第1章半导体器件基础第2讲ppt课件

1、模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版 PN结的电容效应：势垒电容、扩散电容结的电容效应：势垒电容、扩散电容模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.2.4 1.2.4 半导体二极管及其参数半导体二极管及其参数 二极管二极管(Diode) = PN结结 + 管壳管壳 + 引线引线构造：构造：分类：分类：1. 半导体二极管的结构及分类半导体二极管的结构及分类按材料分：硅二极管、锗二极管按材料分：硅二极管、锗二极管按结构分：点接触型、面接触型和平面型按结构分：点接触型、面接触

2、型和平面型 模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版(1) 点接触型二极管点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。N型 锗正 极 引 线负 极 引 线外 壳金 属 触 丝(2) 面接触型二极管面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。负 极 引 线正 极 引 线N型 硅P型 硅铝 合 金 小 球底 座(3) 平面型二极管平面型二极管SiO2正 极 引 线负 极 引 线N型 硅P型 硅 用于集成电路制

3、造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版NP半导体二极管半导体二极管的符号：的符号：ak阳极阳极 阴极阴极电流方向电流方向 由由P区引出的区引出的电极称为阳极电极称为阳极正极）正极）由由N区引出的区引出的电极称为阴电极称为阴极负极）极负极）+-U模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版二、半导体二极管的伏安特性二、半导体二极管的伏安特性)1e (/SDD TUUIi反向饱和电流反向饱和电流qkTUT 电子电量电子电量玻

4、尔兹曼玻尔兹曼常数常数当当 T = 300K：UT = 26 mv温度的温度的电压当量电压当量PN结两端结两端的电压降的电压降流过流过PN结结的电流的电流当当 u0 uUT时时1eTUuTeSUuIi 当当 u|U T |时时1eTUuSIi模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版(1) 正向特性正向特性(2) 反向特性反向特性伏安特性曲线：伏安特性曲线：uEiVmAuEiVuAiu0硅：硅：0.5 V导通压降导通压降反向饱和电流反向饱和电流死区死区电压电压击穿电压击穿电压UBR 硅：硅：0.60.8V典型值为典型值为0.7V 锗锗硅

5、硅/mA/mA/A/A 锗：0.10.3V锗：锗：0.1 V 2.半导体二极管的伏安特性半导体二极管的伏安特性 PN结的伏安特性曲线结的伏安特性曲线模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版3. 半导体二极管的主要参数半导体二极管的主要参数（1直流电阻直流电阻R D ：指

6、二极管两端所加直：指二极管两端所加直流电压与流过它的直流电流之比。流电压与流过它的直流电流之比。DDDIUR RD不是恒定值，在正向工作区域，不是恒定值，在正向工作区域，RD随随UD增大而增大而减小，在反向工作区域，减小，在反向工作区域，RD随随UD增大而增大。增大而增大。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版（2交流电阻交流电阻r d ：指二极管在其工作点：指二极管在其工作点QUDQ,IDQ)处的电压微变量与电流微变量之比处的电压微变量与电流微变量之比。DQTQUUSTQdIUeIUdIdUrT r d 几何意义：指二极管伏安几何

7、意义：指二极管伏安特性曲线上特性曲线上Q点处切线斜率的点处切线斜率的倒数。倒数。DQDQDQDQI ,UI ,UdIUdIdUr 据伏安特性方程，可得据伏安特性方程，可得模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版 (3) 最大整流电流IFM二极管长期连续工二极管长期连续工作时，允许通过二作时，允许通过二极管的最大整流极管的最大整流电流的平均值。电流的平均值。(4) 反向击穿电压反向击穿电压UBR 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。最大反向工作电压最大反向工作电压URM 为安全计，在实际工作时，最大反向工作电

8、压URM一般只按反向击穿电压UBR的一半计算。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版 (5) 反向电流IS 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。 (6) 最高工作频率fM由由PN结的结电容大小决定，二极管的工作频率超结的结电容大小决定，二极管的工作频率超过过fM时，单向导电性变差。时，单向导电性变差。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.2.5 1.2.5 二极管的电路模型二极管的电路模型 理想模型

