hi3559ac v100ddr4参数配置方法

1、Hi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法00B02文档版本发布日期2018-05-18非经本公司形式。2019。保留一切权利。和个人不得擅自摘抄、海思技术，任何本文档内容的部分或全部，并不得以任何商标、海思和其他海思商标均为海思技术的商标。本文档提及的其他所有商标或商标，由各自的所有人拥有。注意您的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束，本文档中描述的全部或部分产品、服务或特性可能不在您的或使用范围之内。除非合同另有约定，海思公司对本文档内容不做任何明示或默示的或保证。由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用指导，本文档中的

2、所有陈述、信息和建议不任何明示或暗示的担保。海思技术：518129地址：市龙岗区坂田总部办公楼http:/sup/cn/：客户服务邮箱：Hi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法前言前言产品版本与本文档相对应的产品版本如下。未有特殊说明，Hi3559CV100 与 Hi3559AV100 完全一致。读者对象本文档（本指南）主要适用于以下工程师：技术支持工程师 开发工程师 修订修订累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新内容。文档版本 00B02 (2018-05-18)i海思技术修订日期版本修订说明2018-05-1800B021.2 和 2.2 小节涉及修

3、改，新增第 3 章和第 4 章2018-02-1100B01第一次临时版本发布产品名称产品版本Hi3559AV100Hi3559CV100Hi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法目录目录前言i目录iiHi3559AV100 DDR4 驱动配置说明1Hi3559AV100 DDR4 CLK/AC 驱动配置方法1Hi3559AV100 DDR4 写方向 DQS/DQ 驱动配置方法1Hi3559AV100 DDR4 读方向 DQS/DQ 驱动配置方法2Hi3559AV100 DDR4 ODT 配置说明3Hi3559AV100 DDR4 写方向 DQS/DQ ODT 配置3写方向 ODT

4、使能3写方向 ODT 大小配置3Hi3559AV100 DDR4 读方向 DQS/DQ ODT 配置4读方向 ODT 使能4读方向 ODT 大小配置4Hi3559AV100 DDR4 容量配置说明5DDR4 uboot 表格说明5DMEB 单板容量修改说明6DMEB 方案一配置说明6DMEB 方案二配置说明7DMEPRO 单板容量修改说明7DMEBPLUS 单板容量修改说明7DMEBPLUS 方案一配置说明7DMEBPLUS 方案二配置说明8Hi3559AV100 DDR4 频率配置说明9DDR4 时钟频率配置说明9DDR4 时序参数配置说明9文档版本 00B02 (2018-05-18)ii

5、海思技术Hi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法1 Hi3559AV100 DDR4 驱动配置说明1 Hi3559AV100 DDR4 驱动配置说明1.1 Hi3559AV100 DDR4 CLK/AC 驱动配置方法 寄存器地址DDR PHY0：0 x1206d0bc DDR PHY1：0 x1206f0bc寄存器描述 Bit5:3：CLK 驱动 Bit14:12：2T 驱动 Bit20:18：1T 驱动驱动大小定义 000：Disable 001：240ohm 010：120ohm 011：80ohm 100：60ohm 101：48ohm 110：40ohm 111：34ohm

6、 1T 信号指 CKE、CSN、ODT、RESET，2T 信号指的是除 1T 外的其他 AC 信号。1.2 Hi3559AV100 DDR4 写方向DQS/DQ 驱动配置方法寄存器地址DDR PHY0：0 x1206d228(byte0/1)、0 x1206d328(byte2/3) DDR PHY1：0 x1206f228(byte0/1)、0 x1206f328(byte2/3)寄存器描述 文档版本 00B02 (2018-05-18)1海思技术Hi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法1 Hi3559AV100 DDR4 驱动配置说明 Bit2:0：写方向 DQS 驱动 Bit

7、8:6：写方向 DQ 驱动驱动大小定义 000：Disable 001：240ohm 010：120ohm 011：80ohm 100：60ohm 101：48ohm 110：40ohm 111：34ohm 1.3 Hi3559AV100 DDR4 读方向DQS/DQ 驱动配置方法寄存器地址DDR PHY0：0 x1206c064 DDR PHY1：0 x1206e064寄存器描述 Bit18:17：DDR4 读方向 DQS/DQ 驱动配置驱动大小定义 00：34ohm 01：48ohm 10： 11： 文档版本 00B02 (2018-05-18)2海思技术Hi3559A/C V100 DD

