产线工艺流程介绍20120616剖析

1、 产线工艺流程介绍产线工艺流程介绍目录 产线工艺流程介绍产线工艺流程介绍前工序介绍PECVD工序介绍PVD工序介绍组前工序介绍组后工艺介绍产线工艺流程产线工艺流程 1.1 1.1 前工序产品介绍前工序产品介绍清洗一：去除透明导电玻璃上的灰尘、油污，获得清洁的表面透明导电膜玻璃磨边：磨掉导电玻璃锋利的四边；对四个角倒角。提高玻璃安全性激光一：把TCO导电膜分成39个小块，每个小块绝缘清洗二：去除激光划刻后膜层表面残留的颗粒目的：磨掉导电玻璃锋利的四边，消除玻璃应力，提高安全性磨边后尺寸：12441mm6341mm3.10.1mm；磨边机磨边机目的:去除透明导电玻璃的灰尘、油污，获得清洁的表面纯水

2、电阻率15Mcm清洗机一清洗机一目的：把TCO导电膜分成等面积的39个子电池采用德国rofin公司的激光器，使用高科技空气轴承技术实现玻璃板匀速传输及精确刻划线。激光刻划时，采用红外激光(1064nm)以达到刻划效果。线宽:4050m正极边线距：(16.2-0.2mm)(16.2+0.3mm)跨线电阻：20K直线度：20m激光一（激光一（P1）目前：去除激光划刻后膜层表面残目前：去除激光划刻后膜层表面残 留的颗粒留的颗粒清洗二清洗二1.2 PECVD1.2 PECVD工序介绍工序介绍PECVD：等离子体增强化学气相沉积，在透明导电玻璃的导电膜上，：等离子体增强化学气相沉积，在透明导电玻璃的导电

3、膜上，气相沉积非晶气相沉积非晶 硅锗硅锗 三结三结 叠层薄膜，拓宽电池对太阳光吸收波长范围。叠层薄膜，拓宽电池对太阳光吸收波长范围。此设备为“单室多片”模式，整个工件架内的玻璃（72片），完成P、I、N三层非晶硅的沉积。生产效率高，且能够制备出SiGe薄膜电池，而这在欧瑞康、应用材料等设备上因气体利用率过低而不能实现产业化。工艺温度：225本底真空：8E-3Pa沉积压力：50133Pa沉积功率：100200W膜厚：400550nmPECVD设备设备1.3 PVD1.3 PVD区域各工序区域各工序 PVD：沉积背电极：沉积背电极激光二：去除硅膜，形成分割的子电池连激光二：去除硅膜，形成分割的子电

4、池连接的通道接的通道激光三：去除硅膜及背电极膜激光三：去除硅膜及背电极膜扫边：去除四周边缘部分膜层，保证扫边：去除四周边缘部分膜层，保证组件绝缘安全组件绝缘安全目的：去除硅膜，形成分割的子电池连接的通道去除硅膜，形成分割的子电池连接的通道此设备的机体与P1设备类似，但采用532nm的绿激光，实现a-SiGe薄膜刻划线宽:755m直线度：20m与P1间距：20100m激光二（激光二（P2）目的：用磁控溅射设备沉积用磁控溅射设备沉积AZO/Al 背电极，有效收集载流子背电极，有效收集载流子设备分为进/出片室，缓冲室以及沉积室五部分；沉积室安装有8个靶位，可分别安装不同的靶材，一次性完成AZO/Ag

5、/NiCr/Al或者是AZO/Al的溅射；AZO膜厚：8010nm，方阻：450100/；AL膜厚：10010nm，方阻：0.50.1/；PVD设备设备 目的：去除硅膜及背电极，形成目的：去除硅膜及背电极，形成39个串联的子电池个串联的子电池线宽:755m直线度：20m与P1间距：220270mp1 p2 p30.35mm左右激光三（激光三（P3）原理图目的：去除四周边缘膜层，保证组件绝缘性能目的：去除四周边缘膜层，保证组件绝缘性能此设备使用1064nm的红外激光将玻璃基板四周边缘的所有膜层去除扫边区域电阻：200M/cm扫边宽度：长边9.50.5mm，短边100.5mm激光扫边（激光扫边（P

