表面处理技术报告

1、 表面處理工藝簡介 製作單位:工程 製作人:鄒紅波Page2CoverlayAdhesiveCopperAdhesiveBase FilmAdhesiveCopperAdhesiveCoverlay裁切/鑽孔NC Drilling雙面板Double Sided黑孔 & 鍍銅Black Hole &Cu PlatingCVL壓合CVL Lamination沖孔Hole Punching沖型Blanking電測/目檢Elec.-test &Visual Inspection表面黏著/組裝SMT & Assembly壓膜/曝光D/F Lamination& E

2、xposure顯影/蝕刻/去膜D.E.S.單面板SingleSided自動光學檢測Automatic OpticalInspection假貼合CVL Lay up鍍化金/鍍錫/OSPAu/Ni/Sn Platingor OSP電測/目檢Elec.-test &Visual Inspection印刷Screen Printing 工站流程工站流程Page3表面處理的作用 表面處理是對FPC產品裸露在CVL外面的手指或PAD進行最終的處理,防止銅面在空氣中氧化,從而為出貨或後制程的上件提供一個良好的表面.Page4我司現有表面處理工藝常見表面處理我司能力鍍金YES化鎳金YESOSPYES噴

3、錫YES鍍錫YES化銀NO化錫NOPage5銅面前處理一:磨刷磨刷的作用:1.在物理和化學的作用下,去除銅面氧化物及髒污並微粗化銅面,增加銅面與鍍層之間的結合力;2.同時保護銅面不被氧化,有利後制程.Page6磨刷流程投料投料酸洗酸洗水洗水洗微蝕微蝕水洗水洗磨刷磨刷水洗水洗抗氧化抗氧化烘乾烘乾水洗水洗Page7磨刷各段的作用酸洗:去除銅面氧化物.微蝕:去除銅面氧化物及髒污,並粗化銅面.磨刷:粗化銅面.抗氧化:短時間保護銅面.Page8銅面處理二:微蝕微蝕原理: NaS2O8 + H2O Na2SO4 + H2SO5 H2SO5 + H2O H2SO4 + H2O2 H2O2 + Cu CuO

4、+ H2O CuO + H2SO4 CuSO4 + H2OPage9微蝕流程投料投料微蝕微蝕水洗水洗抗氧化抗氧化水洗水洗烘干烘干Page10微蝕量的測量方法1.取一定大小(如15*10CM)的雙面銅箔3PCS,並標識,放入烤箱,120度恆溫30MIN;2.取出迅速放入乾燥皿,冷卻1530MIN;3.然後用電子秤秤重W1;4.再過微蝕線,關掉抗氧化,紀錄測試條件;5.微蝕後放入烤箱,120度恆溫30MIN;6.取出迅速再次放入乾燥皿,冷卻1530MIN;7.然後用電子秤秤重W2;8.取平均值.Page11微蝕量的計算公式微蝕量U”=(W1-W2)/2*A*B* *2.54*10-6 備註:W1:

5、微蝕前重量,單位gW2:微蝕後重量,單位gA:板長B:板寬: 銅的密度g/cm3 Page12鍍硬金制程簡介鍍金特性及電鍍原理特性: 金是一種色澤為金黃色的貴金屬.元素符號為Au,原子量為197,一 般呈+1價態,標準電極電位為+1.44V.電鍍金層的性能優越,化學穩定性好,易於拋光延展性好.它的耐腐蝕性好,導電性良好,易焊接,耐高溫,空氣中不變色,被廣泛應用於線路板接插件等方面.電鍍原理: 電鍍是在外加電壓的環境下迫使陽極金屬氧化並在陰 極還原為金屬的過程 . 陽极: M-ne=Mn+ 陰极: Mn+ne=M 注意:鍍金採用的是不溶性陽極,槽液中的金靠補充添加. Page13電鍍原理陽极:

