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文档简介

1、Vbes及Vces测试及分析 主讲1一、目的 介绍一种分析Vbes、Vces的方法。通过测Vbef及Vbcf，把三极管两个互相牵连的PN结，分成两个单独的PN结来处理。2 二、 一般来说，Vbes大较多情况是基极引线孔有接触电阻（底膜）造成。 1.氧化层，氧化层的作用，氧化层的颜色，底膜，开窗口后尽快扩散，蒸铝，自然氧化层。3 2.示意图（均以NPN管为例）43.引起Vbes大，接触电阻大的其它原因：铝层发黄，油污，球焊虚焊，引脚氧化引起虚焊，测试接触不良。4.欧姆接触，H2合金，500，10分，Vbef(300mA)1.4V（S9014）5同一只管子Vbef与Vbef的关系：1.P+N结（B

2、C结）If=Aq(Lp/p)（ni2/Nn）eqv/kt2.N+P结（EB结）If=Aq(Ln/n)（ni2/Np）eqv/kt3.PN结高阻区的杂质浓度愈小，正向电流愈大（Vf愈小），理论上同一只管子VbcfVbef.6四、晶体管杂质浓度的分布Nsc代表外延层含As(Sb)杂质浓度，是均匀掺杂，杂质浓度相等的M、N点形成发射结、集电结，两曲线与X轴、Y轴围成的面积代表掺杂总量。7 五、 Vces大较多情况与背面金属化层相关，与装片质量关系也很大。 1.背面金氧化之前要磨片（或喷砂），减薄，去除背面氧化层 共晶，金砷 Vi / Ni / AuGe / AuGeSb / Au 0.3 0.2 0.3 0.5 0.1 总厚1.5 0.2um 2.软焊料 Vi/Ni/Ag Ti/Ni/Ag Cr/Ni/Ag Vi / Ni / Au 1.5um 0.03 0.8 0.3 总厚1.5 0.2um 3.导电胶 Vbcf与Vbef比较接近，Vces要大一些。 影响Vces的其它因素，装片质量，焊料氧化，焊料少，e极铝电极电阻，外延片夹层，双段饱和，电阻率太高。8 六、则共3DD1

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