项目1 线性集成直流稳压电源的设计与制作

1、课程名称：模拟电子技术课程名称：模拟电子技术主讲人：杨淼主讲人：杨淼直流稳压电源各组成部分作用直流稳压电源各组成部分作用: :交流交流电压电压脉动脉动直流电压直流电压整流整流滤波滤波有波纹的有波纹的直流电压直流电压稳压稳压直流直流电压电压 项目项目1 设计与制作线性集成直流稳压电源设计与制作线性集成直流稳压电源 一、半导体的特性一、半导体的特性 1.1.半导体半导体导电能力介于导电能力介于导体导体和和绝缘体绝缘体之间的物质，常用硅之间的物质，常用硅(Si)(Si)、锗、锗(Ge)(Ge)和砷化镓和砷化镓(GaAs)(GaAs)等。等。 2.2.半导体的特性半导体的特性热敏性、光敏热敏性、光敏性

2、、掺杂性性、掺杂性 半导体基础知识半导体基础知识二、本征半导体化学成分二、本征半导体化学成分纯净的纯净的单晶结构半导体单晶结构半导体 1.1.硅和锗简化原子结构模型硅和锗简化原子结构模型硅和锗都是四价元素，原子最外层有硅和锗都是四价元素，原子最外层有4 4个价电子个价电子。sisi硅原子硅原子Ge锗原子锗原子Ge+4+4硅和锗最外层轨硅和锗最外层轨道上的四个电子道上的四个电子称为称为价电子价电子。束缚电子束缚电子 把把硅或锗材料制成单晶体时硅或锗材料制成单晶体时, , 价电子不仅受到自身原子核价电子不仅受到自身原子核的约束，还要受到相邻原子的约束，还要受到相邻原子核的吸引，使得核的吸引，使得每

3、个价电子每个价电子为相邻原子所共有，从而形为相邻原子所共有，从而形成共价键。成共价键。2.2.本征半导体共价键晶体结构本征半导体共价键晶体结构+4+4+4+4+4+4+4+4+4 本征半导体的共价键结构本征半导体的共价键结构在在T=0KT=0K时，所有的价电时，所有的价电子被共价键紧紧束缚在共子被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为价键中，不会成为自由电自由电子子，故本征半导体导电能故本征半导体导电能力很弱，接近绝缘体。力很弱，接近绝缘体。这一现象称为这一现象称为本征激发本征激发，也称也称热激发热激发 当温度升高或受到光的当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增照射时，束缚电子能量增高，有的电

4、子可以挣脱原高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电子核的束缚，而参与导电，成为，成为自由电子自由电子。自由电子自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴 自由电子产生的同自由电子产生的同时，在其原来的共价键时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，中就出现了一个空位，称为称为空穴空穴。 自由电子自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴电子空穴对电子空穴对2) 2) 本征激发产生的载流子电子和空穴本征激发产生的载流子电子和空穴本征激发产生电子空穴对本征激发产生电子空穴对空穴带正电，空穴带正电，它靠正离子吸引附它靠正离子吸引附近自由电子而移动近自由电子而移动电子带负电，电

5、子带负电，它能自由移它能自由移动动自由电子自由电子 带负电荷带负电荷 电子流电子流+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子自由电子E载流子载流子空穴空穴 带正电荷带正电荷 空穴流空穴流本征半导体的导电性取决于外加能量：本征半导体的导电性取决于外加能量：温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化3) 导电原理导电原理复合现象复合现象 激发和复合矛盾激发和复合矛盾由于本征激发产生的电子由于本征激发产生的电子空穴对的数目很少，则本空穴对的数目很少，则本征半导体中载流子浓度很征半导体中载流子浓度很低，其导电能力很弱。低，其导电能力很弱。 热敏和光敏特性热敏