6、M-ne=Mn+在陰极,金屬離子得到電子,析出:陰极: Mn+ne=M 在通常情況下,接通電源后,在電性作用下,陽離子向陰极移動,并在陰极上結合電子進行還原反應,陰離子向陽极移動并在電极上失去電子發生氧化反應.電解液陰极陽极Page14 鍍金生產工藝流程打鉚釘 上 料 脫 脂 熱水洗 雙水洗 微 蝕 雙水洗 活 化 雙水洗 純水洗 鍍 鎳 純水洗 活 化 純水洗 預鍍金 純水洗 鍍 金 純水洗 熱純水洗 下料 水洗烘干 品檢 剪鉚釘 轉站Page15脫脂 主要成分: 酸性清潔濟(pc675) 控制範圍(50-150ml/L) 作 用: 除去軟板表面的油脂類物質Page16微蝕主要成分: 硫酸

7、控制範圍(4%-6%) 過硫酸鈉 控制範圍(50-90g/L) 銅離子 控制範圍0-15g/L) 作 用: (1) 去除銅面氧化物 (2) 銅面微粗化,使與鎳層有良好的密著性 Page17活化主要成分: 硫酸 控制範圍(4-6%)作 用: 去除銅面氧化物,使銅面保持新鮮狀態進入鍍鎳槽Page18 鍍硬鎳主要成分: 硫酸鎳(260-300g/L)氯化鎳(30-45g/L)硼酸(35-45g/L)光澤濟(73X).濕潤濟(MU-2) 主要作用: 硫酸鎳硫酸鎳:主鹽,提供電鍍過程中不斷消耗的Ni2 氯化鎳氯化鎳:陽極活化劑,它能促進陽極溶解,且可增加溶液的導電性,使鍍層表 面平滑,結晶細緻覆蓋能力及

8、分散改善 硼硼 酸酸:PH緩衝劑,調節鍍液的PH值,該鍍液鍍Ni的合適PH為3.8 4.5. 光澤劑光澤劑:可增加陰極極化,降低鍍層晶粒尺寸,使鍍層細緻,光亮,均勻 濕潤濟濕潤濟:使槽液易浸潤銅面Page19預鍍金藥水成分: Au(0.3-1.5g/L) ACID比重鹽 ACID PH調整鹽 ACID 添加劑 PH:4.0-6.5主要作用:預金是在較大電流密度下在待鍍區鍍上一層很薄的金來增加鍍金層與鎳層的結合力預金藥水與鍍金藥水成分基本相似可防止金槽污染 Page20鍍硬金藥水成分 Au 濃度: 1.75-4.0g/l HS2 PH調整鹽 : (100%檸檬酸) HS2 比重調整鹽: (55%

9、檸檬酸鉀.45%檸檬酸) HS2 添加濟: (38%檸檬酸鉀.2.0%鈷.60%水)主要作用 Au : 提供電鍍中的金 HS2 PH調整鹽:調整PH值 HS2 比重調整鹽:調整比重增加鍍液穩定性 HS2 添加濟:添加多少g金鹽時同時添加多少ml添加劑,使鈷含量及氰化 金鉀絡合物保持穩定Page21電流密度與析出速度關係電流密度與析出速度的関係00.20.40.60.811.21.41.60.51.52.53.5電流密度(ASD)析出速度（m/5分）標準鍍金条件 Au濃度：2g/L pH：4.2 温度：40 電流密度：1.5ASD 撹拌：Stirrer 300r.p.m 比重：13.4Be?Pa

10、ge22金濃度與析出速度關係金濃度與析出速度的関係00.20.40.60.811.21.41.61g/L2g/L4g/L6g/L金濃度析出速度（m/5分）標準鍍金条件 Au濃度：2g/L pH：4.2 温度：40 電流密度：1.5ASD 撹拌：Stirrer300r.p.m 比重：13.4Be?Page23鍍金溫度與析出速度關係鍍金温度與析出速度的関係00.20.40.60.811.21.41.635404550温度析出速度（m/5分）標準鍍金条件 金濃度：2g/L pH：4.2 温度：40 電流密度：1.5ASD 撹拌：Stirrer 300r.p.m 比重：13.4Be?Page24電流密

11、度與鍍金硬度關係電流密度與硬度（Hv）1601701801902002100.51.52.53.5電流密度（ASD）硬度（Hv）標準鍍金条件 金濃度：2g/L pH：4.2 温度：40 撹拌：Stirrer 300r.p.m 比重：13.4Be?Page25鍍金析出效率 一Page26鍍金析出效率 二Page27鍍鎳常見故障及排除方法序號故障現象產 生 原 因排 除 方 法1:脫脂劑,硫酸濃度不足1:分析,補充2:來料油污嚴重2:來料退回3:水洗水臟污3:更換水洗1:PH值下降1:分析調整2:溫度太高2:降低溫度或檢查溫控器3:表面活性劑不足3:分析,補充4:有機雜質過多4:活性炭處理5:陽極

