模电期末自测题(A)

1、模电自测练习题（A）选择、填空题模电自测练习题（A）一、填空 二极管1半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。PN结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。PN结具有 单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通 ，加反向电压时，PN结 截止 。导通后，硅管的管压降约为 0.7V ，锗管约为 0.2V 。2本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。3、PN结的正向接法是P型区接电源的正 极，N型区接电源的负 极。P型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子

2、是电子。N型半导体中的多数载流子是 电子 、少数载流子是 空穴 。4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。5整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。8硅稳压二极管的稳压电路是由 限流电阻 、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。6发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。7光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。8半导体是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 N 型半导体与 P型半导体。N型半导体主要靠 电子 来导电

3、，P型半导体主要靠 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正 电。9、PN结中的内电场阻止多数载流子的 扩散 运动，促进少数载流子的 漂移 运动。10晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。11晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类，按PN结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。12、点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于 高频 和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 大功率 的场合。13、2AP系列晶体二极管是 锗 材料做成的，其工作温度较 低。2P、2系列晶体二极管

4、是 硅材料做成的，其工作温度较 高 。三极管1晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。硅管以 NPN 型居多，锗管以 PNP 型居多。2晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。4当温度升高时，晶体管的参数 增大 ，ICBO 增大 ，导通电压UBE 减小 。5某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10A变化到20A时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数约为 99 。6某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(B

5、R)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V。7晶体三极管三个电极分别称为发射极、 基极和 集电 极，它们分别用字母E、 b 和 C 表示。8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为： NPN 管的 uC uB uE ,PNP管的 uCuBuE ；工作在饱和区时 iC iB ；工作在截止区时，若忽略 ICBO 和 ICEO ，则 iB =0 ， iC =0 。9由晶体三极管的输出特性可知，它存在 截止区、 放大区和饱和区三个区域。为了使晶体三极管

6、在放大器中正常工作，发射结须加正向 电压，集电结须加 反向 电压。10、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做集电结 ，另一个叫做 发射结 。11晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一（内部条件），使发射区的多数载流子浓度高， 集电 区的面积大， 基 区尽可能地薄；第二（外部条件），使 发射 结正向偏置， 集电结反向偏置。12晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是 e=bC 。其中Ic/Ib叫做 直流电流放大系数 ，用字母表示;Ie/Ib叫做 交流电流放大系数 ，用字母表示。13晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 基极 电流来控制 集电

7、极 电流的，其实质是以 微小电流控制 较大电流。14硅晶体三极管发射结的导通电压约为0.7，饱和电压降为 0.3 ，锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3,饱和电压降为 0.1V 。15当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 正向 电压，集电结必定加正向 或零电压。16当晶体三极管的队ce一定时，基极与发射极间的电压be与基极电流b间的关系曲线称为 输入特性曲线 ;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为 输出特性曲线 。17晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是be的增量和 Ib的

8、增量 的比值。18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 较差 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 不稳定 。19 按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极 、 共集极和 共基极三种基本放大电路。20晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 小得多 ，所以硅三极管的 热稳定性 比锗三极管好。1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 0.2V 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为0.V时，就认为此二极管为硅二极管。2、NPN型晶体三极管的发射区是 N型半导体，集电区是N型半导体，基区是P 型半导体。3、有一

9、个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6A。若晶体三极管的直流电流放大系数=50，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 0.12A 。4共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极 和 发射极 组成，它不但具有电流 放大、 电压 放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。5晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制 漏极电流 的，所以它的输入阻抗很高。6共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为 180 ，这是放大器的重要特征，称为 放大器的倒相作用 。7常用的耦合方式有 阻容耦合 、 变压器耦

10、合和 直接耦合 三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用 阻容 耦合电路8放大器的静态是指没有输入信号 时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用 估算 方法确定，也可以用 图解 方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有 Ib 、Ie 和 Uce 。场效应晶体管的静态工作点由 UGS 、 Id 和 UDS 确定。9晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为 电压 放大和 功率 放大两类。10为了使放大器输出波形不失真，除需设置 适当的静态工作点外，还需要采用 稳定工作点 的方法，且输入信号幅度要适中。11在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产

