+ beamtStopStarte+o-Pso-Pso-Ps建立基于脉冲束的正电子偶素飞行时间(Ps-TOF)测量系统 o-PsPs-ToFPs-TOF谱仪的物理设计Positronium ti

9、me of flight spectroscopy (Ps-TOF) is an effective technique for porous material research 正电子素飞行时间谱装置示意图Ps-TOF装置参数设计 多孔二氧化硅Eo-Ps (eV)T (s)T (s)12.38d2.38d31.37d1.37dPs-TOF装置参数设计 编写程序计算不同a(狭缝宽度)、b(狭缝高度)条件 下的时间展宽T，同时利用Geant4软件建模， 计算不同条件下，o-Ps在狭缝中轴线与束流传输 线交点处发生湮没产生的光子穿过狭缝的效 率。 R取30 mm，取a在1 mm-5 mm之间变化，

10、b在10 mm-100 mm之间变化 管道半径 R=30 mm 狭缝宽度 a=3 mm 狭缝高度 b=70 mmT=7.63 ns效率=0.318%闪烁体探测器的技术改进闪烁体探测器的技术改进闪烁体探测器的技术改进1）减小了光线的平均光程，将其有效信号比例提高了14.3%，峰值提高了 5.46%，提高了探测器的探测效率。2）减小了光线的光程差异，将其信号的半高全宽（FWHM）由2.44 ns缩减到 2.41 ns，十分之一高宽由5.98 ns缩减到了4.82 ns，提高了探测器的时间分 辨。3）节省了材料，降低了造价。Ps-TOF谱仪设计图正电子技术研究平台基于加速器慢正电子束流放射源慢正电

11、子束流多普勒展宽、 3能谱、正电子散射截面高分辨寿命谱仪AMOC测量系统符合多普勒系统正电子寿命谱仪多普勒、正电子寿命、CDB、AMOC、Ps-TOF常规正电子湮没谱学性能先进较完备的材料制备、样品处理实验室多参数测量基本测量测量方法和手段完善、齐全，性能指标一流，国内外为数不多Slow Positron Beam Based on 22Na基于正负电子对撞机的慢正电子强束流系统基于北京正负电子对撞机的慢正电子强束流 涉及的技术：微束团化、射频电路系统、探测系统国内最早实现慢正电子寿命测量的装置（德/日/美/中）慢束：16课题组，120样品，1200有效小时常规正电子谱学：21课题组，260样品，500有效小时正电子束流平台对外开放合作研究工作全年连续24小时运转，满足用户需要，性能稳定，指标先进2008年2009年主要用户单位：北京大学、中科院金属研究所、401所、中物院、清华大学、中科院兰州近物所、中科院理化所、中科院半导体所、北京航空航天大学、北京科技大学、浙江理工大学、天津大学、四川大学、浙江大学、浙江工业大学、哈尔滨工业大学、东北大学、华东理工大学、四川大学、浙江文理学院、江苏大学、中科院研究生院、山东大学，（约33个单位）等慢束：24课题组，92样品，1000有效小时常规正电子谱学：9课题组， 167样品, 400有效小时多参数测量：5课题组，40样品，1200