第一章二极管及其基本电路

1、11.1 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识一、一、半导体材料半导体材料导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。导电的物质。导电的物质。几乎不导电的物质。几乎不导电的物质。典型的半导体有典型的半导体有Si和和Ge以及以及GaAs等。等。2、半导体的特点半导体的特点1、什么是半导体什么是半导体:2GeSi+4电子器件中，用的最多的半导体材料是电子器件中，用的最多的半导体材料是硅硅和和锗锗。通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体晶体。1.1 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识3二、本征半导体二、本征半导体 完全纯净、

2、结构完整的半导体晶体。完全纯净、结构完整的半导体晶体。本征半导体本征半导体1.1 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 原子结构简化模型原子结构简化模型硅晶体的空间排列硅晶体的空间排列硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构 Si Si Si Si共价健共价健半导体的共价键结构半导体的共价键结构4载流子：运载电荷的粒子。载流子：运载电荷的粒子。本征激发：本征激发： 价电子在获得价电子在获得一定能量（温度升高或受一定能量（温度升高或受光照）后，挣脱原子核的光照）后，挣脱原子核的束缚，成为束缚，成为自由电子自由电子（带（带负电），同时共

3、价键中留负电），同时共价键中留下一个空位，称为下一个空位，称为空穴空穴（带正电）。（带正电）。+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子自由电子空穴空穴在在T=0K和无外界激发时，没有和无外界激发时，没有载流子载流子，不导电。，不导电。1.1 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识二、本征半导体二、本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体晶体。完全纯净、结构完整的半导体晶体。本征半导体本征半导体空穴空穴：共价键中的空位：共价键中的空位。电子空穴对电子空穴对：由热激发由热激发而产生的自由电子和空而产生的自由电子和空穴对。穴对。空穴的移动空穴的移动：相邻共价相邻共价键中的价电子

4、依次充填键中的价电子依次充填空穴来实现。空穴来实现。本征半导体内的自由电子和空穴总是成对出现的。本征半导体内的自由电子和空穴总是成对出现的。+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子自由电子空穴空穴1.1 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识6结论：结论：(1) 半导体有半导体有两种载流子两种载流子（负）电子、（正）空穴（负）电子、（正）空穴(2) 自由电子和自由电子和空穴成对产生，同时又不断复合。空穴成对产生，同时又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目半导体中载流子便维持

5、一定的数目。(3) 载流子的数量受温度影响较大，温度高数量就多。载流子的数量受温度影响较大，温度高数量就多。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。(4) 载流子的数量少，故导电性能很差。载流子的数量少，故导电性能很差。(5) 当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（漂移当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（漂移运动），在半导体中将出现两部分电流运动），在半导体中将出现两部分电流： 自由电子作定向运动自由电子作定向运动 电子电流电子电流 价电子递补空穴价电子递补空穴 空穴电流空穴电流1.1 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识三、杂质半导体：三、杂质半

6、导体： 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体杂质半导体。 N型半导体型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。半导体。 P型半导体型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的掺入三价杂质元素（如硼）的半导体半导体。 【Positive】【Negative】8 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴1. P型半导体型半导体掺杂后空穴数目大掺杂后空穴

7、数目大量增加，空穴导电成为量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电这种半导体的主要导电方式，称为方式，称为空穴空穴半导体半导体或或 P P型型半导体。半导体。掺入三价元素（如硼）掺入三价元素（如硼）自由电子：自由电子：少子（少数载流子）少子（少数载流子）主要由杂质原子提供主要由杂质原子提供空穴：空穴：多子（多数载流子）多子（多数载流子）由热激发形成由热激发形成 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子负离子。三价杂质。三价杂质 因而也称为因而也称为受主杂质受主杂质。三、杂质半导体三、杂质半导体92. N型半导体型半导体失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离