12、塊不足5:添加陽極塊1:光亮劑不足1:補充2:電流過大2:調低至合適範圍3:Cu污染3:弱電解處理1:主鹽濃度不夠1:分析,補充2:電流,電壓不匹配2:調整4膜厚不足231脫皮針孔鍍區發暗(或稱燒焦)Page28鍍金常見故障及排除方法序號故障現象產 生 原 因排 除 方 法1:前處理不良1:改善鍍前處理2:底鎳表面活化不足,鍍層結合力不好2:改善底鍍層結合力3:鍍液中有雜質3:過濾1:金鹽濃度不足1:分析,補充2:溫度過高2:降低溫度3:PH值偏高3:調整PH值4:Cu2+污染4:分析處理1:金鹽濃度低1:添加金鹽.2:噴嘴堵住2:檢查處理13鍍層密著性不好膜厚不足鍍層出現外觀不良暗紅色2Pa

13、ge29化鎳金制程簡介 化學鎳金是一種通俗說法，正確的名詞應稱為化鎳浸金（Electroless Nickel and Immersion Gold: EN/IG）。化學鎳層的生成無需外加電流，只靠高溫槽液中（約81）還原劑（如次磷酸二氫鈉NaH2PO2等）的作用，針對已活化的待鍍金屬表面，即可持續進行鎳磷合金層的不斷沉積。 至於浸鍍金的生長，則是一種無需還原劑的典型置換（Replacement）反應。也就是說當化學鎳表面進入浸金槽液中時，在鎳層被溶解拋出兩個電子的同時，其金層也隨即自鎳表面取得電子而沉積在鎳金屬上。一旦鎳表面全被金層所蓋滿後，金層的沉積反應逐漸停止，很難增加到相當的厚度。至於

14、另一系列的厚化金，則還需強力的還原劑方可使金層逐漸加厚。 一般而言，化鎳層厚度幾乎可以無限增長，實用規格以150200微吋為宜，而浸鍍金層的厚度則只23微吋而己，厚化金有時可達2030微吋，當然價格也就另當別論了。目前我們廠內只有化學薄金.Page30化學鍍的特點1.可在任何材料表面上沉积镀层,如金属、半导体和非导体（如玻璃、陶瓷、塑料等）；2. 几何形状复杂的制品，凡是溶液能接触到的部位都能获得厚度均匀的镀层；3. 镀层具有良好的耐腐蚀性、耐磨性和磁性能；4. 镀层具有硬度高、孔隙率少等优点；5. 设备简单，操作方便，不需要电源，可镀特殊性能的镀层；6. 同时存在镀液稳定性差，溶液损耗大，成

15、本比电镀高等问题。Page31化金工藝基本流程上料上料除油除油热水洗热水洗水洗水洗* *2 2微蝕微蝕水洗水洗* *2 2下料下料金回收金回收化金化金化镍化镍预浸预浸活化活化酸洗酸洗水洗水洗* *2 2水洗水洗* *2 2水洗水洗* *2 2热水洗热水洗水洗水洗* *2 2热水洗热水洗热水洗热水洗Page32化金基本參數流程流程處理時間處理時間( (分分) )溫度溫度()()流程流程處理時間處理時間( (分分) )溫度溫度()()清洁5(4 -7)50 5純水洗0.5 (0.3 - 0.6)R.T.热水洗2 (1 -3)50 5純水洗0.5 (0.3 - 0.6)R.T.双水洗各1 (0.5

16、-2) R.T.純水洗0.5 (0.3 - 0.6)R.T.微蝕1.5 (1 -2)30 2化學鎳20 (15 - 30)80 2水洗0.5 (0.5 -1) R.T.純水洗0.5 (0.3 - 0.6)R.T.水洗0.5 (0.5 -1) R.T.純水洗0.5 (0.3 - 0.6)R.T.酸浸1.0 (0.5 - 1.5)R.T.置換金8 (5 - 12)86 2纯水洗0.5 (0.5 -1) R.T.回收0.5 (0.3 - 0.6)R.T.純水洗0.5 (0.5 -1) R.T.純水洗1 (1 - 2)R.T.預浸1 (0.5 - 1.5)R.T.純水洗1 (1 - 2)R.T.活化2

