单片机原理及应用_第八讲_MSP430单片机的比较器和Flash存储器实验报告(共6页)

1、单片机原理(yunl)及应用(yngyng)第八(d b)讲 MSP430单片机的比较器和Flash存储器实验报告报告人： 实验内容实验一 比较器输入电压的比较端口P6.6设置成输入模式，获取电位器电压后与比较器中设置参考电压比较，比较器所得结果通过设置成输出模式的端口P4.1输出。实验二 Flash读写操作实验步骤步骤：(1) 将PC 和板载仿真器通过USB 线相连；(2) 打开CCS 集成开发工具，选择样例工程或自己新建一个工程，修改代码；(3) 选择对该工程进行编译链接，生成.out 文件。然后选择，将程序下载到实验板中。程序下载完毕之后，可以选择全速运行程序，也可以选择单步调试程序，选

2、择F3 查看具体函数。也可以程序下载之后，按下，软件界面恢复到原编辑程序的画面。再按下实验板的复位键，运行程序。（调试方式(fngsh)下的全速运行和直接上电运行(ynxng)程序在时序(sh x)有少许差别，建议上电运行程序）。关键代码：实验一：#include int main(void) WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; / Stop WDT P4DIR |= BIT1; / P1.0/LED output direction/ Setup ComparatorB CBCTL0 |= CBIPEN + CBIPSEL_6; / Enable V+, input chan

3、nel CB6 CBCTL1 |= CBPWRMD_1; / normal power mode CBCTL2 |= CBRSEL; / VREF is applied to -terminal CBCTL2 |= CBRS_3+CBREFL_1; / R-ladder off; bandgap ref voltage (1.2V) / supplied ref amplifier to get Vcref=1.5V (CBREFL_2) CBCTL3 |= BIT6; / Input Buffer Disable P6.6/CB6 _delay_cycles(75); / delay for

4、 the reference to settle CBINT &= (CBIFG + CBIIFG); / Clear any errant interrupts CBINT |= CBIE; / Enable CompB Interrupt on rising edge of CBIFG (CBIES=0) CBCTL1 |= CBON; / Turn On ComparatorB _bis_SR_register(LPM4_bits+GIE); / Enter LPM4 with inetrrupts enabled _no_operation(); / For debug/ Comp_B

5、 ISR - LED Toggle#pragma vector=COMP_B_VECTOR_interrupt void Comp_B_ISR (void) CBCTL1 = CBIES; / Toggles interrupt edge CBINT &= CBIFG; / Clear Interrupt flag P4OUT = 0 x02; / Toggle P1.0实验(shyn)二：#include char value; / 8-bit value to write to seg C/ Function prototypesvoid write_SegC(char value);vo

6、id copy_C2D(void);int main(void)WDTCTL = WDTPW+WDTHOLD; / Stop WDTvalue = 0; / initialize valuewhile(1) write_SegC(value+); / Write segment C, increment value_no_operation(); / Loop forever, SET BREAKPOINT HEREcopy_C2D(); / Copy segment C to D_no_operation(); / Loop forever, SET BREAKPOINT HERE /-/

7、Input = value, holds value to write to Seg C/-void write_SegC(char value) unsigned int i; char * Flash_ptr; / Initialize Flash pointer Flash_ptr = (char *) 0 x1880; FCTL3 = FWKEY; / Clear Lock bit FCTL1 = FWKEY+ERASE; / Set Erase bit *Flash_ptr = 0; / Dummy write to erase Flash seg FCTL1 = FWKEY+WRT

8、; / Set WRT bit for write operation for (i = 0; i 128; i+) *Flash_ptr+ = value; / Write value to flash FCTL1 = FWKEY; / Clear WRT bit FCTL3 = FWKEY+LOCK; / Set LOCK bit/-/ Copy Seg C to Seg D/-void copy_C2D(void) unsigned int i; char *Flash_ptrC; char *Flash_ptrD; Flash_ptrC = (char *) 0 x1880; / In

9、itialize Flash segment C ptr Flash_ptrD = (char *) 0 x1800; / Initialize Flash segment D ptr _disable_interrupt(); / 5xx Workaround: Disable global / interrupt while erasing. Re-Enable / GIE if needed FCTL3 = FWKEY; / Clear Lock bit FCTL1 = FWKEY+ERASE; / Set Erase bit *Flash_ptrD = 0; / Dummy write

10、 to erase Flash seg D FCTL1 = FWKEY+WRT; / Set WRT bit for write operation for (i = 0; i 128; i+) *Flash_ptrD+ = *Flash_ptrC+; / copy value segment C to seg D FCTL1 = FWKEY; / Clear WRT bit FCTL3 = FWKEY+LOCK; / Set LOCK bit实验(shyn)现象分析:实验(shyn)一：旋转电位器RP1，改变(gibin)比较器输入端CB6的电压：当输入电压大于设定比较电压时，P4.1的LE

11、D亮；当输入电压小于设定比较电压时，P4.1的LED灭。实验二：程序设置断点后每运行一次，在Memory Browser中参看以0 x1800起始的块区域中，有部分存储单元自动加1。思考题MSP430系列单片机FLASH存储器的主要特点是什么？答：在对Flash存储器进行写操作时，可以以字节或字为单位进行写操作，但对Flash存储器进行擦除操作时，必须以段为单位进行擦除。换句话说，即使要改变存储器中某个地址处的字节内容，也必须首先将该字节所在的段先擦除，然后再将该地址的字节内容写入，由于擦除操作会擦掉整段的内容，所以建议将有用的内容先保存到RAM中，然后再进行擦除操作。擦除后Flash存储器的

12、值为逻辑1。每一位可以单独通过编程，从1变到0，但是要将其重新编程从0到1需要擦除操作。MSP430F66xx单片机FLASH存储器可以分为哪几种类型？答：Flash存储器分为主存储区、信息存储区和引导加载存储器（BSL）。MSP430F66xx单片机FLASH存储器通过哪些位来控制写入/擦除的？答：Flash存储器通过BLKWRT，WRT，MERAS和ERASE位选择写入/擦除模式。MSP430系列单片机的flash有哪几种编程方式？答：1、通过JTAG接口2、通过BSL编程3、用户自定义编程简述MSP430系列单片机比较器的主要特性和应用。答：主要特性正向反向(fn xin)终端输入多路选择器通过软件(run jin)选择比较器输出的RC滤波可输出到TA的捕获(bhu)输入软件控制端口输入缓冲具有中断能力可选的参考电压发生器、电压磁滞发生器参考电压输入可选择共用参考电压超低功耗的比较模式低功耗模式支持中断驱动测量系统应用：比较器B是为精确的比较测量而设计的，如电池电压监测、产生外部模拟信号、测量电流、电容和电阻，结合其他模块还可实现精确