8、子掺入五价元素（如磷）掺入五价元素（如磷） 掺杂后电子数目大量掺杂后电子数目大量增加，电子导电成为这种增加，电子导电成为这种半导体的主要导电方式，半导体的主要导电方式，称为称为电子电子半导体或半导体或 N型型半半导体。导体。自由电子自由电子 :多子多子 空穴空穴 :少子少子主要由杂质原子提供主要由杂质原子提供由热激发形成由热激发形成 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子正离子，因因此五价杂质原子也称为此五价杂质原子也称为施主杂质施主杂质。 Si Si Si Si多多余余电电子子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子pp+磷原子磷原

9、子三、杂质半导体三、杂质半导体10杂质半导体的示意表示杂质半导体的示意表示 +P型半导体型半导体N型半导体型半导体少子浓度少子浓度只与温度有关只与温度有关多子浓度多子浓度主要受掺入杂质浓度的影响主要受掺入杂质浓度的影响负离子负离子空穴空穴正离子正离子自由电子自由电子注意：注意：半导体中的正负电荷数是相等的，其作半导体中的正负电荷数是相等的，其作用相互抵消，因此用相互抵消，因此对外保持电中性对外保持电中性。三、杂质半导体三、杂质半导体11四、四、PNPN结的形成及特性结的形成及特性1.载流子的漂移与扩散载流子的漂移与扩散载流子的载流子的运动：运动：扩散扩散运动运动浓度差产生的载流子移动浓度差产生

10、的载流子移动漂移漂移运动运动在电场作用下，载流子的移动在电场作用下，载流子的移动2.2.PN结的形成结的形成12PN结形成的物理过程：结形成的物理过程：空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散内电场阻止多子扩散 最后最后,多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡。多子的扩散运动多子的扩散运动杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 扩散扩散 漂移漂移否否是是宽宽PN结的形成过程可分成结的形成过程可分成4步：步：13耗尽层耗尽层PNPN结结势垒区势垒区阻挡层阻挡层V0（电位势垒）（电位势垒）2.2.PN结的

11、形成结的形成+-内电场143.PN结的单向导电性结的单向导电性定义：定义： 加加正向电压正向电压，称加正向偏置电压，简称，称加正向偏置电压，简称正偏。正偏。加加反向电压反向电压，称加反向偏置电压，简称，称加反向偏置电压，简称反偏。反偏。 PN结的单结的单向导电性只有在向导电性只有在外加电外加电压时压时才会显示出来才会显示出来PN结加正向电压：结加正向电压：P区接正，区接正，N区接负区接负PN结加反向电压：结加反向电压：P区接负，区接负，N区接正区接正15PN结结加正向电压加正向电压:P区接正，区接正，N区接负区接负 +外电场外电场P区区N区区多子空穴多子空穴多子电子多子电子VF空间电荷区空间电

12、荷区内电场内电场3.PN结的单向导电性结的单向导电性变薄变薄16 +变薄变薄内电场内电场外电场外电场P区区N区区IFVFI：扩散电流扩散电流内电场被削弱，多子的扩散加内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流强，形成较大的扩散电流I。小结小结3.PN结的单向导电性结的单向导电性PN结结加正向电压加正向电压:P区接正，区接正，N区接负区接负17内外电场方向内外电场方向相反相反，故，故势垒降低，有利于势垒降低，有利于扩散扩散运动运动的进行。的进行。PN 结加正向电压时，结加正向电压时，正向电阻较小，处于导通状态。正向电阻较小，处于导通状态。3.PN结的单向导电性结的单向导电性PN结结加正向电

13、压加正向电压:P区接正，区接正，N区接负区接负18 PN结结加加反反向电压向电压：P区接负，区接负，N区接正区接正 +空间电荷区空间电荷区内电场内电场外电场外电场P区区N区区少子电子少子电子少子空穴少子空穴VR漂移运动漂移运动3.PN结的单向导电性结的单向导电性 +内电场内电场外电场外电场P区区N区区VR变厚变厚IRI：漂移电流：漂移电流反向电流反向电流温度一定时温度一定时，反向，反向电流电流IR趋于恒定值，趋于恒定值，称为称为反向饱和电流反向饱和电流IS。3.PN结的单向导电性结的单向导电性 PN结结加加反反向电压向电压：P区接负，区接负，N区接正区接正20 +内电场内电场外电场外电场P区区