17、.5 (2 - 4)28 2熱純水洗0.5 (0.3 - 0.6)50Page33我廠化鎳金制程能力1. 1.化鎳厚度要求為化鎳厚度要求為 &60-100u” &100-300u” &60-100u” &100-300u”2. 2.化薄金厚度要求化薄金厚度要求:1-4:1-4u”u” 根據廠商提供的藥水特性化薄金厚度根據廠商提供的藥水特性化薄金厚度3 3uu以下以下,(4,(4uu以上需以上需化厚金化厚金); );化鎳厚度化鎳厚度300300u u 以下以下. .3. 3.鍍層均勻性鍍層均勻性: :Ni: +/-20u”; Au: +/-0.5(3u”)Ni:

18、+/-20u”; Au: +/-0.5(3u”)4. 4.化金線生產產品尺能力化金線生產產品尺能力: : a. a.最大作業範圍最大作業範圍:700:700* *700700mmmm b. b.最小作業範圍最小作業範圍:100:100* *100100mmmm c. c.軟板厚度要求軟板厚度要求:0.15:0.15mmmm以上以上 5. 5.最小最小PADPAD大小大小:0.1:0.1mmmm以上以上 6. 6.手指間隙手指間隙:2 :2milmil以上以上 7. 7.鍍層拉力鍍層拉力:175:175g/cmg/cm2 2Page34各主要藥水槽簡介Page35酸性脫脂(ACL-007)主成份

19、主成份 (1) 檸檬酸 (2) 非離子界面活性劑 作用作用 (1) 去除銅面輕微氧化物及污物 (2) 降低液體表面張力,將吸附於銅面之空氣排開,使藥液在其表 面擴張, 達潤溼效果反應反應 CuO + 2 H+ Cu + H2O 2Cu + 4H+ + O2 2Cu2+ + 2H2O RCOOR + H2O RCOOH + ROHPage36脫脂槽控制要點1.槽液為有机酸型,容易滋生霉菌,要注意槽壁的清洗;2.有界面活性劑,除油后第一段水洗不開或輕微打气,最好第一段用熱水洗;3.要有充分的循環及過濾,避免出現混濁現象.Page37微蝕主成份主成份 (1) 過硫酸鈉(SPS) (2) 硫酸 作用作

20、用 (1) 去除銅面氧化物 (2) 銅面微粗化,使與化學鎳層有良好的 密著性 反應反應 NaS2O8 + H2O Na2SO4 + H2SO5 H2SO5 + H2O H2SO4 + H2O2 H2O2 + Cu CuO + H2O CuO + H2SO4 CuSO4 + H2OPage38微蝕槽控制要點1.為保証穩定的微蝕速率,銅离子控制在320g/L之間;2.換槽時預留1/51/3母液;3.适當的打氣;4.滴水時間不宜過短及過長,一般15秒左右;5.一些膠跡殘留的板可适當縮短微蝕時間來覆蓋金面色差問題;Page39銅離子濃度對咬蝕速率的影響0510152025303540051015202

21、5303540銅濃度(g/l)咬蝕速率(/分) SPS 100g/L,溫度30Page40溫度對咬蝕速率的影響02040608010012010203040溫 度 ( )咬 蝕 速 率 ( /分 )S P S 50 g/lS P S 100 g/lS P S 150 g/l 銅離子濃度5g/LPage41酸洗主成份主成份: : 硫酸 作用作用: : 去除微蝕後的銅面氧化物 反應反應: : CuO + H2SO4 CuSO4 + H2O Page42預浸主成份主成份 : 硫酸(AR級) 作用作用: : (1) 維持活化槽中的酸度 (2) 使銅面在新鮮狀態(無氧化物)下,進入活化槽 反應反應 :

22、CuO + H2SO4 CuSO4 + H2OPage43活化KAT-450 主成份主成份 (1) 硫酸鈀 (2) 硫酸作用作用 : 在銅面置換(離子化趨勢 Cu Pd)上一層鈀, 以作為化學鎳 反應之觸媒. 反應反應 陽極反應 Cu Cu2+ + 2 e- (E0 = 0.34V) 陰極反應 Pd2+ + 2 e- Pd (E0 = 0.98V) 全反應 Cu + Pd2+ Cu2+ + PdPage44活化槽控制要點1.不可有氯离子及鐵,鎳离子等污染;2.溫度不能超過35,避免出現分解現象;3.生產過程不開打气,加藥時則應打气使藥液攪拌均勻(要在槽內無板時加藥);4.要有專用的加葯杯;5.