6、和光敏特性 掺杂特性掺杂特性 444454444杂质原子提供的多余的电子杂质正离子(a)三、杂质半导体三、杂质半导体1. N1. N型半导体（电子型）型半导体（电子型） 本征硅本征硅( (或锗或锗) )中掺中掺入少量的五价元素入少量的五价元素( (如磷、砷、锑等如磷、砷、锑等) )，多多数载流数载流子是电子子是电子，少数载流子（本征激少数载流子（本征激发引起）是空穴发引起）是空穴。 掺入杂质（微量有用）的半导体掺入杂质（微量有用）的半导体N型半导体（电子型）型半导体（电子型）多余电子多余电子磷原子磷原子砷等砷等硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+4+4+5+N型半导体施主离子施主离子自由电子

7、自由电子电子空穴对电子空穴对 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。空穴空穴硼原子硼原子硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+3+4+4P型半导体受主离子受主离子空穴空穴电子空穴对电子空穴对2.2.P型半导体（空穴型）型半导体（空穴型）杂质半导体的示意图杂质半导体的示意图+N N型半导体型半导体多子多子电子电子少子少子空穴空穴P P型半导体型半导体多子多子空穴空穴少子少子电子电子耗尽层耗尽层势垒层势垒层内电场内电场E因多子浓度差因多子浓度差形成内电场形成内电场多子的扩散多子的扩散 空间电荷区空间电荷区 阻止多子扩散，促使少子漂移。阻止多子扩散，

8、促使少子漂移。PNPN结合结合+P型半导体+N型半导体+空间电荷区空间电荷区多子扩散电流多子扩散电流少子漂移电流少子漂移电流三、三、PNPN结及单向导电特性结及单向导电特性少子飘移少子飘移补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E多子扩散多子扩散 又失去多子，耗尽层宽，又失去多子，耗尽层宽，EP型半导体+N型半导体+内电场E多子扩散电流多子扩散电流少子漂移电流少子漂移电流耗尽层耗尽层动态平衡：动态平衡：扩散电流扩散电流 漂移电流漂移电流总电流总电流0(1) 加正向电压加正向电压(正偏正偏)电源正极接电源正极接P区，负极接区，负极接N区区 外电场的方向与内电场方向相反外电

9、场的方向与内电场方向相反 外电场削弱内电场外电场削弱内电场耗尽层变窄耗尽层变窄 扩散运动漂移运动扩散运动漂移运动多子多子扩散形成正向电流扩散形成正向电流I I F F+P型半导体+N型半导体+WER空间电荷区内电场E正向电流正向电流 2. PN PN结的单向导电性结的单向导电性(2) 加反向电压加反向电压电源正极接电源正极接N区，负极接区，负极接P区区 外电场的方向与内电场方向相同。外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场外电场加强内电场 耗尽层变宽耗尽层变宽 漂移运动扩散运动漂移运动扩散运动少子漂移形成反向电流少子漂移形成反向电流I I R R+内电场+E+EW+空 间 电 荷 区+

10、R+IRPN 在一定的温度下，由本在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是征激发产生的少子浓度是一定的，故一定的，故IR基本上与外基本上与外加反压的大小无关加反压的大小无关，所以所以称为称为反向饱和电流反向饱和电流。但。但IR与温度有关。与温度有关。 PNPN结加正向电压时，具有较大的正向扩结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，散电流，呈现低电阻， PNPN结导通；结导通； PNPN结加反向电压时，具有很小的反向漂结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，移电流，呈现高电阻， PNPN结截止。结截止。 由此可以得出结论：由此可以得出结论：PNPN结具有单向导电结具有单

11、向导电性。性。半导体的半导体的特点？特点？杂质半导体有杂质半导体有哪两种？各自哪两种？各自特点是什么？特点是什么？PN结的特结的特点是什么？点是什么？热激发现象热激发现象是指什么？是指什么？为什么本征半为什么本征半导体导电能力导体导电能力很弱？很弱？二极管结构、符号和类型二极管结构、符号和类型二极管二极管类型类型按材料分按材料分硅二极管硅二极管锗二极管锗二极管按结构分按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型点接触型点接触型 正极正极 引线引线触丝触丝N型锗片型锗片外壳外壳负极负极 引线引线负极引线负极引线 面接触型面接触型N型锗型锗PN结结 正极引线正极引线铝合金铝合金小球小球底座底座金锑金锑

