适配器产品如何满足六级能效byPI郭老师

1、六级能效及其解决方案CMG(日月随风)充电器及适配器的几个能效标准六级能效的挑战： DoE vs EPA2.0 ( 6级 vs 5级)+0.609+0.67六级能效的挑战： DoE vs EPA2.0 ( 6级 vs 5级)DoE vs CoC , Vo6VDoE- STDCoC-STD-Tier 1 CoC-STD -Tier 2 DoE vs CoC, Vo6VDoE- LVCoC-LV-Tier 1 CoC-LV -Tier 2 空载功耗如何提高平均效率1.主要方法1.随负载减小降低开关频率2.次级采用同步整流2.次要方法1.用Ae值更大的变压器2.用适当内阻的MOSFET降频模式提高轻

2、载效率降频模式提高轻载效率四个分立模式可以在整个负载范围内实现最高效率四个分立模式可以在整个负载范围内实现最高效率 全频模式 高负载条件下以固定频率(132 kHz)PWM方式工作 变频模式 中等负载条件下进行以固定电流限流点(55%)变频方式工作 低频模式 轻负载条件下以固定频率(30 kHz)PWM方式工作 多周期调制 待机和空载条件下以固定频率(30 kHz)、固定峰值电流和多周期进行调制视频演示不同负载下的效率20.5 W 效率：效率：80.8% 10.8 W 效率：效率：83.7% 6.25 W 效率：效率：85.7% 0.86 W 效率：效率：83.3% Embargoed unt

3、il November 11, 2014同步整流提高效率SR gatevoltageSecondary currentPrimary currentSR ONSR ONSR ONSR ONSR OFFSR OFFSR OFFSR OFF非连续方式 (DCM)连续方式(CCM) 初级MOS关断后150ns次级同步MOS导通 (DCM 和 CCM) 次级电流接近于0时同步MOS关闭(DCM) 初级MOS导通前150 ns 次级同步整流MOS关闭(CCM)ONONONONON5V/4A例子提高效率的次要方法1. 初级用适当大的MOSFET, 次级用大号肖特基或适当的MOSFET2. 大号变压器降低线

4、损，三明治绕线降低漏感一个典型电源待机功耗的分类1. 与开关工作无关的损耗 1）无功电流造成的损耗 2）启动损耗2. 与开关工作有关的损耗1) 嵌位电路损耗2) 供电绕组电容损耗3) 变压器分布电容引起的损耗4) MOSFET电容引起的损耗5) 控制部分的损耗输入部分的损耗无功电流造成RT的损耗交流电压造成R18,19的损耗脉冲电流造成T内阻的损耗加大电流有效值低T损耗比原来低启动损耗电源工作后此部分损耗继续存在恒流启动，启动完后关闭启动电路用MOSFET或JFET效果更好与开关工作有关的损耗fLiPP221损耗空载电源IC要有降频功能才能降低待机功耗尽量降低空载时电路的消耗是问题的本质空载时

5、需要传递的功率此时效率很低嵌位电路的损耗由于有电阻存在，每次开关都会产生损耗C29电压保持，最高200V，没有放电回路，没有放电损耗。R C的主要作用在于降低EMI嵌位电路的损耗RCD嵌位能量损耗掉TVS嵌位，电压保持无损耗嵌位电路的损耗尽量让每次开关的能量送到次级此处电压达到反射电压后能量才开始送到次级供电绕组的损耗IC消耗的电流是一定的，在保证不触发欠压保护的前提下尽量降低供电电压高频电容对降低损耗有利变压器的损耗由于待机时有效工作频率很低，并且一般限流点很小，磁通变化小，磁心损耗很小，对待机影响不大但绕组的影响不可忽略变压器绕组引起的损耗层间分布电容开通时通过MOS放电变压器绕组引起的损耗变压器分布电容贡献了主要部分变压器绕组引起的损耗加胶带降低分布电容MOSFET损耗存在驱动损耗、导通损耗和开关损耗，主要为开关损耗选用低栅荷的MOSFET输出嵌位电路损耗肖特基电容比较大，和C34一起反射到初级起到分布电容的作用。R41消耗能量CV2，输出电压高时这部分能量很大在满足EMI的要求下尽量降低C34的值输出嵌位电路损耗RC吸收的电流次级总电流两者之差，流过肖特基的电流输出