23、定期進行硝槽處理;Page45KAT-450濃度對鈀析出量的影響00 .10 .20 .30 .40 .50 .60 .70 .80 .95 01 0 01 5 02 0 0K A T - 4 5 0 濃 度 ( m l/l)P d 析 出 量 ( g /c m2)1 分2 分溫度25 Page46硫酸濃度對鈀析出量的影響00 .10 .20 .30 .40 .50 .60 .71 03 05 07 09 01 1 01 3 0硫 酸 濃 度 ( g / l )P d 析 出 量 ( g /cm 2 )1 分2 分溫度25,Pd 12ppmPage47溫度對鈀析出量的影響00 .10 .20

24、.30 .40 .50 .60 .70 .81 52 02 53 03 54 0溫 度 ( )P d 析 出 量 ( g /cm2)1 分2 分硫酸17g/L,Pd 12ppmPage48銅離子濃度對鈀析出量的影響00 .0 50 .10 .1 50 .20 .2 50 .30 .3 50 .40 .4 501 0 02 0 03 0 04 0 05 0 0C u2 + 濃 度 ( p p m ) ( 處 理 時 間 2 分 )P d 析 出 量 ( g/cm2)硫酸17g/L,Pd 12ppm,溫度25Page496.化學鎳(Nimuden NPR-4)作用作用: : 在活化後的銅面鍍上一層

25、Ni/P合金, 作為阻絕金與銅之間的遷 移（Migration）或擴散（Diffusion）的障蔽層. 主成份主成份: : (1) 硫酸鎳:提供鎳離子 (2) 次磷酸二氫鈉:使鎳離子還原為金屬鎳 (3) 錯合劑:形成鎳錯離子,防止氫氧化鎳及 亞磷酸鎳生成,增加浴安定性, PH緩衝 (4) pH 調整劑(氫氧化鈉):維持適當PH (5) 安定劑:防止鎳在膠體粒子或其他 微粒子上還原 (6) 添加劑:增加被鍍物表面的負電位, 使啟鍍 容易及增加還原效率.Page50Nimuden NPR-4 使用藥品(1) NIMUDEN NPR-4-M 用 途：建浴用 主成份：還原劑、錯合劑、添加劑 (2) N

26、IMUDEN NPR-4-A 用途：建浴及補充 主成份：鎳鹽 (3) NIMUDEN NPR-4-B 用途：補充用 主成份：還原劑、錯合劑 (4) NIMUDEN NPR-4-C 用 途：補充用 主成份：pH調整劑、錯合劑、添加劑 (5) NIMUDEN NPR-4-D 用途：建浴及補充用 主成份：添加劑Page51化鎳槽反應原理功能: 在活化后的銅面上鍍上一層Ni/P合金,作為金與銅之間遷移 或擴散的障蔽層.陽極反應次磷酸根氧化釋放電子 H2PO2- + H2O HPO32- + 2H+ + 2e-陰極反應鎳離子得到電子還原成金屬鎳 Ni2+ + 2e- Ni陰極反應氫離子得到電子還原成氫氣

27、 2H+ + 2e- H2陰極反應次磷酸根得到電子析出磷 H2PO2- + e- P + 2OH- 總反應 : Ni2+ + H2PO2- + H2O H2PO3- + 2H+ + Ni+P + H2 Page52化學鎳槽防析出裝置的使用與維護一、防析出裝置的使用 以鎳槽不鏽鋼槽壁為陽極，陰極棒為陰极，通入一定的電壓，使槽液與槽壁之間造成一定的電位差，防止化鎳在槽壁上的析出，還可對槽液的穩定性進行監控。二、防析出裝置電壓的確定 不同的槽質，槽大小，防析出裝置所設電壓有所不同，電壓不斷加大，到一定程度會造成陰極棒上有氫氣析出，有氫氣析出時的電壓即為析氫電壓防析出裝置所設置電壓以比析氫電壓低0.1