14、N区区VR变厚变厚IRI：漂移电流：漂移电流小结小结内电场被加强，多子的扩散受抑制。内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流能形成较小的反向电流IR。3.PN结的单向导电性结的单向导电性 PN结结加加反反向电压向电压：P区接负，区接负，N区接正区接正21内外电场方向内外电场方向相同相同，故，故势垒升高，有利于势垒升高，有利于漂移漂移运动运动的进行。的进行。PN 结加反向电压时，结加反向电压时，反向电阻较大，处于截止状态反向电阻较大，处于截止状态。3.PN结的单向导电性结的单向导电性 PN结结加加反反向电压向电压：P区接

15、负，区接负，N区接正区接正22归纳：归纳： PN结加正向电压时，具有较大的正向结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流扩散电流，呈现低电阻，呈现低电阻， PN结结导通导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流漂移电流，呈现高电阻，呈现高电阻， PN结结截止截止。在于它的耗尽层的存在，且其宽度随外加电压而变化。在于它的耗尽层的存在，且其宽度随外加电压而变化。关关 键键这就是这就是PN结的结的单向导电性单向导电性。3.PN结的单向导电性结的单向导电性23 PN结结V-I特性：特性：PN结方程结方程PN结的伏安特性结的伏安特性其中：其中：)e(IiTDnV/vSD

16、1 IS 反向饱和电流反向饱和电流VT 温度的电压当量温度的电压当量常温下（常温下（T=300K）V026. 0 qkTVTmV 26 近似近似估算估算正向正向：TDnV/vSDeIi 反向反向：SDIi vD PN结两端的外加电压结两端的外加电压n 发射系数发射系数陡峭陡峭电阻小电阻小正向导通正向导通非线性非线性特性平坦特性平坦反向截止反向截止 一一定的温度条件下，由本征激发定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的决定的少子浓度是一定的iD/mAVBRvD/ViD=-IS) 1 e ( I iTDV vSDIFIR(A)反向击穿电压反向击穿电压反向击穿反向击穿电击穿电击穿热击穿热击穿

17、雪崩击穿雪崩击穿齐纳击穿齐纳击穿可逆可逆不可逆不可逆 4.PN结的反向击穿结的反向击穿25 5.PN结的电容效应结的电容效应 (1) 势垒电容势垒电容CB(2) 扩散电容扩散电容CDPN结在反偏时主要考虑结在反偏时主要考虑势垒电容。势垒电容。PN结在正偏时主要考虑扩散结在正偏时主要考虑扩散电容。电容。+NPpLx浓浓度度分分布布耗耗尽尽层层NP区区区区中中空空穴穴区区中中电电子子区区浓浓度度分分布布nL261.2 1.2 半导体二极管及其基本应用电路半导体二极管及其基本应用电路一、二极管的结构一、二极管的结构PN结结加上引线和封装加上引线和封装 二极管二极管按材料分按材料分硅管硅管锗管锗管按用

18、途分按用途分普通管普通管整流管整流管阴极阴极阳极阳极符号符号D按结构分类按结构分类点接触型点接触型 面接触型面接触型平面型平面型1.2 1.2 二极管二极管阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触型面接触型1.2 1.2 二极管二极管29半导体二极管图片半导体二极管图片1.2 1.2 二极管二极管30国家标准对半导体器件型号

19、的命名举例国家标准对半导体器件型号的命名举例：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的材料，代表器件的材料，A为为N型型Ge，B为为P型型Ge， C为为N型型Si， D为为P型型Si。2代表二极管，代表二极管，3代表三极管。代表三极管。代表器件的类型，代表器件的类型，P为普通管，为普通管，Z为整流管，为整流管，K为开关管。为开关管。1.2 1.2 二极管二极管图图1.2.3 锗二极管的锗二极管的V-I特性特性二、二极管的二、二极管的V-I 特性特性反向击穿特性反向击穿特性反向特性反向特性正向特性正向特性vDiDiD=f(vD)1e (/SDD TVIiv1