12、 合金合金平面型平面型正极正极引线引线负极负极引线引线集成电路中平面型集成电路中平面型pNP型支持衬底型支持衬底砷化镓二极管砷化镓二极管 按用途分按用途分: :有整流、稳压、开关、发光、光电、有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管变容、阻尼等二极管 按封装形式分按封装形式分: :有塑封及金属封等二极管。有塑封及金属封等二极管。 按功率分按功率分: :有大功率、中功率及小功率等二极有大功率、中功率及小功率等二极管。管。 二、半导体二极管的伏安特性二、半导体二极管的伏安特性 硅：硅：0.5 V 锗：锗： 0.1 V(1) 正向特性正向特性导通压降导通压降反向饱和电流反向饱和电流(2)

13、反向特性反向特性死区死区电压电压iu0击穿电压击穿电压UBR实验曲线实验曲线uEiVmAuEiVuA锗锗 硅：硅：0.7 V 锗：锗：0.3V 1. 1. 正向特性正向特性 当正向电压较小时当正向电压较小时, ,正向电流极小（几乎为零）正向电流极小（几乎为零）, ,这一部分称这一部分称为为 , ,相应的相应的A(A)A(A)点的电压称为点的电压称为 电压电压或或门槛电压门槛电压( (也称也称阈值阈值电压电压),),硅管约为硅管约为 V,V,锗管约为锗管约为 V V, ,如图中如图中OA(OA)OA(OA)段。段。 当正向电压超过门槛电压时当正向电压超过门槛电压时, ,正向电流就会急剧地增大正向

14、电流就会急剧地增大, ,二极管呈二极管呈现很现很 电阻而处于导通状态。这时电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为硅管的正向导通压降约为 V,V,锗管约为锗管约为 V V, ,如图中如图中AB(AB)AB(AB)段。段。 0.20.40.60.8O5101530 U(BR)CCDDIRAABB硅锗iV / mAuV / V(A)5 二极管正向导通时二极管正向导通时, ,要特别注意它的正向要特别注意它的正向电流不能超过最大值电流不能超过最大值, ,否则将烧坏否则将烧坏PNPN结。结。 2.2.反向特性反向特性 二极管两端加上反向电压时二极管两端加上反向电压时, ,在开始很在开始很大范围内大

15、范围内, ,二极管相当于非常二极管相当于非常 的电阻的电阻, ,反向电流反向电流 , ,且且 反向电压而变化。反向电压而变化。此时的电流称之为此时的电流称之为 I IR R, ,见图中见图中OCOC（OCOC）段。）段。 4.4.温度对特性的影响温度对特性的影响 温度升高时温度升高时二极管正向特性曲线向左二极管正向特性曲线向左移动移动, ,正向压降减小正向压降减小; ;反向特性曲线反向特性曲线向下移动向下移动, ,反向电流增大反向电流增大。ui0TTUBR3.3.反向击穿特性反向击穿特性 由伏安特性看出，由伏安特性看出，当反向电压超过当反向电压超过U UBRBR后稍有后稍有增加时，反向电流急剧

16、增加增加时，反向电流急剧增加, , 这种现象称这种现象称为为 , , U UBRBR称为称为 。三、1. 1. 最大整流电流最大整流电流I IF F是二极管允许通过的最大正是二极管允许通过的最大正向平均电流向平均电流。超过超过, , 二极管将过热而烧毁。二极管将过热而烧毁。 2.2.最大反向工作电压最大反向工作电压M M：二极管允许的最大二极管允许的最大工作电压工作电压。当反向电压超过此值时当反向电压超过此值时, , 二极管二极管可能被击穿。为了留有余地可能被击穿。为了留有余地, , 通常取击穿电通常取击穿电压的一半作为压的一半作为M M。3.3. 反向饱和电流反向饱和电流I IR R指二极管

