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文档简介
1、！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限EPROMROMROM可擦除的可编程可编程掩模RAMRAM动态静态A0An-1W0W(2n-1)D0Dm写是一次性编程，不能改！编程时将不用的熔断有出厂时，每个结点上都熔丝由易熔合金制成写入时，要使用编程器管叠栅注入MOSMOSInjuctiongateStackedSIMOS)(浮置栅控制栅:fcGG通处正常逻辑高电平下导上未充负电荷，则若导通处正常逻辑高电平下不上充以负电荷，则若工作原理：cfcfGGGG年）光灯下分钟（阳光下一周，荧紫外线照射空穴对，提供泄放通道生电子“擦除”：通过照射产形成注入电荷到达吸引高速电子穿过宽的正脉冲，上加同时在发生雪崩击穿
2、）间加高压（“写入”：雪崩注入33020502525202,fcGSiOmsVGVSD)(管浮栅隧道氧化层采用点擦除慢，操作不便的缺为克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效应”电子会穿越隧道）当场强达到一定大小（厚度之间有小的隧道区，与,/cmVmSiODGf78210102导通）下，电压（未充电荷时，正常读出截止）下，电压（充电荷后，正常读出工作原理：TVGTVGGCCf33fjCiGBmsVGW电子隧道区接的正脉冲，加充电：01020,上电荷经隧道区放电加正脉冲，接放电：fjiCGBWG,0（隧道区）区有极小的重叠区与）更薄（与衬底间SGnmOSGfif15102的正脉冲，加接），加
3、正压（，充电利用雪崩注入方式向工作原理：usVGVVSDGcssf101206*上电荷经隧道区放电的正脉冲加放电，利用隧道效应fsscfGnsVVGG100120,作存储单元触发器，为基本RSTT41相通、与、导通，行中被选中，时，能在jjiBBQQTTX6511,单元与缓冲器相连列第行第导通，这时时，所在列被选中，jiTTYj871,，读操作截止，与导通，则若时，当OIQAAAWRSC32110,，写操作导通，与截止，则若QOIAAAWR3210,六管N沟道增强型MOS管SCWRAAOIOI片选信号：写信号：读地址线：数据线：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI写信号：读地址线：数据线：/987070,):(110025625670A个地址个字，需要每一片提供SCYYAAAA分别接四片的译成即将两位代码区分四片用,308989102376876751251125625501110010007070707,AAAAAAAA四片的地址分配就是：89AA4321SCSCSCSC1110010029292929AAAAAAAA,四片的地址分配就是：01AA4321SCSCSCSC01AA912AAAA0An-1W0W(2n-1)ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDC
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