20、.2 1.2 二极管二极管图图1.2.2 硅二极管的硅二极管的V-I特性特性 VthV（BR）vD/ViD/mAiD/A两点说明：两点说明：关于死区电压关于死区电压二、二极管的二、二极管的V-I 特性特性两点注意：两点注意：关于死区电压关于死区电压与温度的关系与温度的关系在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。二极管的特性对温度很敏感。导通电压：导通电压：VD = 0.7V（硅）（硅） VD = 0.2V（锗）（锗） 反向饱和电流：反向饱和电流：硅：硅：0.1 A；锗：；锗：10

21、A330 D/V0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 405101520 10 20 30 40iD/ AiD/mA死区死区VthVBR3.3 3.3 二极管二极管三、二极管的三、二极管的主要参数：主要参数：(1) 最大整流电流最大整流电流IF(2) 反向击穿电压反向击穿电压VBR和最大反向工作电压和最大反向工作电压VRM(3) 反向电流反向电流IR(5) 反向恢复时间反向恢复时间TRR(4) 极间电容极间电容CjBDjCCCPN结高频小结高频小信号时的等信号时的等效电路：效电路：jCd dr r34四、二极管的基本电路及其分析方法四、二极管的基本电路及其分析方法1.2 1.2 二

22、极管二极管理想二极管符号理想二极管符号a.理想模型理想模型iDvDvDiDv 正偏时，管压降为正偏时，管压降为0V，即，即vD=0V；适用适用当电源电压远比二极当电源电压远比二极管的管压降大时可用管的管压降大时可用1. 二极管二极管V- I 特性的建模特性的建模v 反偏时，认为反偏时，认为R=，电流为，电流为0。35b.恒压降模型恒压降模型恒压降模型恒压降模型 当二极管导通后，认当二极管导通后，认为其管压降为其管压降vD=VON。常取常取vD硅硅=VON=0.7V vD锗锗=VON=0.2V适用适用 只有当二极管的电流只有当二极管的电流iD近似近似等于或大于等于或大于1mA时才正确。时才正确。

23、1. 二极管二极管V- I 特性的建模特性的建模应用较广泛。应用较广泛。36iDvDVthVthvDiDc.折线模型折线模型折线模型折线模型 当二极管正向当二极管正向vD大于大于Vth后其后其电流电流iD与与vD成线性关系，直线成线性关系，直线斜率为斜率为1/rD。 截止时反向电流为截止时反向电流为0 Vth为二极管的门槛电压，硅为二极管的门槛电压，硅管约为管约为0.5V，锗管约为，锗管约为0.1V。1. 二极管二极管V- I 特性的建模特性的建模斜率斜率1rD rD的确定：的确定：假设当二极管的导通电流为假设当二极管的导通电流为1mA时，管压降时，管压降vD=0.7V，则有：，则有：vD=V

24、th+iDrD200mA1V0.5)(0.7iVv rDthDD适用适用电源电压较低时的情况电源电压较低时的情况37c. 折线模型折线模型 a. 理想模型理想模型 b. 恒压降模型恒压降模型正偏：正偏：反偏：反偏：D Dvv vDv D 二极管的导通压降。二极管的导通压降。硅管硅管 0.7V；锗管；锗管 0.2V。D Dvv DthDDiVvr v th 二极管的门坎电压。二极管的门坎电压。硅管硅管 0.5V；锗管；锗管 0.1V。1. 二极管二极管V- I 特性的建模特性的建模38d. 小信号模型小信号模型1. 二极管二极管V- I 特性的建模特性的建模vDvDVDD微变电阻微变电阻DDiv

