项目4认识内存课件(PPT 50页)

1、项目四 认识内存4.1 内存的发展历程4.2 内存的结构与封装4.3 内存的分类4.4 内存的性能指标4.5 内存的技术规范4.6 内存的识别与选购.第1页，共50页。4.1 内存的发展历程SDRAM：称为同步内存（其输入输出信号与系统外频同步），有168线，用于Pentium I 、II和III时期，规范有：PC66 、PC100 、PC133 。Rambus DRAM： 有184线，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来被更高速度的DDR面前败下阵来 。DDR SDRAM：Dual Date Rate SDRAM， 工作速度是SDRAM的2倍，用于Pentium 4 机中。DDR2：

2、主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以 提供相当于DDR内存两倍的带宽。DDR3：可以看成是DDR2的延伸,主要提升了频率降低了能耗（1.5V）。.第2页，共50页。4.2 内存的结构与封装内存结构图2 金手指3 内存颗粒9 SPD芯片.第3页，共50页。4.2内存的结构与封装标注部件名称说明1PCB板 多为绿色，4层或6层的电路板，内部有金属布线，6层设计要比4层的电气性能好，性能更稳定，名牌内存多采用6层设计。2金手指 金黄色的触点，与主板连接的部分，数据通过“金手指”传输。金手指是铜质导线，易氧化，要定期清理表面的氧化物。3内存芯片 是内存的灵魂所在，决定着内存的性能、速度、容量等

3、，也叫内存颗粒。市场上内存种类很多，但内存颗粒的型号却并不多，常见的有samsung 、Hynix 、Micron 、ELPIDA 、Qimonda 、Nanya 等几种品牌。不同品牌的内存颗粒，速度、性能不尽相同。4内存颗粒位 预留的一片内存芯片位置，供其他采用这种封装模式的内存条使用。此处预留的是一个ECC校验模块位置。5电容 是PCB板上必不可少的电子元件之一。一般采用贴片式电容，可以提高内存条的稳定性，提高电气性能。6电阻 是PCB板上必不可少的电子元件之一，也采用贴片式设计。 7内存固定缺口 内存插到主板上后，主板内存插槽的两个夹子便扣入该缺口，可以固定内存条。8内存脚缺口 防止反插

4、，也可以区分以前的SDRAM内存条，以前的SDRAM内存有两个缺口。9SPD 是一个八脚的小芯片，实际上是一个EEPROM，可擦写存储器。有256字节的容量，每一位都代表特定的意思，包括内存的容量、组成结构、性能参数和厂家信息。.第4页，共50页。美国镁光韩国三星韩国海力士/现代日本尔必达德国奇梦达 南亚科技.第5页，共50页。4.2 内存的结构与封装 TSOP 在1980年代出现的TSOP封装（Thin Small Outline Package薄型小尺寸封装），由于更适合高频使用，以较强的可操作性和较高的可靠性征服了业界。TSOP的封装厚度只有SOJ的三分之一。TSOP内存封装的外形呈长方

5、形，且封装芯片的周围都有I/O引脚。例如SDRAM内存颗粒的两侧都有引脚，而SGRAM内存颗粒的四边都有引脚，所以体积相对较大。在TSOP封装方式中，内存颗粒是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热相对困难。.第6页，共50页。4.2 内存的结构与封装 BGA BGA为Ball-Gird-Array的英文缩写，即球栅阵列封装，它的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面。采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。 .第7页，共50页。4.2 内存

6、的结构与封装 mBGA mBGA（Micro Ball Grid Array微型球栅阵列封装）可以说是BGA的改进版，封装呈正方形，内存颗粒的实际占用面积比较小。由于采用这种封装方式内存颗粒的针脚都在芯片下部，连接短、电气性能好、也不易受干扰。这种封装技术会带来更好的散热及超频性能。.第8页，共50页。4.2 内存的结构与封装FBGA (CSP)Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列 ,通常称作CSP （Chip Scale Package芯片级封装）。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过11.14，接近11的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的

7、BGA的1/3，相当于TSOP内存颗粒面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的内存颗粒，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高3倍。而且，CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB板散热还可以从背面散热，且散热效率良好。 .第9页，共50页。4.2 内存的结构与封装 WLCSP WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package晶圆级芯片封装），这种技术不同于传统的先切割晶圆，再封装测试的做法，而是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割。WLCSP有着更明显的优势。首先是工艺工序大大优化，晶圆直接进入封装工序，而传统

8、工艺在封装之前还要对晶圆进行切割、分类。所有集成电路一次封装，刻印工作直接在晶圆上进行，设备测试一次完成，这在传统工艺中都是不可想象的。其次，生产周期和成本大幅下降，WLCSP的生产周期已经缩短到1天半。而且，新工艺带来优异的性能，采用WLCSP封装技术使芯片所需针脚数减少，提高了集成度。WLCSP带来的另一优点是电气性能的提升，引脚产生的电磁干扰几乎被消除。 .第10页，共50页。4.3内存的分类内存的类型内存与外存的区别 RAM：(Random Access Memory，随机存储器),又分为2类DRAM 和SRAM ，我们所说的内存条即属于DRAM，包括： SDRAM、 RDRAM 、