17、未击穿时的反向电指二极管未击穿时的反向电流值流值。 （越小单向导电性越好）4.4. 最高工作频率最高工作频率f fM M（超过时单向导电性变差）（超过时单向导电性变差）死区电压死区电压=0 ， 工程实践中，当二极管的正向压降远小于和它串联工程实践中，当二极管的正向压降远小于和它串联的电压，反向电流远小于和它并联的电流时，认为二极的电压，反向电流远小于和它并联的电流时，认为二极管是理想的。管是理想的。特性特性uDiD符号及等符号及等效模型效模型SS正偏导通正偏导通，uD= 0 ; 反偏截止反偏截止， iD= 0 U(BR)= uDiDUD(on)uD = UD(on)0.7 V (Si)0.2

18、V (Ge)UD(on) 例例1. 1 硅二极管，硅二极管，R = 2k ，分别用二极管理想模型和恒分别用二极管理想模型和恒压降模型求出压降模型求出VDD = 2V 、 10V 时时 IO 和和 UO 的值。的值。UOVDDIORUOVDDIORUD(on)UOVDDIOR理想理想IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA)UO = VDD = 2V恒压降恒压降 UO = VDD UD(on) = 2 0.7 = 1.3 (V)IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA)VDD= 10V 理想理想IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA)恒压

19、降恒压降 UO = 10 0.7 = 9.3 (V)IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA) 结论：结论： VDD 大采用理想模型大采用理想模型 VDD 小用恒压降模型小用恒压降模型二二极极管管电电路分析路分析举举例例例例1. 2 试求电路中电流试求电路中电流 I1、I2、IO和和UO的值的值。解：解：假设二极管断开假设二极管断开UP = 15V(V) 9 12 31 3N UUP UN二极管导通二极管导通等效为等效为0.7 V 的恒压源的恒压源 UO= VDD1 UD(on)= 15 0.7 = 14.3 (V)IO= UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA)I2 =

20、 (UO VDD2) / R = (14.3 12) / 1 = 2.3 (mA)I1= IO + I2= 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA)VDD1VDD2UORLR1k 3k IOI1I215V12VPN例例1. 3 ui = 2 sin t (V), 分析二极管的限幅作用。分析二极管的限幅作用。ui 较小，宜采用恒压降模型较小，宜采用恒压降模型V1V2uiuOR 0.7V ui 0.7VV1、V2均截止均截止uO uiuO 0.7Vui 0.7VV2导通导通V截止截止ui ID ；UR URM桥式全波整流电路如图所示，若电路中二极管出现桥式全波整流电路如图所示，若电路中二极管出现下

21、述各种情况，电路会出现什么问题？下述各种情况，电路会出现什么问题？ （1）VD1因虚焊而开路。因虚焊而开路。（2）VD2被短路。被短路。（3）VD3极性接反。极性接反。（4）VD1、D2极性都接反。极性都接反。（5）VD1开路，开路，D2短路。短路。 桥式整流电路桥式整流电路 简化图简化图 + uo RLio+ u2 整流桥整流桥把四只二极管封装把四只二极管封装 在一起称为整流桥在一起称为整流桥 +4123243Vuo uVV21LVR集成硅整流桥：集成硅整流桥：u2uL+ +- +相同极性接在一起的一对顶相同极性接在一起的一对顶点接向直流负载点接向直流负载R RL L, ,不同极不同极性性接

22、在一起的一对顶点接向接在一起的一对顶点接向交流电源。交流电源。第一步第一步 按下图连接电路，注意电解电容的极性按下图连接电路，注意电解电容的极性第二步第二步 第三步第三步 第四步第四步 用万用表直流和交流档分别测量接入不同电容和负载时，用万用表直流和交流档分别测量接入不同电容和负载时，输出电压中所包含直流电压和交流电压的大小输出电压中所包含直流电压和交流电压的大小RL先不接，分别接入先不接，分别接入10、470 F电容，用示波器观察波形电容，用示波器观察波形接入接入RL= =1K1K、100100 ，再次用示波器观察输出波形再次用示波器观察输出波形上页上页下页下页1. 1. 电容滤波电容滤波+