25、driDvs =Vmsin t （VmVT 。 常温下常温下（T=300K）)mA()mV(26DDdIIVrT 402模型分析法应用举例模型分析法应用举例二极管主要应用：整流、限幅、钳位、开关、元件保护、温度二极管主要应用：整流、限幅、钳位、开关、元件保护、温度 补偿等。补偿等。（1 1）整流电路：）整流电路：二极管半波整流二极管半波整流( (理想模型理想模型) )vsvottRvsvo+-+-412模型分析法应用举例模型分析法应用举例（2 2）限幅电路：）限幅电路： 一限幅电路如图所示，一限幅电路如图所示，R = 1k，VREF = 3V，二极管为硅二，二极管为硅二极管。极管。 当当vI

26、= 0V、4V、6V时，求相应的输出电压时，求相应的输出电压vO的值；的值； 当当vI = 6 sint (V)时，分别对于理想模型和恒压降模型绘出相应时，分别对于理想模型和恒压降模型绘出相应的输出电压的输出电压vO的波形。的波形。 当当VI=0V时时当当VI=4V时时当当VI=6V时时a.理想模型理想模型D截止截止 vO = vI = 0 D导通导通 vO = vREF = 3VD导通导通 vO = vREF = 3V硅管：硅管：VD=Von=0.7VD截止截止 vO = vI = 0 D导通导通 vO = 3.7VD导通导通 vO = 3.7Vb.恒压降模型恒压降模型42 vI = 6 s

27、int (V)时时2模型分析法应用举例模型分析法应用举例（2 2）限幅电路：）限幅电路：a.理想模型理想模型vI to6b.恒压降模型恒压降模型 to633.72模型分析法应用举例模型分析法应用举例（3 3）开关电路：）开关电路：电路如图，求电路如图，求：VAB例例1： 取取 B 点作参考点，断点作参考点，断开二极管，分析二极管阳开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。极和阴极的电位。二极管起钳位作用二极管起钳位作用 D6V12V3k BAVAB+ V阳阳 =6 V V阴阴 =12 VV阳阳V阴阴 二极管导通二极管导通恒压降模型：恒压降模型：VAB =6.3或或VAB =6.7V理想模型：理想模

28、型：VAB = 6V静态工作情况分析静态工作情况分析二极管电路分析：先二极管电路分析：先判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止恒压降二极管：恒压降二极管：硅硅0 0.60.7V锗锗0.20.3V若若 V阳阳 V阴阴或或 VD为正，二极管导通为正，二极管导通若若 V阳阳 V阴阴或或 VD为负，二极管截止为负，二极管截止 理想二极管：理想二极管：正向导通时管压降为零正向导通时管压降为零 反向截止时相当于开路反向截止时相当于开路 分析方法分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所 加电压加电压VD的正负的正负。2模型分析法应用举例

29、模型分析法应用举例+VCC 5VRD1D2I1vI2vov0VD1D2I1vI2vov0V导通导通导通导通0V0V5V导通导通截止截止0V5V0V截止截止导通导通0V5V5V截止截止截止截止5V2模型分析法应用举例模型分析法应用举例例例2:（3 3）开关电路：）开关电路：01A2AF000101001111.3 1.3 特殊二极管特殊二极管 稳压二极管（齐纳）、变容二极管、肖特基二极管、光稳压二极管（齐纳）、变容二极管、肖特基二极管、光电子器件（电子器件（光电二极管、发光二极管、激光二极管光电二极管、发光二极管、激光二极管）等。）等。 一、齐纳二极管一、齐纳二极管( (稳压二极管稳压二极管)

30、)1.1.符号及稳压特性符号及稳压特性VZ反向反向击穿电压，击穿电压，即稳压管的即稳压管的稳定电压。稳定电压。(1) 稳定电压稳定电压VZ(2) 动态电阻动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流在规定的稳压管反向工作电流IZ下，下，所对应的反向工作电压所对应的反向工作电压。rZ = VZ / IZ(4)最大耗散功率最大耗散功率 PM(3)最大稳定工作电流最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流和最小稳定工作电流 IZmin(5)温度系数温度系数CTV(10-4/)2. 稳压二极管主要参数稳压二极管主要参数rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 保证稳压管击

