半导体物理讲稿

1、半导体物理实半导体物理实验验张国军张国军20100104实验一实验一 MOS结构高频结构高频CV特性测特性测试试 一、实验目的一、实验目的1熟悉Agilent 4284A的基本功能和使用方法。2掌握P型（或N型）半导体MOS结构的高频C-V特性及其测试方法。 3掌握利用高频C-V特性曲线得出二氧化硅层厚度及衬底掺杂浓度的方法。二、实验器材二、实验器材1 1Agilent 4284A 1Agilent 4284A 1台。台。2. 2. 测试台。测试台。3 3元器件：元器件：9926AMOS9926AMOS管等。管等。4. 4. 导线若干导线若干三、实验内容和步骤实验内容：（1）测量MOS结构高频

2、CV特性。（2）确定二氧化硅层厚度。（3）确定衬底掺杂浓度。iiiCAd0mimiisscmCCCdd)(iAABsscmnNNqTKdln420, 实验步骤：实验步骤：1.1.在固定栅压上加一个高频的小信号（在固定栅压上加一个高频的小信号（1MHz1MHz）2.2.缓慢的改变栅压（从负值变到正值），测出高缓慢的改变栅压（从负值变到正值），测出高频的频的C-VC-V特性。特性。3.3.从高频的从高频的C-VC-V特性曲线上得出特性曲线上得出C Ci i和和C Cm m，从而根，从而根据公式求出氧化层的厚度据公式求出氧化层的厚度d di i和掺杂浓度和掺杂浓度N NA A或或N ND D( (也

3、可以查表获得也可以查表获得) )。五、实验报告要求1 整理实验结果，打印测量结果曲线。 2 小结实验心得体会。 3 回答思考题。 高频C-V特性曲线为什么跟想象的不一样？ 实验二实验二 MOS结构准静态结构准静态CV特性特性测量测量一、实验目的1进一步熟悉Agilent 4284A的基本功能和使用方法。2掌握MOS结构的高、低频CV特性的测量方法。 3学会利用高、低频CV特性曲线确定界面态密度及其分布。二、实验器材1Agilent 4284A 1台。2. 测试台。3元器件： 9926AMOS9926AMOS管等管等 4. 导线若干。三、实验内容和步骤 实验内容：（1）测量MOS结构的高、低频C

4、V特性。（2）确定界面态密度及其分布。)/1/1(1)(2icCiLLsitCCCCCCqVNCL,为存在界面态时的电容，Cc高频时的电容值（无界面态时的电容）四、实验步骤：1、在固定栅压上加一个高频的小信号（1MHz）。2、缓慢的改变栅压（从负值变到正值），测出高频的C-V特性3、在固定栅压上加一个低频的小信号(100Hz)。4、缓慢的改变栅压（从负值变到正值），测出低频 的C-V特性5、从准静态C-V特性曲线上得到含有界面态的MOS结 构的电容CL，以及二氧化硅层电容Ci，再根据高频 无界面态的电容CC, 从而通过进一步的计算得出界 面态密度Nit(Vs)。五、实验报告要求1 整理实验结果，打印测量结果曲线2 小结实验心得体会。实验时间安排： 07060441, 07060442, 07060441X周一上午实验培训 07060441周一下午，晚上做试验（1） 07060442上午，下午做试验（1） 070