9、DDR 、 DDR2 、 DDR3 。 SRAM 用作Cache（高速缓冲存储器）。ROM：(Read Only Memory，只读存储器)。外存的表现形式有硬盘、软盘、光盘等。 与CPU交换数据方式容量价格存取速度内存直接交换小每存储单元价格高快外存间接交换大每存储单元价格低慢.第11页，共50页。 4.3内存的分类SDRAM： 168线Synchronous DRAM同步动态存储器RDRAM ：184线Rambus DRAM高频动态存储器。罕见。2个缺口2个缺口.第12页，共50页。4.3内存的分类DDR：184线DDR SDRAM： Double Data Rate SDRAM双倍速率同

10、步动态随机存储器。DDR2： 240线DDR2内存能够提供比传统SDRAM内存快四倍，比DDR内存快两倍的工作频率。1个缺口.第13页，共50页。4.3内存的分类DDR3 : 240线 DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计： 18bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核频率只有工作频率的1/8，如：DDR3-800的核心频率只有100MHz。 2采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 3采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V 。宇瞻 1G DDR3 1600DDR、DDR2、DDR3缺口比较.第14页，共50页。DDR 三代内

11、存缺口位置尺寸.第15页，共50页。.第16页，共50页。笔记本内存规格DDR 背面 正面接口类型 封装模式 内存电压 200 PIN TSOP 2.5V .第17页，共50页。笔记本内存规格DDR2 接口类型 封装模式 内存电压 200 PIN FBGA 1.8V .第18页，共50页。笔记本内存规格DDR3 劲芯1GB DDR3 1066（GMB10028SOX817-1066） 接口类型 封装模式 内存电压 204 PIN FBGA1.5V .第19页，共50页。4.4 内存的性能指标内存容量：是指一根内存条存储二进制数据的字节数。工作频率：是指内存的传输数据频率，用MHz为单位。数据带

12、宽：数据带宽是指内存的数据传输速度，也就是内存一秒内传输的数据量。它是衡量内存性能的重要标准。 数据带宽=工作频率*内存数据总线位数/8奇偶校验与ECC校验：奇偶校验是最早使用的内存软错误的检测方法。ECC校验，即Error Checking and Correcting，错误检查和纠正。 .第20页，共50页。CAS的延迟时间：Column Address Strobe列地址选通信号。CAS的延迟时间就是指内存纵向地址脉冲的反应时间，用CL（CAS Latency）来表示。工作电压：内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同。 SDRAM：3.3V DDR：2.5V DDR2：1.

13、8V DDR3：1.5VSPD：Serial Presence Detect，存在位串行探测。SPD是一个8针的256字节EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）芯片，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。.第21页，共50页。4.5 内存的技术规范DDR内存技术规范规格传输标准时钟频率工作频率数据传输率（带宽）DDR内存技术规范DDR200PC1600100MHz200 MHz1600MB/SDDR266PC 2100133 MHz266 MHz2100 MB/SDDR333PC 2700166 MHz333 MHz2700 MB/SDDR400PC 320020

14、0 MHz400 MHz3200 MB/SDDR433PC 3500216 MHz433 MHz3500 MB/SDDR533PC 4300266 MHz533 MHz4300 MB/S.第22页，共50页。4.5 内存的技术规范DDR2内存技术规范规格传输标准核心频率/MHz时钟频率/MHz工作频率/MHz单通道数据传输带宽（MB/S）双通道数据传输带宽（MB/S）DDR2 400PC2 3200100200400 3200 /DDR2 533PC2 4300133266533 4300 /DDR2 667PC2 5300166333667 5300 10600 DDR2 800PC2 64

15、00200400800 6400 12800 DDR2 900PC2 7200225450900720014400DDR2可以看作是DDR技术标准的一种升级和扩展。DDR的核心频率与时钟频率相等，在一个时钟周期内传输两次数据，其数据传输频率（工作频率）为时钟频率的两倍。而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，核心频率仅为时钟频率的一半、时钟频率又为数据传输频率的一半，这样工作频率是核心频率的4倍。如核心频率为200MHz使，DDR2内存的数据传输频率达到800MHz。.第23页，共50页。4.5 内存的技术规范DDR3内存技术规范规格传输标准核心频率/MHz时钟频率/M

16、Hz工作频率/MHz单通道数据传输带宽（MB/S）双通道数据传输带宽（MB/S）DDR3 1066PC3 850013353310668500 17000 DDR3 1333PC3 10600166667133310600 21200 DDR3 1600PC3 12800200800160012800 25600DDR3 1800PC3 1440022590018001440028800DDR3 2000PC3 16000250100020001600032000 DDR3在DDR2的基础上发展起来的。主要采用了8bit预取设计，这样DRAM内核的频率只有数据传输频率的1/8，如：DDR3 1