28、伏為準，一般為0.6-1.2伏，最佳0.9VPage53三、防析出裝置電流的確定 新槽液下防出裝置電流一般為零，隨著槽液雜質，顆粒的增加，槽液穩定性的降低，槽壁上會有少量鎳的沉積，電流也逐漸升高，電流達到0.8A必須換槽或移槽過濾四、防析出裝置的使用與維護 A: 防析出裝置在槽液升溫至65之前必須開啟 B: 在鎳槽保養硝槽時，陰極棒須取出，用50%的 HNO3(63%)浸泡8hr以上，硝去鎳層並純化 C: 先後使用10%氨水，純水兩遍清洗 D: 裝入鎳槽，開啟後輸入額定的電壓Page54Ni濃度設定值N i 濃 度 隨 M .T .O .升 高4 .24 .34 .44 .54 .64 .74

29、 .84 .955 .10 .00 .51 .01 .52 .02 .53 .03 .54 .0M e ta l T u r n O v e rN i 濃 度 (g /l)Page55溫度對析出速度的影響01002003004005006007007 47 67 88 08 28 38 5溫 度 ( )析 出 速 度 ( /h r)Page56PH對析出速度的影響01 0 02 0 03 0 04 0 05 0 06 0 04 .44 .54 .64 .74 .8p H析 出 速 度 ( /h r)Page57PH對鍍層P含量的影響01234567894 .44 .54 .64 .74 .8p

30、 H磷 含 量(w /w % )Page58M.T.O.對析出速率的影響01 0 02 0 03 0 04 0 05 0 001234M e ta l T urn O ve r析 出 速 度(/h r)Page59M.T.O.對鍍層P含量的影響01234567891 001234M e ta l T urn O ve r磷 含 量(w /w % )Page60Ni濃度對析出速率的影響01 0 02 0 03 0 04 0 05 0 06 0 03 .544 .55N i 濃 度 (g /l)析 出 速 度(/h r)Page61NPR-4-D 濃度對析出速率的影響01 0 02 0 03 0

31、04 0 05 0 06 0 000 .5123571 01 5N P R - 4 - D 濃 度 (m l/l)析 出 速 度(/h r)Page62NPR-4-D 濃度與鍍層中S含量的關係0 .0 0 00 .0 0 20 .0 0 40 .0 0 60 .0 0 80 .0 1 00 .0 1 20 .0 1 40 .0 1 60 .0 1 800 .5123571 01 5N P R - 4 - D 濃 度 (m l/l)S 含 量 (%)Page63NPR-4-D 消耗量0.000.200.400.600.801.001.201.4050556065707580859095溫度 (

32、)NPR-4-D消耗量 ( m l/L.H r )Page64雜質的容許量與影響雜質 容許量(ppm) 影響Cu 10 藥液混濁及分解Pd 1 藥液分解Fe 20 粗糙表面Zn 10 析出速度降低Cr 1 析出速度降低,露銅Pb 2 析出速度降低, 露銅 Page65浸鍍金藥品藥品 TKK-51主成份主成份 (1) 金氰化鉀KAu(CN)2 (2) 有機酸 (3) EDTA(螯合劑) 作用作用 (1) 提供Au(CN)2 錯離子來源.在鎳面置換 (離子化趨勢 Ni Au)沉積出金層 (2)防止鎳表面產生鈍態並與溶出的Ni2+ 結合成錯離子. (3)抑制金屬污染物(減少游離態的Ni2+, Cu2

33、+ ). 反應反應 陽極反應: Ni Ni2+ + 2 e- (E0 = -0.25V) 陰極反應: Au(CN)2- + e- Au + 2 CN- (E0 = 0.6V) 總 反 應: Ni + Au(CN)2- Ni2+ + Au + 2 CN-Page66溫度對析出厚度的影響0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.05101520時間( 分)析出厚度( )8590Page67PH對析出厚度的影響0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.57580859095溫度( )厚度( )pH 4.8pH 5.2pH 5.5 化金時間10分鐘Page68Au