9、是指在正向偏置时，其管压降为零，理想模型是指在正向偏置时，其管压降为零，相当于开关的闭合。当反向偏置时，其电流为零，相当于开关的闭合。当反向偏置时，其电流为零，阻抗为无穷，相当于开关的断开。具有这种理想特阻抗为无穷，相当于开关的断开。具有这种理想特性的二极管也叫做理想二极管。性的二极管也叫做理想二极管。在实际电路中当电源电压远远大于二极管的管压降时，利用此模型分析是可行的。 模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版。+0 0.2 0.4 0.6 0.8 246810UD(on)UD(on)UD(on)定压降模型是指二极管在正向导通时，

10、其管压降定压降模型是指二极管在正向导通时，其管压降为恒定值；截止时反向电流为零。硅管的管压降为恒定值；截止时反向电流为零。硅管的管压降0.7V，锗管的管压降为，锗管的管压降为0.3V。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版+-/V/V/V二极管正向电压大于二极管正向电压大于UD(ON)后其电流后其电流I与与U 成线性关系成线性关系，直线斜率为，直线斜率为1/RD。二极管截止时反向电流为零。二极管截止时反向电流为零。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版二极管的应用举例二极

11、管的应用举例例例1 钳位电路钳位电路 电路如图所示，若电路如图所示，若UA、UB两点电位分别为两点电位分别为0V、3V不同组合时，计算输出电压不同组合时，计算输出电压UO值，并分析二极管的值，并分析二极管的工作状态。设二极管为硅二极管，导通压降为工作状态。设二极管为硅二极管，导通压降为0.7V。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版(1) UA=0 V UB=0 VVD1、VD2均正向导通均正向导通UO0.7 V(2) UA=3 V UB=3 VVD1、VD2均正向导通均正向导通UO3.7 V模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学

12、金城学院自动化系-朱海霞2009版(3) UA=0V UB=3VVD1正向导通正向导通VD2截止截止UO0.7 V二极管二极管VD1两端电位差两端电位差大而优先导大而优先导通通(4) UA=3V UB=0VVD2正向导通正向导通VD1截止截止UO0.7 V二极管二极管VD2优先导通优先导通模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版如何判断二极管是否导通：如何判断二极管是否导通：判断二极管工作状态时，可判断二极管工作状态时，可先将二极管断开，然后比较先将二极管断开，然后比较两极电位。如果处于正偏，两极电位。如果处

13、于正偏，则二极管导通；否则截止。则二极管导通；否则截止。电位差大的优先导通。电位差大的优先导通。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版例例2：写出图示各电路的输出电压值，设二极管导：写出图示各电路的输出电压值，设二极管导通电压通电压UD=0.7V。UO1=1.3VUO2=0VUO3= -1.3V模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版例例3 ui = 2 sin t (V)，画出输出电压，画出输出电压uo的波形的波形 。ui 较小，宜采用恒压降模型较小，宜采用恒压降模型0.

14、7 v ui 0.7 vu1、u2 均截止均截止uO = uiuO = 0.7 vui 0.7 vu2 导通导通 u1截止截止ui 0.7 vu1 导通导通 u2 截截止止uO = 0.7 v模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版OtuO/ v0.7Otui / v2 0.7思考题思考题: v1、v2 支路各串联恒压源，支路各串联恒压源，输出波形如何？输出波形如何？模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版ui =5sin t (V)，画出输出电压，画出输出电压uo的波形的波

15、形 。二极管是理想的。二极管是理想的。+-uiuoRD1D22V2V练习练习模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版估算图示电路中流过二极管的电流估算图示电路中流过二极管的电流ID和和U，二极管是理想的。二极管是理想的。练习练习模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.3 1.3 特殊二极管特殊二极管稳压二极管稳压二极管 变容二极管变容二极管发光二极管发光二极管光电二极管光电二极管模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞20