31、穿所对应的电流，若保证稳压管击穿所对应的电流，若IZIZmin则不能稳压。则不能稳压。 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PM =VZIZmax 。超过超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。稳压管会因功耗过大而烧坏。稳压值受温度变化影响的的系数。稳压值受温度变化影响的的系数。 一、齐纳一、齐纳( (稳压稳压) )二极管二极管3. 稳压电路稳压电路正常稳压时正常稳压时 VO =VZ 一、齐纳一、齐纳( (稳压稳压) )二极管二极管IZ(min) IZ IZ(max)保证稳压管正常工作：保证稳压管正常工作：VO=VZ LZLOLRV=RV

32、=ILZIIRVV=IZ = IRIL 稳压管工作时电量关系：稳压管工作时电量关系：RVV=IZIRIL为最小值为最小值IL(min)VI为最大值为最大值VI(max) )IZ值最大值最大: IZ值最小值最小: IL为最大值为最大值IL(max)当当VI为最小值为最小值VI(min) )输出电压稳定的条件输出电压稳定的条件（保证稳压管被击穿）（保证稳压管被击穿）ZIVV 49LZIIRVV=IZ = IRIL IL为最小值为最小值IL(min)VI为最大值为最大值VI(max) )IZ值最大值最大: IZ值最小值最小: IL为最大值为最大值IL(max)当当VI为最小值为最小值VI(min)

33、)L(min)ZI(max)IRVV ()maxZIL(max)ZI(min)IRVVZ(min)Iax)Z(mL(min)ZI(max)I+IVVZ(min)L(max)ZI(min)I+IVVR50稳压管正常工作的两个条件：稳压管正常工作的两个条件：a. 必须工作在反向击穿状态（利用其正向特性除外）；必须工作在反向击穿状态（利用其正向特性除外）；b. 流过管子的电流必须介于稳定电流和最大电流之间。流过管子的电流必须介于稳定电流和最大电流之间。4.使用稳压管组成稳压电路时，需注意几点使用稳压管组成稳压电路时，需注意几点： 一、齐纳一、齐纳( (稳压稳压) )二极管二极管（1）应使外加电源的正

34、极接管子的）应使外加电源的正极接管子的N区，区，电源的负极接电源的负极接P区，以区，以保证稳压管工作保证稳压管工作在反向击穿区在反向击穿区【！】。（2）稳压管应与负载电阻）稳压管应与负载电阻RL并联，由于稳并联，由于稳压管两端电压的变化量很小，因而使输压管两端电压的变化量很小，因而使输出电压比较稳定。出电压比较稳定。（3）必须限制流过稳压管的电流）必须限制流过稳压管的电流IZ，不要，不要超过规定值，以免因过热而烧坏管子。超过规定值，以免因过热而烧坏管子。51稳压管的一种实物图稳压管的一种实物图黑头一侧为阴极，即黑头一侧为阴极，即k端端 一、齐纳一、齐纳( (稳压稳压) )二极管二极管 已知已知

35、vi = 10 sin t V, VZ= 5.5V（稳压值稳压值），）， 正向压降为正向压降为0 .7V，试画出，试画出 vo波形波形 。DZVZRvivovR t t vi / V Vvo /V105 .55 .500 2 2 0 .70 .7解：解：稳压二极管的应用举例稳压二极管的应用举例例例1例例2稳压二极管的应用举例稳压二极管的应用举例+R-IR+-RLIOVOVIIZDZ 稳压管稳压电路如图示，如果稳压管稳稳压管稳压电路如图示，如果稳压管稳定电压定电压VZ=6V，Izmax=30mA,Izmin=10mA，限，限流电阻流电阻R=200。如果负载电流。如果负载电流IL在在1020mA范围内变化，此时输入直流电压范围内变化，此时输入直流电压VI的