11、生 截止 失真；静态工作点设置太高将产生 饱和 失真。12在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使C的 正 半周及Uce的 负 半周失真；静态工作点设置太低时，会使Ic的 负半周及Uce的 正半周失真。13晶体三极管工作在放大状态时Uce随Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将 减小 ；如果Ib减小，则Uce将 增大 。因此，Ib可以起调节电压作用。14在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小b，则静态工作点沿着负载线 上移 ，容易出现 饱和失真；若增大Rb，工作点沿着负载线 下移 ，容易出现 截止 失真。15如果晶体三极管放大器E增大，而其它条件不变，则晶体三极

12、管放大器的静态工作点将随负载线 右移。在晶体三极放大器中RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变 陡 。16对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻 大 些，以减轻信号源的负担，输出电阻 小 些，以增大带动负载的能力。17由于电容具有 隔直流通交流 的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管、e极间总电压的 交流 部分。18为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在 （或直流负载线的中点） 。19、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（ Si 或 Ge) 、类型（ NPN 或 PNP ）及管脚为哪个

13、极（ e 、 b 或 c ）填入表内。 管号T1T2T3管号T1T2T3管脚电位(V)0.76.23电极名称0610533.7材料类型场效应管1场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 绝缘栅型 或MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N沟道 、 P沟道 两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。由于场效应晶体管几乎不存在 栅流 ，所以其输入直流电阻 很大 。2UGS(off)表示 夹断 电压，IDSS表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。3. 增强型场效应管当其 UGS =0 时不存在导电沟道。JFET和耗尽型MOS管在

14、栅-源电压为零时存在导电沟道，而增强型 MOS 管则不存在导电沟道。 4.MOS 管的直流输入电阻比结型场效应管的大 。 5场效应晶体管一般采用 自偏压（或栅极偏压） 和 分压式（或分压式自偏压 两种偏置电路。放大电路1放大电路的输入电压Ui10 mV，输出电压U01 V，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB。2放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越 小 ，输入电压也就越 大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越 小 ，放大电路的负载能力就越 强 。3共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小

15、 。差分放大电路1差分放大电路的输入电压Ui11 V，Ui20.98 V，则它的差模输入电压Uid 0.02 V，共模输入电压UiC 0.99 V。2差分放大电路对 差模 输入信号具有良好的放大作用，对 共模 输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移 很小 。3两级放大电路，第一级电压增益为40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为 1000 倍，总电压增益为 60 dB。4集成运算放大器输入级一般采用 差分 放大电路，其作用是用来减小 零点漂移 。5理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似 相等，称为 虚短 ；输入电流近似为 0 ，称为虚断 。6集成

16、运算放大器的两输入端分别称为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 反相 ，后者的极性与输出端 同相 。7.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。使输入量减小的反馈是负反馈。引入直流负反馈可以稳定静态工作点。负反馈越深，电路的性能越稳定。 8.同相比例运算放大电路是一个深度的电压串联负反馈电路；反相比例运算放大电路是一个深度的电压并联负反馈电路。9. 参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。1将交流电转换为直流电的过程称为 整流 。把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为 滤波 。2单相整流电路按其电路结构特点来分，有半波整流电路

17、、全波整流电路和桥式 整流电路。3乙类互补对称功放由 NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是 效率高 。二、选择题 二极管1.P 型半导体中的多数载流子是 B ， N 型半导体中的多数载流子是 A 。 A. 电子B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 2. 杂质半导体中少数载流子的浓度 C 本征半导体中载流子浓度。A. 大于 B. 等于 C. 小于 3. 室温附近 , 当温度升高时 , 杂质半导体中 C 浓度明显增加。 A. 载流子 B. 多数载流子 C. 少数载流子 4杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。A温度 B掺杂工艺 C掺杂浓度D晶格缺陷5PN结形成后，空

18、间电荷区由( D )构成。A价电子 B自由电子 C空穴 D杂质离子6. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管B。 A. 大 B. 小 C. 相等 7. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B，反向电流 A。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 8硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A减小 B基本不变 C增大9流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A增大 B基本不变 C减小10变容二极管在电路中主要用作( D )。 A整流 B稳压 C发光 D可变电容器11当 PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （A ）。A.

