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导通吸收电路电力电子技术的基本概况 吸收电路 导通吸收电路 UdDfTI0DsRLsDLsLsDfTI0RLsDLsLs导通吸收电路与晶体管串联 导通吸收电路与续流二极管串联 吸收电路晶体管两端的电压在导通期间减少的幅值为：Ud小LsiCtrruce大LsuceucetriiC式中，tri为图中所示Ls取较小值时的电流上升时间。对于较小的Ls值，di/dt的大小取决于晶体管特性和基极驱动电流，与没有导通吸收电路的情况相同。 吸收电路Ud小LsiCtrruce大LsuceucetriiCLs值较大时电流上升率di/dt=Ud/Ls，晶体管两端的电压在电流上升期间基本为零： 式中，IF为二极管的前向电流，在晶体管导通期间，Ls中的电流为I0。 吸收电路晶体管关断时，储存在吸收电感中的能量Ls I02/2在吸收电阻RLs中耗散掉。吸收电路的时间常数tL=Ls /RLs。晶体管关断期间，导通吸收电路在晶体管两端产生的过电压为：DUCE.max=RLsI0晶体管关断期间，电感中的电流须衰减到一个较低的值，在晶体管下一次导通时吸收电路才能起到作用。因此，BJT关断的最小间隔时间应满足: 吸收电路LsCovCdDfTI0CsRsDsUndeland吸收电路包含了三种吸收电路，同时

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