8、R4 参数配置方法2 Hi3559AV100 DDR4 ODT 配置说明2 Hi3559AV100 DDR4 ODT 配置说明Hi3559AV100 DDR4 写方向DQS/DQ ODT 配置写方向 ODT 使能寄存器地址DDRC0：0 x120680a0 DDRC1：0 x120690a0寄存器描述 Bit0=0：写方向 ODT 关闭。 Bit0=1：写方向 ODT 打开。 2.1.2 写方向 ODT 大小配置寄存器地址DDR PHY0：0 x1206c064 DDR PHY1：0 x1206e064寄存器描述 Bit26:24：DDR4 写方向 DQS/DQ ODT 配置写方向 ODT 大

9、小定义 000：Disable 001：60ohm 010：120ohm 011：40ohm 100：240ohm 101：48ohm 110：80ohm 111：34ohm 文档版本 00B02 (2018-05-18)3海思技术Hi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法2 Hi3559AV100 DDR4 ODT 配置说明写方向 ODT 配置对于 DQS 和 DQ 信号同时生效。Hi3559AV100 DDR4 读方向DQS/DQ ODT 配置读方向 ODT 使能寄存器地址DDR PHY0：0 x1206d248(byte0)、0 x1206d2c8(byte1) 0 x1206

10、d348(byte2)、0 x1206d3c8(byte3)DDR PHY1：0 x1206f248(byte0)、0 x1206f2c8(byte1) 0 x1206f348(byte2)、0 x1206f3c8(byte3)寄存器描述 Bit3=0：读方向 ODT 打开 Bit3=1：读方向 ODT 关闭 2.2.2 读方向 ODT 大小配置寄存器地址DDR PHY0：0 x1206d204(byte0/1)、0 x1206d304(byte2/3) DDR PHY1：0 x1206f204(byte0/1)、0 x1206f304(byte2/3)寄存器描述 Bit31:29：读方向 D

11、QS 的 ODT Bit28:26：读方向 DQ 的 ODT读方向 ODT 大小定义 000：Disable 001：240ohm 010：120ohm 011：80ohm 100：60ohm 101：48ohm 110：40ohm 111：34ohm 文档版本 00B02 (2018-05-18)4海思技术Hi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法3 Hi3559AV100 DDR4 容量配置说明3 Hi3559AV100 DDR4 容量配置说明3.1 DDR4 uboot 表格说明Hi3559AV100器接口在对接 DDR4 的时候，支持最大数据位宽 64bit，双通道模式。关于

12、 DDR 的相关配置都是在 uboot 表格中实现的，Hi3559AV100 发布的 DDR4 有三个 uboot 表格，分别对应 DMEB、DMEBPRO、DMEBPLUS 三个单板。DMEB uboot 表格：Hi3559AV100-DMEB-uboot-DDR4_2664M_64bit_4GB- A73_1608M-A53_1188M-SYSBUS_300M-MDABUS_666MDMEBPRO uboot 表格：Hi3559AV100-DMEBPRO-uboot- DDR4_2664M_64bit_8GB-A73_1608M-A53_1188M-SYSBUS_300M- MDABUS_

13、666MDMEBPLUS uboot 表格：Hi3559AV100-DMEBPRO-uboot- DDR4_2664M_64bit_8GB-A73_1608M-A53_1188M-SYSBUS_300M- MDABUS_666M 以上三个 uboot 表格支持的 DDR 规格如表 3-1 所示。表3-1 发布表格支持的 DDR 规格DMEPRO 单板支持的 16Gbit 容量（位宽 16bit）DDR4 颗粒为双 die 颗粒，有 BG1 信号。文档版本 00B02 (2018-05-18)5海思技术Uboot 表格总容量/总位宽通道DDR类型DDR 速率（Mbps）R数量DDR 位宽(单颗粒

14、位宽*数量)单颗 DDR容量DMEB uboot表格4GByte/64bit通道 0DDR42666116bit*28Gbit通道 1DDR42666116bit*28GbitDMEBPROuboot 表格8GByte/64bit通道 0DDR42666116bit*216Gbit通道 1DDR42666116bit*216GbitDMEBPLUSuboot 表格8GByte/64bit通道 0DDR4266618bit*48Gbit通道 1DDR4266618bit*48GbitHi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法3 Hi3559AV100 DDR4 容量配置说明3.2 DM

15、EB 单板容量修改说明DMEB 单板默认的 uboot 表格支持双通道，位宽 64bit，总容量 4GByte。如果有涉及到 DDR 容量的变化，需要对uboot 表格做相应的修改，下面列举几种常见的容量设计方案及配置修改说明。表3-2 DMEB 单板不同容量设计方案总容量 3GB 的的方案在32bit。低 2GB 空间的时候位宽是 64bit，在高 1GB 空间的时候位宽是3.2.2 DMEB 方案一配置说明Hi3559A DMEB 方案一的设计需要基于默认 uboot 表格做如下修改。地址空间的修改Uboot 表格中的 ddrc 页面原始配置：修改后的配置：00B02 (2018-05-1

