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文档简介
1、、选择填空(10分)-、判断下列说法是否正确,用“X”或”表示判断结果。(10分)(1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。()(2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。()(3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。(4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。()(5)利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。(6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。(:(7)未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区()(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区()(9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡()(10)直流稳压电源中的滤波电路是
2、低通滤波电路。(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入;为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入。(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈1(2)RC串并联网络在ffo时呈。2RC(A)感性(B)阻性(C)容性(3)通用型集成运放的输入级多采用。(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法(4)两个B相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。(A)B(B)B2(C)2B(D)1+B(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是既能放大电流,又能放大电压的电路是。(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路(6)当NPN型晶体管工作
3、在放大区时,各极电位关系为UCUBUEo(A)(B)(C)=(D)(B)(C)=(D)(7)硅二极管的正向导通压降比错二极管的。(A)大(B)小(C)相等三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出U00四、(10分)在一个放大电路中,三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内管号TIT2T3管号TIT2T3管脚0.76.23电极电位(V)0610533.7名称材料类型五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时UBECF0.7V,电流放大系数为B=80,rbe=1.2kQ,RB=5
4、00kQ,RC=RL=5kQ,VCC=12V。(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。(2)估算信号源内阻为RS=1.2kQ时,1U0/US的数值。六、(10分)在图示电路中,已知VCC=12V,VEE=6V,恒流源电路I=1mA,RBI=RB2=1kQ,RCI=RC2=10kQ;两只晶体管特性完全相同,且01=02=100,Pbe1=Pbe2=2kQo估算:(1)电路静态时T1和T2管的集电极电位;(2)电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻R和输出电阻R0-VEE七、(5分)在图示OCL电路中,已知Ti、T2管的|UCES1V,电源电压为9V,负载电阻RL
5、=8Q,试计算最大输出功率Pom及效率4o八、(8分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数九、(6分)在图示电路中,要求其入电阻为20kQ,比例系数为-15,试求解RF和R的阻值。十、(6分)求解图示电路的运算关系式一、(9分)将图示电路合理连接,构成桥式(即文氏桥)正弦波振荡电路,并估算电路的振荡频率和Ri的最大值。十二、(5分)在图示电路中,已知W7805的输出电压为5V,Iw=5mA,Ri=1kQ,R2=200Q。试求输出电压Uo的调节范围。UiW7805十三、(6分)串联型稳压电路如图所示,稳压丁丁弋管的稳定电压为UZ
6、O填空:调整管为,输出电压采样电阻由组成,基准电压电路由组成,比较放大电路由组成;输出电压调节范围的表达式为(1)X(2)V(3)X(4)V(5)V(6)V(7)X(8)V(9)X(10)(1)B、CB(3)D(4)B(5)B、C(6)A、AA三、二极管D导通,-3VVCCUBEQ.,._AR四、1BQ-;1CQIBQ;UCEQVCCICQRC;AuRBbeRiRB/rbe;RORC;增大;减小;减小;减小五、3V;1mA;10uA;6.7V;-150;0.79kQ;-66.7六、7V;-333;0;6kQ;20kQ七、4W;5.7W;70%八、(a)电压并联负反馈;-R2/R1(b)电压串联
7、负反馈;1+R2/R1九、10kQ;9kQR2一R2、UI1(1)uI21-一、1.6HZ160kHZ;20kQ十二9V;8V十、UOR3R1R2R3UZUO-23UZR3(1)x(2)V(3)x(4)V(5)V(6)V(7)V(8)x(9)x(10)x(1)A、DC(3)B(4)B(5)B、C(6)B、BA三、二极管D截止,-6V四、管号TIT2T3管号TIT2T3管脚0.76.23电极BEE电位(V)0610EBC533.7名称CCB材料SiGeSi类型NPNPNPNPN五、22.6口A;1.8mA;3V;-167;1.2kQ;5kQ;-83.5六、7V;-333;0;6kQ;20kQ七、4W;5.7W;70%十三、T1;R1、R2、R3;R、DZ;T2、T3、RE、RC;R1R2R2R3R2/RI九、20kQ;300kQ;18.75kQrR2十、
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