17、600的核心频率只有200MHz。 .第24页，共50页。4.5 内存的技术规范流行内存比较:威刚2G DDR2 800(万紫千红)内存类型:DDR2适用机型:台式机内存容量:2048MB工作频率:800MHz接口类型 :240 PINCL设置:CL=5参考价格：￥140威刚 2G DDR2 800(万紫千红).第25页，共50页。4.5 内存的技术规范流行内存比较:金士顿4G DDR3 1333内存类型:DDR3适用机型:台式机内存容量:4GB工作频率:1333MHz接口类型:240 PIN封装模式:FBGA电压:1.5V参考价格：￥155金士顿4G DDR3 1333.第26页，共50页。

18、4.5 内存的技术规范流行内存比较:金士顿2G DDR3 1333内存类型:DDR3适用机型:台式机内存容量:2GB工作频率:1333MHz接口类型:240 PIN封装模式:FBGA电压:1.5V参考价格：￥83金士顿2G DDR3 1333.第27页，共50页。4.5 内存的技术规范流行内存比较:芝奇8GB DDR3 1600套装 内存类型：DDR3适用机型：台式机内存内存容量：2*4GB工作频率：1600MHz(数据传输频率)接口类型：240 PIN电压（V）：1.5V封装模式：FBGA 参考价格：￥1299 芝奇8GB DDR3 1600套装 .第28页，共50页。4.6内存的识别与选购

19、表示该块内存条为Kingston Value RAM ，KHR表示该块内存条为Kingston HyperX RAM。Kingston ValueRAM内存指符合一般业界标准的内存；Kingston HyperX RAM指专为玩家设计的高效能DDR与DDR2内存，经特殊设计与完整测试能提供更高的速度，同时搭载铝制散热片能有效预防过热死机。表示内存的传输频率为667MHZ 。表示内存类型为DDR2，若为D3则表示内存类型为DDR3。表示该内存没有ECC校验功能，若为U则也表示该内存没有ECC校验功能，若为E则表示该内存有ECC校验功能。表示内存的CAS时间，“5”表示CL=5 。表示内存的容量。

20、金士顿.第29页，共50页。4.6内存的识别与选购金士顿2GB DDR3 1625参数（2GB套装）内存类型：DDR3适用机型：台式机内存内存容量：2*1GB工作频率(MHz)：1625MHz接口类型：240PIN电压（V）：1.9V.第30页，共50页。金士顿DDR内存编号规则.第31页，共50页。金士顿DDR内存编号规则.第32页，共50页。金士顿DDR内存编号规则笔记本内存KAC指金士顿 为 ACER 做的内存MEMG 是 DDR2/800MEMF 是 DDR2/667.第33页，共50页。金士顿DDR内存编号规则笔记本内存.第34页，共50页。金士顿DDR内存编号规则笔记本内存松下笔记

21、本电脑推出的172Pin Micro-DIMM DDR2 667 .第35页，共50页。专业术语容量：一个模块上内存单元的完整号码用MB或GB来表示。对于套装，列表中的容量是套装里所有模块容量之总和。 CAS延时：一种最重要的表示资料在内存模块中传输时的等待（wait）时延（用时钟周期表示）。一旦数据的读写指令和列队地址被写入后，CAS延时将会控制等待时间，直到资料准备好读出或写入。 DDR3 第三代 DDR 内存技术。与 DDR2 相似，它是 DDR 内存技术的新一代产品，它能带来更快的速度，更低的耗电量和发热。对于带宽有大量需求的双核心或四核心系统来说，它是一个非常合适的内存解决方案，低耗

22、电对于服务器和移动式平台更是一个完美的组合。 DDR2 第二代DDR内存技术。 DDR2内存模块由于具有更低的电压、不同的引脚配置和不兼容的内存芯片技术，而不能向后兼容于DDR。 Kit 内含多片模块的单独包装： K22片模块在一个套装里。 Registered 内存模块内含寄存器芯片和相同步逻辑芯片，其中寄存器芯片用来传递和同步由主机板上内存控制器发出的地址和控制信号，相同步逻辑芯片用来将主机板的时脉信号传递给所有的DRAM芯片。 速度: 内存模块所支持的数据传输速率或是有效的时脉频率。 以下信息会帮助您在调整主板 BIOS 内存选项的时候进行适当的设定，以确保最佳的性能。请注意，这些设置可能会由于主板品牌型号和 BIOS 的升级而有所不同。 .第36页，共50页。4.6内存的识别与选购海盗船XMS内存编号详解 海盗船内存主要分两大系列XMS（eXtreme Memory Speed）和VS（Value Select）系列，其中XMS系列以其强悍的性能倍受关注，VS则为品质出色的普通装机内存。.第37页，共50页。4.6内存的识别与选购普及型VS系列内存型号详解 .第38页，共50页。4.6内存的识别与选购用 CPU-Z 测试.第39页，共50页。