16、09版 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管反偏电压反偏电压UZ 反向击穿反向击穿UZ电路符号：电路符号：UIIZminIZmax UZ IZ稳稳压压误误差差曲线越曲线越陡，电陡，电压越稳压越稳定。定。UZ1.3.1 1.3.1 稳压二极管稳压二极管模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版.稳压原理：稳压原理：根据电路图可知根据电路图可知ZLR+=IIIRIUUUUURIRIZO= UIUOUZIZIRURUOIR模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版使用稳压管注意事项

17、：在工作时反接，使用稳压管注意事项：在工作时反接，并串入一只电阻。电阻的作用一是起限并串入一只电阻。电阻的作用一是起限流作用，保护稳压管；其次是当输入电流作用，保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。管的工作电流，从而起到稳压作用。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版限流电阻限流电阻R的选择的选择ImminmaxaxZLzUUIIRImminmaxminaxZzLUURRIIIm

18、maxmininZLzUUIIR(2) 在在Ui最低和最低和IL最大时，流过稳压管的电流最小，这时应最大时，流过稳压管的电流最小，这时应保证保证IZ不小于稳压管最小电流值。不小于稳压管最小电流值。ImmaxminmaxinZzLUURRIILZZiZRURUUI(1) 在在Ui最高和最高和IL最小时，流过稳压管的电流最大，此时电流最小时，流过稳压管的电流最大，此时电流不能高于稳压管最大稳定电流。不能高于稳压管最大稳定电流。限流电阻限流电阻R的选择范围为：的选择范围为：RminR RmaxIL模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.

19、 稳压管的稳压区是其工作在（稳压管的稳压区是其工作在（ ）。）。A.正向导通区正向导通区 B. 反向截止区反向截止区 C. 反向击穿区反向击穿区练习练习现有两只稳压管，它们的稳定电压分别是现有两只稳压管，它们的稳定电压分别是6V和和8V，正向导通电压是正向导通电压是0.7V，试问：，试问：(1)若将它们串联连接，可得到几种稳压值？各为若将它们串联连接，可得到几种稳压值？各为多少？多少？(2)若将它们并联连接，又可得到几种稳压值？各若将它们并联连接，又可得到几种稳压值？各为多少？为多少？模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版例例1、如

20、图，已知、如图，已知UZ=10V，负载电压，负载电压UL（ ） （）（） 5 （10 （15 （20AVS20V15k5kUL 稳压管的工作条件稳压管的工作条件（必须工作在反向击穿状态。（必须工作在反向击穿状态。（电路中应有限流电阻，以保证反向电流不（电路中应有限流电阻，以保证反向电流不超过允许范围。超过允许范围。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版例例2、已知、已知ui = 6sint，UZ =3V，画输出波形。，画输出波形。 VS uiuo6ui /Vt3uot3OO模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱

21、海霞2009版1.3.2 变容二极管模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.3.3 发光二极管有正向电流流过时，发有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前出一定波长范围的光，目前的发光管可以从红外到可的发光管可以从红外到可见波段的光，它的电特性见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。与一般二极管类似。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.

22、3.4 光电二极管反向电流随光照度的增加而增大。反向电流随光照度的增加而增大。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.4 1.4 半导体三极管半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与工作时，多数载流子和少数载流子都参与运 行 ， 因 此 ， 还 被 称 为

23、双 极 型 三 极 管运 行 ， 因 此 ， 还 被 称 为 双 极 型 三 极 管Bipolar Junction Transistor，简称，简称BJT）。）。 模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版三极管的分类：三极管的分类：按照频率：高频管和低频管。按照频率：高频管和低频管。按结构：按结构：NPN型和型和PNP型；型；按功率大小：大功率管按功率大小：大功率管1mW; 按所用半导体材料：硅管和锗管; 模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.4.1 1.4.1 三极