34、濃度對析出厚度的影響0.00.51.01.52.02.53.03.54.00.511.522.5金濃度( g /l)厚度( ) 化金時間10分鐘Page69Ni濃度對析出厚度的影響0.00.51.01.52.02.53.03.5020040060080010001200Ni(ppm)金厚度( ) 化金時間10分鐘Page70Fe濃度對析出厚度的影響0.00.51.01.52.02.53.005101520Fe(ppm)金厚度( ) 化金時間10分鐘Page71金槽雜質容許量金屬雜質容許量(ppm) 影響Cu 5 金析出速度增加,焊錫性不良Ni 900 金析出速度降低Fe 2 金析出速度降低 P

35、age72化鎳浸金三大品質問題 1.來料不良：來料不良： 銅面來料不良,殘膠參膜,銅面污染等。 2.活力太弱：活力太弱： 活化後水洗時間過長而鈍化、鎳槽活性不足. 露銅露銅Page73殘金 1.蝕刻不良蝕刻不良 ： 蝕刻不淨留有殘銅。 2.活力太強：活力太強： 鎳槽三大參數(溫度、濃度、 PH)太高、活化時間過長,活化後水洗不足。 3.銅粉殘留銅粉殘留 ： 前處理磨刷後銅粉殘留。Page74異色1.來料不良： 來料銅面污染,殘膠殘膜,前處理磨刷不足。2.金面異常： 金槽遭銅污染、細菌污染金水與回收水、後段水洗不足、終洗不良、疊板。3.後段制程污染及保存不良.Page75OSP制程簡介OSP O

36、rganic Solderability Preservative (有機保焊劑有機保焊劑)目的目的 保護銅面不受外界影響而生鏽保護銅面不受外界影響而生鏽 其皮膜在焊接前可被稀酸或助焊劑迅速其皮膜在焊接前可被稀酸或助焊劑迅速除去除去, 使裸銅面瞬間展現良好的焊錫性使裸銅面瞬間展現良好的焊錫性 Page76Entek Plus Cu-106A(X)Entek:Enthone公司提供的一種公司提供的一種“有機護銅劑有機護銅劑”之濕製程技之濕製程技術術Entek Plus Cu-106A(X) (有有機護銅劑機護銅劑)有機保焊劑的一種有機保焊劑的一種, 用以保用以保護銅面不受外界影響而生鏽護銅面不受

37、外界影響而生鏽的最終制程之一的最終制程之一Page77OSP工藝流程Page78清潔槽n脫酯劑脫酯劑-Entek Cleaner SC1010 DEn控制範圍控制範圍n濃度濃度: 1020%n溫度溫度: 3843 n浸漬時間浸漬時間: 3060 秒秒Page79微蝕槽n微蝕劑微蝕劑-Entek Microetch ME-1020n控制範圍控制範圍n濃度濃度nEntek Microetch ME-1020: 6090 g/ln硫酸硫酸: 12%n溫度溫度: 2132 n浸漬時間浸漬時間: 3060 秒秒n蝕銅要求蝕銅要求: 大於大於0.65 mPage80預浸槽n預浸劑預浸劑- -Entek E

38、ntek PrecoatPrecoat PC-1030 PC-1030n控制範圍控制範圍n濃度濃度: 515% (: 515% (最佳最佳: 10%): 10%)n溫度溫度: 2143 (: 2143 (最佳最佳: 25 ): 25 )n浸漬時間浸漬時間: 4590 : 4590 秒秒 ( (最佳最佳: 60 : 60 秒秒) )nPHPH值值: 8.09.0 (: 8.09.0 (最佳最佳: 8.5): 8.5)n膜厚膜厚: 0.00750.03 : 0.00750.03 m ( m (最佳最佳: 0.0125 : 0.0125 m ) m ) Page81預浸槽反應原理Page82Page83Page84抗氧化槽n有機保焊劑有機保焊劑-Entek Plus Cu-106A(X)n控制範圍控制範圍n濃度濃度: 100120% (最佳最佳:100%)n溫度溫度: 3847 (最佳最佳:43 )n浸漬時間浸漬時間: 3090 秒秒 (最佳最佳: 60 秒秒)nPH值值: 2.52.9 (最佳最佳: 2.65)n膜厚膜厚: 0.20.5 m (最佳最佳: 0.250.45 m )Page85抗氧化反應原理Page86Page87電鍍錫鉛概述錫鉛合金電鍍