6、4）退火目的：消除膜层内应力，提高芯片性能退火目的：消除膜层内应力，提高芯片性能加温时间：加温时间：90min；保温时间：；保温时间：30min；退火温度：退火温度：190；退火设备退火设备反压：去除电池中短路的地方，提高电反压：去除电池中短路的地方，提高电池性能池性能1.4 组前各工序产品介绍组前各工序产品介绍焊接：用超声波滚焊铝带，收集电流，引焊接：用超声波滚焊铝带，收集电流，引出电池正负极。出电池正负极。敷设：在芯片上铺设敷设：在芯片上铺设EVAEVA背板玻璃与芯片对位背板玻璃与芯片对位测试：在标准条件下，测试出芯测试：在标准条件下，测试出芯片电性能参数片电性能参数反压设备反压设备目的:

7、此设备通过对子电池加反向电压，去除电池中短路的地方，提高电池性能;该设备含40排缓冲高强度铜质探针,不损伤电池组件膜面,使用寿命长,容易更换;反压限流：1900mA目的：对芯板进行IV测试，获得其各个性能参数该设备关键部件采用德国进口脉冲氙灯，模拟标准测试条件AM（air mass大气质量）1.5、1000W/m2、25，达到测试IV参数的目的测试环境温度：252；单台数据一致性：1%；多台数据一致性：2%；I-V测试设备测试设备目的：去除刻线中的杂质以及芯片印迹芯片清洗芯片清洗目的：焊接汇流条铝带，以引出电流此设备通过超声波能量，使Al带与芯片上的Al膜焊接在一起。设备由超声波焊接机、双圆型

8、焊头、工件装夹运动平台和控制机柜构成，超声波焊头安放在两侧的移动机构上，通过伺服电机控制同步带运动带动焊头移动实现滚动焊接，焊接时间短，无火花，环保安全，焊后导电性好，电阻系数极低。滚焊滚焊-超声波焊接超声波焊接目的：背板玻璃、EVA、芯片叠合在一起，为后序层压做准备敷设敷设1.5 1.5 组后各工序产品介绍组后各工序产品介绍层压：在一定真空和高温的条件层压：在一定真空和高温的条件下，通过对电池组件表面施下，通过对电池组件表面施加一定的压力，将电池芯片、加一定的压力，将电池芯片、EVAEVA和背板玻璃形成一个具有和背板玻璃形成一个具有一定刚性的整体。一定刚性的整体。接线盒安装：将接线盒粘贴到接

9、线盒安装：将接线盒粘贴到组件背面，铝带焊接完成后，组件背面，铝带焊接完成后，用灌封胶填充盒体。用灌封胶填充盒体。边缘涂密封胶：在组件四周涂一层密边缘涂密封胶：在组件四周涂一层密封胶，提高组件在潮湿条件下的封胶，提高组件在潮湿条件下的绝缘性能，缓冲防撞，防止磕角。绝缘性能，缓冲防撞，防止磕角。测试：在标准条件下，测试出测试：在标准条件下，测试出芯片电性能参数芯片电性能参数标签粘贴标签粘贴目的：目的：在一定真空和高温的条件下，通过对电池组件表面施加一定的压力，将电池芯片、在一定真空和高温的条件下，通过对电池组件表面施加一定的压力，将电池芯片、EVAEVA和背板玻璃形成一个具有一定刚性的整体。和背板玻璃形成一个具有一定刚性的整体。工艺温度：工艺温度：160160层压机设备（奥瑞特）层压机设备（奥瑞特）目的：将接线盒粘贴到组件背面；铝带焊接完成后，用灌封胶填充盒体，保护目的：将接线盒粘贴到组件背面；铝带焊接完成后，用灌封胶填充盒体，保护电极在后期不会出现短路、漏电问题电极在后期不会出现短路、漏电问题接线盒安装工序接线盒安装工序目的：在组件四周打一层密封胶，提高组件绝缘性能，缓冲防撞，防止磕角目的：在组件四周打一层密封胶，提高