24、管的结构三极管的结构NPN型型符号符号:三极管是由两个三极管是由两个PN结和三块掺杂半导体组成。结和三块掺杂半导体组成。- 发射区发射区集电区集电区基区基区 发射结发射结集电结集电结集电极集电极 发射极发射极基极基极NPNbece-emitterb-basec-collectorECBibicie双极型三极管的符号中，发射极的箭头双极型三极管的符号中，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。代表发射极电流的实际方向。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版两个结：发射结和集电结两个结：发射结和集电结三个区：基区、集电区、三个区：基区、集

25、电区、发射区发射区三个极：基极、集电极、三个极：基极、集电极、发射极发射极- 发射区发射区 集电区集电区基区基区 发射结发射结集电结集电结 集电极集电极 发射极发射极基极基极 NPNbec模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版PNPPNP型型- 发射区发射区集电区集电区基区基区 发射结发射结 集电结集电结 集电极集电极 发射极发射极基极基极 PNPbec-ECB符号符号: :ibicie模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版常见三极管的外形结构模拟电子技术模拟电子技术南京

26、航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版EEBRBRCBECNPNVVVCBEPNPVVV 1.4.2 三极管的工作原理模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.4.2 三极管的工作原理1. 三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏2. 满足放大条件

27、的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共发射极共集电极共集电极共基极共基极模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1) 发射区向基区注入多子电子，发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合，构成少数与空穴复合，构成 IBN 。I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供(IB)

28、集电区少子漂移集电区少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN + IEP = IB + ICBO即：即：IB = IBN ICBO 2)电子到达基区后电子到达基区后( (基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略) )3. 三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程(以共射电路为例）以共射电路为例）模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版I CNIEI BNI CBOIB 3) 集电区收集扩散过集电区收集扩散过 来的载流子形成集来的载流子形成集 电极电流电极电流 ICICI C = ICN + ICBO 模拟电子技

29、术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版4) 电流分配关系电流分配关系 EPBNCNEPENEIIIIII CBOCNCIII CBOEPBNBIIII 从外部看：从外部看： CBEIII 模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版定义：直流放大系数定义：直流放大系数由于由于 CBOBCBOCEPBNCNIIIIIII CEOBCBOBC)(1IIIII 穿透电流穿透电流1CBOB ,IIBCII 交流放大系数交流放大系数 BCII IB的改变控制了的改变控制了IC的变的变化，体现了三极

30、管的电化，体现了三极管的电流控制功能。流控制功能。 只与管子的结构只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关，与外加电压无关。普通关。普通 1模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版ECNENCNIIII 共基直流电流传输方程：共基直流电流传输方程：CBOECIII 为共基电流传输系数，它只与管子的结构尺寸和为共基电流传输系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。普通掺杂浓度有关，与外加电压无关。普通 = 0.9 0.995。CBOCNCIII IE可控制可控制IC的变化。的变化。三极管是一种三极

31、管是一种电流控制器件。电流控制器件。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.4.3 1.4.3 三极管的特性曲线共发射极接法）三极管的特性曲线共发射极接法） 三极管的特性曲线是指三极管各电极电压三极管的特性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系曲线，它是三极管内部与电流之间的关系曲线，它是三极管内部载流子运动的外部表现。载流子运动的外部表现。 由于三极管和二极管一样也是非线性元件，由于三极管和二极管一样也是非线性元件，不能用一个固定的数值或一个简单的方程式不能用一个固定的数值或一个简单的方程式来表示各电极电压与电流之间的关系，所

32、以来表示各电极电压与电流之间的关系，所以要用伏安特性曲线对它进行描述。要用伏安特性曲线对它进行描述。模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1. 输入特性曲线输入特性曲线 iB=f(uBE) uCE=常常数数+i-uBE+-uBTCE+Ci（1uCE=0V时，相当于两个时，相当于两个PN结并联。结并联。0.40.2i(V)(uA)BE8