19、多数载流子; B.少数载流子; C.既有多数载流子又有少数载流子12如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C ）。A.正常;B.已被击穿; C.内部断路13如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B ）。A.正常; B.已被击穿; C.内部断路14晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该二极管处于（A）。A.反偏，B.正偏，C.零偏15当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。 A.增大； B.减小； C.不变16在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关三极管1当晶体三极管的两个PN结都反

20、偏时，则晶体三极管处于（ C ）。A.饱和状态;B.放大状态;C.截止状态2当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（C ）。A.截止状态;B.放大状态;C.饱和状态3当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（ A ）。A.放大状态; B饱和状态；C.截止状态4晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将 （ C ）。A.随基极电流的增加而增加； B.随基极电流的增加而减小，C.与基极电流变化无关，只决定于Uce5当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（C ）。A.反向；B.增大；C.中断6当温度升高时，半导体电阻将（ B ）。A.增大； ，减

21、小 ；C.不变7. 工作在放大状态的晶体管 , 流过发射结的 是 A电流，流过集电结的是 B电流。A. 扩散B. 漂移 8. 晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。 A. 一种载流子 B. 两种载流子 C. 大 D. 小 9. 晶体管通过改变 A 来控制 C ；而场效应管是通过改变 B 控制 D ，是一种 F 控制器件。 A. 基极电流 B. 栅 - 源电压 C. 集电极电流 D. 漏极电流 E. 电压 F. 电流 10某NPN型管电路中，测得UBE=0 V，UBC= 5 V，则可知管子工作于( C )状态。 A放大 B饱和 C截止

22、 D不能确定11根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。 ANPN型低频小功率硅晶体管 BNPN型高频小功率硅晶体管 CPNP型低频小功率锗晶体管 DNPN型低频大功率硅晶体管12输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。 A正弦小信号 B低频大信号 C低频小信号 D高频小信号13在绝对零度（0K）时，本征半导体中_B_ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数14在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_D_。A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对15、半导体中的载流子为_D_。A. 电子 B.

23、空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴16、N型半导体中的多子是_A_。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子17、P型半导体中的多子是_ B _。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子18、当PN结外加正向电压时，扩散电流_A_漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等与19、当PN结外加反向电压时，扩散电流_ B _漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等于20、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和ui的相位_B。A. 同相B. 反相C.相差90度D. 不确定21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和uii的相位_A_。A. 同相B.

24、 反相C.相差90度D.不确定22、既能放大电压，也能放大电流的是_ A _组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和uii的相位_A。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不确定24、可以放大电压，但不能放大电流的是_C_组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定25、可以放大电流，但不能放大电压的是_ B _ 组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定26、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_ B _组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D

25、. 不确定27、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是_ B_组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定28、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是_ C _组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定29、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是_B_组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定30、三极管是_D_器件。A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流1测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V，接入2 k的负载后，测得输出电压为1 V，则该放大电路的输出电阻

26、为( D )k。 A0.5 B1.0 C2.0 D42为了获得反相电压放大，则应选用(A)放大电路。 A共发射极B共集电极 C共基极 D共栅极3为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入( B )放大电路。 A共发射极 B共集电极 C共基极 D共源极4放大电路如图T31所示，已知RSRD，且电容器容量足够大，则 该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为( B )。 A u0l = u02 Bu0l = u02 C u0lu02 D u0lu02 5在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（E ）。 A.PNP型的基极；B.PNP型的集电极；C.

27、NPN型的基极； DN PN型的发射极 EPNP型的发射极；FNPN型的基极6在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（ B ）。A.晶体三极管将深度饱和； B晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏7在NPN型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（ A ）。A.晶体三极管将深度饱和；B晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏。8在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（B ）。A.饱和失真；B.截止失真；C.不失真9在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A ）。A.饱和失真；B.截止失真C.不失

28、真10晶体三极管低频小信号放大器能（A ）。A放大交流信号；B.放大直流信号；C.放大交流与直流信号11在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（ B ）A.偏高；B.偏低；C.适当12画放大器直流通道时，电容应视为（ B ）A.短路；B.开路；C.不变13在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为uo=（ B ）。A. icRc；B. - RciC； C. -IcRc D. IbRc15为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（ A ）。A发射结正偏，集电结正偏； B发时结正偏，集电结反偏；C.发射结正偏，集电结零偏16共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（C ）。A同相位 B.相位差90; C.相位共为10；D不能确定17在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C ）。 A.电阻的阻值尽可能小；B.提高输入信号的频率；C.加大电容以减小容抗；D尽可能减小时间常数。18为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（A ）的方法。A.减小Ib B减 小 C.提高Ec的绝对值19为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使Rb电阻值（B ）。A.增大 B.减小；C.不变20如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大