23、412321R220V+Lu-uL2uD4D3DD1C （1）空载（）空载（RL=）时：）时：u2t uLtuc=uL+41232u2DCL31DD-220VD+14uuucu2 uC时：时：二极管导通，二极管导通，C充电充电u2 uC时：时：二极管截止，二极管截止，C放电。放电。由于由于RL=，无放电回，无放电回路，所以路，所以uC保持。保持。22uuuCL （2）接入）接入RL（且（且RLC较大）时较大）时u2tiDtu2 uC时时 C充电充电u2 uC时时 C放电放电二极管中二极管中的电流的电流uc= uL+412321R220V+Lu-uL2uD4D3DD1Cuc（4 4） 元件选择元

24、件选择1) 电容选择: 滤波电容C的大小取决于放电回路的时间常数, RLC愈大, 输出电压脉动就愈小, 通常取RLC为脉动电压中最低次谐波周期的35倍, 即 （3 3）负载上电压的计算）负载上电压的计算UUUUOO222 .11 .11（半波）（半波）（桥式、全波）（桥式、全波）TCTCRRLL)53(2)53(（桥式、全波）（桥式、全波）（半波）（半波）（5）电容滤波的特点 电容滤波电路结构简单、输出电压高、脉动小。但在接通电源的瞬间,将产生强大的充电电流,这种电流称为“浪涌电流”;同时,因负载电流太大,电容器放电的速度加快,会使负载电压变得不够平稳,所以电容滤波电路只适用于负载电流较小的场

25、合。 2) 2) 整流二极管的选择整流二极管的选择 正向平均电流为正向平均电流为 IIIIOVOV21（半波）（半波）（桥式）（桥式）+4123LD+DLu4-R220V32DD1u21uL2.2.电感滤波电路电感滤波电路电路结构电路结构: 在桥式整流电路与负载间串入一电感在桥式整流电路与负载间串入一电感L。对谐波分量对谐波分量: f 越高，越高，XL 越大越大,电压大部分降在电感上，电压大部分降在电感上，因此，因此，在输出端得到比较平滑的直流电压。在输出端得到比较平滑的直流电压。对直流分量对直流分量: XL=0 相当于短路相当于短路,电压大部分降在电压大部分降在RL上。上。为进一步改善滤波特

26、性，可将上述滤波电为进一步改善滤波特性，可将上述滤波电路组合起来使用。路组合起来使用。LC LC 滤波电路滤波电路+uo+-LCu-i+u+u-iC-oRC12RCRC型滤波电路型滤波电路C1、C2对交流对交流容抗小容抗小L 对交流对交流感抗感抗很很大大 例例1.3 单相桥式电容滤波整流，交流电源频率单相桥式电容滤波整流，交流电源频率f = 50 Hz,负载电阻负载电阻RL = 40 ,要求直流输出电压要求直流输出电压UO = 20V, 选择整流选择整流二极管及滤波电容。二极管及滤波电容。 解解:V172 . 1V202 . 1O2 UU2RM2UU 选二极管应满足选二极管应满足:IF (2

27、3) ID可选可选: 2CZ55C(IF = 1 A， URM = 100 V)或或1 A、100 V 整流桥整流桥电流平均值电流平均值: A0.25 40V 20212121LOOD RUII承受最高反压：承受最高反压：V 2422RM UUsfT02. 05011 s 04. 024L TCR取取F 1000 40s 0.04 C可选可选： 1000 F, 耐压耐压50 V 的电解电容的电解电容上页上页下页下页第一第一半波整流：半波整流：UL=0. 45U2 URM=1.4U2桥式整流：桥式整流：UL=0.9U2 URM=1.4U2第二第二电容滤波（桥式整流）：电容滤波（桥式整流）： UL