33、0400.80.6Bu=0VuCE 1VCEu（3uCE 1V再增加时，曲线右移很不明显。再增加时，曲线右移很不明显。（2当当uCE=1V时，时， 集电结已进入反偏状态，开始收集集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少，电子，所以基区复合减少， 在同一在同一uBE 电压下，电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。减小。特性曲线将向右稍微移动一些。死区电压死区电压硅硅 0.5V锗锗 0.1V导通压降导通压降硅硅 0.7V锗锗 0.2V输入电流输入电流输入电压输入电压模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版2. 输出特

34、性曲线输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=常数常数 现以现以iB=60uA一条加以说明。一条加以说明。 （1当当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，时，因集电极无收集作用，iC=0。（2） uCE IC 。 （3） 当当uCE 1V后，后，收集电子的能力足够强。收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形子都被集电极收集，形成成iC。所以。所以uCE再增加，再增加，iC基本保持不变。基本保持不变。同理，可作出同理，可作出iB=其他值的曲线。其他值的曲线。 iCCE(V)(mA)=60uAIBu=0BBII=20uABI=40uAB=80uAI=100

35、uAIB模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版 输出特性曲线可以分为三个区域输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区饱和区iC受受uCE显著控制的区域，该区域显著控制的区域，该区域内内uCE0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正此时发射结正偏，集电结也正偏。偏。截止区截止区iC接近零的区域，相当接近零的区域，相当iB=0的曲的曲线的下方。线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反此时，发射结反偏，集电结反偏。偏。放大区放大区 曲线基本平曲线基本平行等距。行等距。 此时此时，发射结正偏，发射结正偏，集电结反偏。该集电结反偏。该区中有：区中有

36、：BCII iCIBIB=0uCE(V)(mA)=20uABI=40uABI=60uABI=80uABI=100uA饱和区饱和区截止区截止区放大区放大区模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版温度对晶体管特性及参数的影响温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对一、温度对ICBO的影的影响响温度每升高温度每升高10， ICBO增加约一倍。增加约一倍。反之，当温度降低时反之，当温度降低时ICBO减少。减少。硅管的硅管的ICBO比锗管的小得多。

37、比锗管的小得多。二、温度对输入特性的影响二、温度对输入特性的影响温度升高时正向特性左移，温度升高时正向特性左移，反之右移反之右移60402000.4 0.8I / mAU / V温度对输入特性的影响温度对输入特性的影响20 60 三、温度对输出特性的影响三、温度对输出特性的影响温度升高将导致温度升高将导致 IC 增大增大iCuCEOiB20 60温度对输出特性的影响温度对输出特性的影响模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版1.4.4 三极管的主要参数三极管的主要参数1.电流放大系数电流放大系数iCE=20uA(mA)B=40uAIC

38、u=0(V)=80uAIBBBIBiIBI=100uACBI=60uAi一般取一般取20200之间之间（1共发射极电流放大系数：共发射极电流放大系数：ECECBOCIIIII BCBCEOCIIIII QECii QBCii 模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版 2.极间反向电流极间反向电流 （2 2集电极发射极间的穿透电流集电极发射极间的穿透电流ICEOICEO 基极开路时，集电极到发射极间的电基极开路时，集电极到发射极间的电流流穿透电流穿透电流 。其大小与温度有关。其大小与温度有关。 （1集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射

39、极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。它实际上就是一个PN结的反向电流。其大小与温度有关。 锗管：I CBO为微安数量级， 硅管：I CBO为纳安数量级。CBOCEO1I )(I +ICBOecbICEO模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版 3.极限参数 Ic增加时，增加时， 要下降。当要下降。当值下降到值下降到线性放大区线性放大区值的值的70时，所对应的集时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流电极电流称为集电极最大允许电流ICM。（1集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM（2集电极最大允集电极最大允许功耗许功耗PCM 集电极电流通过集电极电流通过集电结时所产生的集电结时所产生的功耗，功耗， PC= ICUCE BICEui(V)IBC=100uAB=80uA=60uA(mA)IIB=0B=40uA=20uABIIPCM PCM （3反向击穿电压UBRCEO基极开路时，集电极与发射极之基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。间允许的最大反向电压。UBRCEOICM模拟电子技术模拟电子技术南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2009版知：知：ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 v