Mosfet和IGBT简介课件

1、增强型增强型耗尽型耗尽型N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道MOSFET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)MOSFET是一种电压控制电流的开关器件，是一种电压控制电流的开关器件，它有很多优点：耗能小、速度快、重量轻、它有很多优点：耗能小、速度快、重量轻、寿命长等。寿命长等。绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管 1. mosfet1. mosfet的符号（以的符号（以N N沟增强型为例）：沟增强型为例）： G：栅极：栅极 D：漏极：漏极 S：源极：源极符号：符号： MosfetMosfet的输出特性曲线的输出特性曲线 Mosfet的转移特性曲线： 东芝东芝SSM6J08FU小信号小信号MOSFET的

2、详细描述： 部件型号SSM6J08FU极性P沟漏源电压VDS -20 V漏极电流ID -1.3 A门阈值电压Vth, max -1.1 V门阈值电压Vth, min -0.6 V门-源电压VGSS (V) 12 V漏源导通电阻RDS(ON) (标准) 0.2 VGS=-2.5 V 漏源导通电阻RDS(ON) (最大) 0.26 VGS=-2.5 V 产品分类小信号MOSFET 东芝公司东芝公司MOSFET的图片：的图片：品牌:SINO-IC（上海光宇睿芯微电子有限公司）型号:1N60种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:TV/电视封装外形:CER-DIP/陶瓷直插材

3、料:N-FET硅N沟道开启电压:600（V）最大漏极电流:800（mA）最大耗散功率:800（mW） IGBT(绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管)的介绍：的介绍：IGBT是有BJT和mosfet组成的复合器件，兼具二者的优点：速度快，能耗低，体积小，而且大功率、大电流、耐高压。IGBT的开关作用是通过正向栅极电压控制的，施加的开关作用是通过正向栅极电压控制的，施加一定的正向电压即栅极电压大于发射极电压时，一定的正向电压即栅极电压大于发射极电压时，IGBT导通，反之导通，反之IGBT关断。关断。特色标志:现货型号:IKW40N120T2厂家:INFINEON批号:12+封装:TO-247美国

4、仙童飞兆半导体公美国仙童飞兆半导体公 FairchildSemiconductor FGH40N60UFTU美国国际整流器公司美国国际整流器公司International RectifierIRG4BC30KDPBF 英飞凌公司 Infineon TechnologiesIGW25N120H3MOSFET 和IGBT的差别： MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。总的来说：MOSFET在低功率，较高频 应用中较好，100KHz。IGBT在较低频，高功率应用中较好。关于关于IGBTIGBT的一些产品的图片：的一些产品的图片： 日本富士公司的产品日本富士公司的产品2MBI200S-120集电极和发射极之间最高限压是集电极和发射极之间最高限压是1200V、最大限流是、最大限流是200A.日本富士公司的日本富士公司的EVL31-050集电极和发射极之间的限压是集电极