28、=1.2U2电感滤波：电感滤波： UL=0.9U布置课后资讯任务布置课后资讯任务p详见任务详见任务3-1行动工作页行动工作页上页上页下页下页任务任务3 稳压电路的测试与分析稳压电路的测试与分析能力目标会用万用表测量稳压二极管，判别正负极及好坏，能合理选用稳压管及限流电阻； 会分析稳压管稳压电路；能对三端稳压器电路进行分析和计算。 知识目标掌握稳压管稳压电路的稳压原理 ； 掌握三端集成稳压器的使用方法；掌握三端集成稳压器电路的组成及工作原理。 直流稳压电源直流稳压电源把交流电变成直流电经过哪些环节？把交流电变成直流电经过哪些环节？ 滤波滤波整流整流稳压稳压变压变压交交流流 电电源源负负 载载Ot

29、uOtuOtuOtuOtu220V单向单向 脉动电压脉动电压合适的合适的 交流电压交流电压滤波滤波稳压稳压稳压管与三端稳压器稳压管与三端稳压器CW1171 2 3CW78051 2 3CW79051 2 3CW1371 2 3布置课堂操作任务布置课堂操作任务p本次课堂训练操作将记录成绩本次课堂训练操作将记录成绩第一步第一步 按图画好仿真电路（注意：电阻选用虚拟元件，按图画好仿真电路（注意：电阻选用虚拟元件，稳压管选用现实元稳压管选用现实元件）件）第二步第二步 第三步第三步 改变输入电压的值，观察改变输入电压的值，观察并记录并记录万用表万用表XMM1XMM1测量测量的负载的负载R RL L两端输

30、出电压的值两端输出电压的值； 改变负载大小，改变负载大小，记录记录万用表所测量的输出电压值万用表所测量的输出电压值。课堂交流输入电源电压或者负载发生变化时，稳压管稳压电路能否实现稳压作用？输出大约在多少V左右？但稳压电路实现稳压作用时，对输入电源电压和负载变化的范围有没有限制？iZ /mAuZ/VO UZ IZmin IZmax IZ1. 稳压原理稳压原理（R为限流电阻）为限流电阻）UO= Ui I R当当Ui 波动时波动时(RL不变不变)OZOL UIIURiU OU ZII OU反之亦然反之亦然当当 RL 变化时（变化时（ Ui 不变）不变）反之亦然反之亦然+UDziLRz-oU-+RUI

31、ZILI2.2.限流电阻的计算限流电阻的计算（1 1）当）当U Uiminimin，I ILmaxLmax时，则时，则I IZ Z最小。由此可计算出最小。由此可计算出稳压电阻的最大值稳压电阻的最大值。即。即LmaxZminZiminmax=IIUUR+UDziLRz-oU-+RUIZILI （2 2）当）当U Uimaximax，I ILminLmin时，则时，则I IZ Z最大。由此可计最大。由此可计算出算出稳压电阻的最小值稳压电阻的最小值。即。即LminZmaxZimaxmin=IIUUR+UDziLRz-oU-+RUIZILImaxmin U 4.4.输出正、负电压的电路输出正、负电压的

32、电路24V24V220VW7815W79151000 F 220 F 0.33 F0.33 F0.1 F+1000 F 0.1 F220 F 第二步第二步 调节可变电阻调节可变电阻R R1 1的值，观察的值，观察并记录并记录万用表万用表XMM1XMM1测量的输出电压的值测量的输出电压的值 ；第三步第三步 改变改变输入电压为输入电压为2020V V，重复步骤二。重复步骤二。第一步第一步 按图画好仿真电路；按图画好仿真电路；课堂交流当调节可变电阻R1的值时，输出电压怎样变化 ？输出电压的最小值为多少？输出电压的最大值为多少？当与R1的R2比值越大，输出电压怎样变化？这个结果能说明什么道理？1. 1

33、. 三端可调输出集成稳压器三端可调输出集成稳压器CW117/217/317系列（正电源）系列（正电源）CW137/237/337系列（负电源）系列（负电源）工作工作温度温度CW117(137) - -55 150 CCW217(237) - -25 150 CCW317(337) 0 125 C基准基准电压电压1. 25 V输出输出电流电流L型型 输出电流输出电流100 mAM型型 输出电流输出电流500 mACW1171 2 3UIUOADJCW1371 2 3UIUOADJ电容电容C C 1 1 ：防止自激。防止自激。电容电容C C 2 2：减小电阻减小电阻R R 2 2上的电压波动。上的

