实验一扩展RAM及FLASH读写实验报告

1、实验一：扩展RAM及FLASH读写实验班级: 姓名: 学号: 日期: 成 绩 表实验能力(50)实验报告(50)总评成绩（100）教师签名一、预习报告1指出F28335外扩存储器的区域及地址范围外扩存储区域地址范围备注2在F28335开发板上查找RAM芯片位置和型号，并描述外扩RAM芯片与F28335的连接关系。RAM芯片位置在开发板的（ ）。（填左上、右下、中间等）；RAM芯片型号为（ ）。与F28335的连接关系为：引脚类别RAM芯片引脚名称F28335引脚名称地址线A17A0数据线D15D0控制线WE#CE#OE#3在F28335开发板上查找FLASH芯片位置和型号，并描述外扩FLASH

2、芯片与F28335的连接关系。FLASH芯片位置在开发板的（ ）。（填左上、右下、中间等）；FLASH芯片型号为（ ）。与F28335的连接关系为：引脚类别FLASH芯片引脚名称F28335引脚名称地址线A18A0数据线D15D0控制线WE#CE#OE#4阅读main_EXRAM.C 和main_NOR_FLASH.C文件，编写函数：RAM1数据复制到RAM2函数原型：void copyRAM1toRAM2(Uint32RAM1Start, Uint32 RAM2Start, Uint16Length)/ RAM1起始偏移地址：RAM1Start/ RAM2起始偏移地址：RAM2Start/

3、复制数据个数：Length5画出main_EXRAM.C 和main_NOR_FLASH.C文件的主程序流程图。二、实验记录（一）新建实验项目步骤与内容是否完成结果记录，未完成原因及改进措施等1新建项目：ZQ28335_ExRAMand_NOR_FLASH2加入main_EXRAM.c和main_ NOR_FLASH.c到项目，复制DSP2833x_common”和“DSP2833x_headers到项目3修改include和source文件途径（二）扩展RAM实验步骤与内容是否完成结果记录，未完成原因及改进措施等1禁用“main_ NOR_FLASH.c”文件2编译、下载程序3写数据到外扩R

4、AM，观察其数据是否从0x0000依次递增（三）扩展FLASH实验步骤与内容是否完成结果记录，未完成原因及改进措施等1禁用“main_EXRAM.c”文件2激活“main_ NOR_FLASH.c”3执行InitRam(0)结果4执行ChipErase()结果5执行FlashWrite(0,0,0x400)结果6执行EraseRam(0x0)结果7执行FlashRead(0,0,0x400) 结果三、编程作业及调试先备份程序，然后修改代码。依次完成以下操作：1、将数值0x1234写入到存储器区间0xF0000xF3FF中；2、将存储器区间0xF0000xF3FF中的值对应地复制到存储器区间0x1000000x1003FF中；3、将存储器区间0x1000000x1003FF中的值对应地复制到存储器区间0x2000000x2003FF中；4、将存储器区间0x2000000x2003FF中的值对应地复制到存