16、8)6文档版本海思技术AXI_REGION_ATTRIB0 x01040 x300500180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01140 x300508180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01240 x300510140write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01340 x300520140write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01040 x300500180write3100 x0000000FDAXI_REGIO

17、N_ATTRIB0 x01140 x300508180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01240 x300510180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01340 x300518180write3100 x0000000FDDMEB 不同容量方案总容量/总位宽通道DDR 类型DDR 速率（Mbps）R数量DDR 位宽(单颗粒位宽*数量)单颗 DDR 容量方案一3GByte/6 4bit通道 0DDR42666116bit*28Gbit通道 1DDR42666116bit*24Gbit方案二2GByte

18、/6 4bit通道 0DDR42666116bit*24Gbit通道 1DDR42666116bit*24GbitHi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法3 Hi3559AV100 DDR4 容量配置说明3.2.3 DMEB 方案二配置说明Hi3559A DMEB 方案二的设计可以直接使用默认的uboot 表格配置，不用做任何修改。3.3 DMEPRO 单板容量修改说明DMEBPRO 单板是专门为了支持单颗 16Gb（16bit 位宽，双 die）颗粒而设计，相比常规的 8Gb（16bit 位宽，单die）颗粒会多出 BG1 信号，因此不能兼容更小容量的颗 粒。3.4 DMEBPL

19、US 单板容量修改说明DMEBPLUS 单板默认的 uboot 表格支持双通道，位宽 64bit，容量 8GByte。如果有涉及到 DDR 容量的变化，需要对 uboot 表格做相应的修改，下面列举几种常见的容量设计方案及配置修改说明。表3-3 DMEBPLUS 单板不同容量设计方案总容量 6GB 的的方案在32bit。低 4GB 空间的时候位宽是 64bit，在高 2GB 空间的时候位宽是3.4.1 DMEBPLUS 方案一配置说明Hi3559A DMEBPLUS 方案一的设计需要基于默认 uboot 表格做如下修改。地址空间的修改Uboot 表格中的 ddrc 页面原始配置：文档版本 00

20、B02 (2018-05-18)7海思技术AXI_REGION_ATTRIB0 x01040 x300500180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01140 x300508180write3100 x0000000FDDMEBLUS不同容量方案总容量/总位宽通道DDR类型DDR 速率/MbpsR数量DDR 位宽(单颗粒位宽*数量)单颗DDR 容量方案一6Gbyte/64bit通道 0DDR4266618bit*48Gbit通道 1DDR4266618bit*44Gbit方案二4GByte/64bit通道 0DDR4266618bit*44Gbit

21、通道 1DDR4266618bit*44GbitHi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法3 Hi3559AV100 DDR4容量配置说明修改后的配置：3.4.2 DMEBPLUS 方案二配置说明Hi3559A DMEBPLUS 方案二的设计可以直接使用默认的 uboot 表格配置，不用做任何修改。文档版本 00B02 (2018-05-18)8海思技术AXI_REGION_ATTRIB0 x01040 x300500180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01140 x300508180write3100 x0000000FDAXI_R

22、EGION_ATTRIB0 x01240 x300510180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01340 x300518180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01440 x300520140write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01540 x300530140write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01640 x300540140write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01740

23、 x300550140write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01240 x300510180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01340 x300518180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01440 x300520180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01540 x300528180write3100 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01640 x300530180write3100

24、 x0000000FDAXI_REGION_ATTRIB0 x01740 x300538180write3100 x0000000FDHi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法4 Hi3559AV100 DDR4 频率配置说明4 Hi3559AV100 DDR4 频率配置说明4.1 DDR4 时钟频率配置说明Hi3559A/C V100 DDR4 最高支持速率 2666Mbps，如需降低 DDR 频率，可通过更改 CRG 寄存器 DPLL 相关配置实现。详细配置说明可参考Hi3559A/C V100 ultra-HD Mobile Camera SoC 用户指南的 3.2 章节 PL

25、L 配置。以 DDR4 降频到 2400Mbps 为例，需要将 uboot 表格做如下修改。DPLL 频率修改Uboot 表格中的pll 页面原始配置：修改后的配置：4.2 DDR4 时序参数配置说明如 DDR4 有降频的修改，对应的 DDR4 时序参数也应做相应的调整，建议只调整自动刷新周期，其他参数可不作修改。因为在降频的时候其他时序参数都是往宽松的方向变化。自动刷新周期的定义如下：寄存器地址通道 0：0 x12068108 文档版本 00B02 (2018-05-18)9海思技术PERI_CRG_PLL40 x120100100 x128000000write3100 x0000000FDPERI_C