34、电压波动。D D1 1、 D D2 2：保护二极管。保护二极管。2. 2. W117W117的基本应用电路的基本应用电路 +W1172R1R1C2CoUiUD11DW31712C1UOC20.1 F1 FUI(a)R1120RP3.5 k3 1.251.25V V是稳压器输出端与调整端间的固定参是稳压器输出端与调整端间的固定参考电压考电压U UREFREF; ; R R1 1一般取值一般取值120120240240(此值保证此值保证稳压器在空载时也能正常工作稳压器在空载时也能正常工作),),调节调节R RP P可改可改变变输出电压的大小输出电压的大小( (R RP P取值视取值视R RL L和

35、输出电压的大小和输出电压的大小而确定而确定) )。2. 2. W317W317的基本应用电路的基本应用电路 U Ui i在在2 24040V V间间, ,u uo o可在可在1.251.253737V V间调整。间调整。3. 0 03030V V连续可调电路连续可调电路Uo CW3173+UiC10.33 F10 FR1R2C31 FVC2R3+3 k 120 680 +32 V10 VA当当R2 = 0时，时，UO= 0VUA= 1.25 V第一第一 直流稳压电源的组成及各组成部分作用直流稳压电源的组成及各组成部分作用第二第二 稳压管稳压电路稳压原理及限流电阻的选择稳压管稳压电路稳压原理及限

36、流电阻的选择第三第三集成稳压器的类型、标识及正确选用集成稳压器的类型、标识及正确选用第四第四固定式三端稳压电路组成及电路中各元器件的作用固定式三端稳压电路组成及电路中各元器件的作用第五第五可调式三端稳压电路组成及电路中各元器件的作用可调式三端稳压电路组成及电路中各元器件的作用任务任务1-4: 线性直流稳压电源的设计与制作线性直流稳压电源的设计与制作 工作任务：集成稳压电源的设计、制作与调试 设计指标： （1）交流输入电压220V1050Hz （2）直流输出电流500A （3）直流输出电压1.25V9V （4）交流纹波5V 任务要求：完成原理图的设计、元器件参数的计算、元器件的选型、电路的制作与

37、调试、电路性能的检测、设计报告的编写。能力目标会用万用表测量稳压二极管，判别正负极及好坏，能合理选用稳压管及限流电阻； 会分析稳压管稳压电路；能对三端稳压器电路进行分析和计算。 知识目标知识目标掌握整流二极管、电容等元件的测试方法；掌握整流二极管、电容等元件的测试方法； 掌握三端集成稳压器的使用方法；掌握三端集成稳压器的使用方法；进一步掌握集成直流稳压电源的电路构成、电路中各元器件进一步掌握集成直流稳压电源的电路构成、电路中各元器件的作用及整流滤波部分工作原理。的作用及整流滤波部分工作原理。 线性直流稳压电源线性直流稳压电源组成框图组成框图滤波滤波整流整流稳压稳压变压变压交交流流 电电源源负负

38、 载载OtuOtuOtUOtUOtU220V单向单向 脉动电压脉动电压合适的合适的 交流电压交流电压滤波滤波稳压稳压三端可调式稳压器封装形式及管脚排列三端可调式稳压器封装形式及管脚排列CW3371 2 3UIUOADJCW3171 2 3UIUOADJ直流稳压电源的主要技术指标直流稳压电源的主要技术指标常用以下参数来说明稳压电源的质量：常用以下参数来说明稳压电源的质量：1 1、稳压系数、稳压系数00IIOOO / TIUUUU 2 2、输出电阻、输出电阻00OOoITUIUr3 3、温度系数、温度系数00OOI IUTTUS输出电压：输出电压：)(OIOTIUfU， 4 4、纹波电压：、纹波电压：指稳压电路输出端中含有的交