标准解读

《GB/T 20230-2022 磷化铟单晶》作为对《GB/T 20230-2006 磷化铟单晶》的更新,主要在以下几个方面进行了调整和完善:

  1. 技术指标的优化:新标准对磷化铟单晶的纯度、晶体结构、位错密度等关键性能指标提出了更严格的要求,反映了技术进步带来的产品质量提升。这些变化旨在满足更高精度和可靠性的应用需求。

  2. 检测方法的更新:随着分析技术和仪器的发展,新标准引入了更先进的检测手段和分析方法,用于评估磷化铟单晶的物理、化学性质。这包括但不限于更精确的光谱分析、电子显微镜观测技术等,以确保测试结果的准确性和可重复性。

  3. 生产流程和质量控制的规范:2022版标准对磷化铟单晶的制备工艺流程、原材料选择、生长环境控制等方面给出了更具体和细致的规定,旨在促进生产过程的标准化和规范化,提高成品率和一致性。

  4. 环保与安全要求:考虑到环境保护和生产安全的重要性,新版标准加入了关于生产过程中废弃物处理、有害物质管控以及员工健康保护的相关要求,体现了可持续发展的理念。

  5. 术语和定义的修订:为了与国际标准接轨并适应行业发展的最新趋势,新标准对部分专业术语和定义进行了修订或新增,提高了标准的通用性和适用范围。

  6. 标准适用范围的明确:对磷化铟单晶的应用领域和规格种类进行了更加清晰的界定,帮助生产商和用户更好地理解和执行标准内容,促进了市场的规范化发展。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2022-03-09 颁布
  • 2022-10-01 实施
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文档简介

ICS29045

CCSH.83

中华人民共和国国家标准

GB/T20230—2022

代替GB/T20230—2006

磷化铟单晶

Indiumphosphidesinglecrystal

2022-03-09发布2022-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T20230—2022

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件代替磷化铟单晶与相比除结构调整和编辑性

GB/T20230—2006《》,GB/T20230—2006,

改动外主要技术变化如下

,:

更改了适用范围见第章年版的第章

a)(1,20061);

增加了术语和定义一章见第章

b)“”(3);

更改了磷化铟单晶锭的牌号表示方法见年版的

c)(4.1,20063.1);

增加了磷化铟单晶抛光片的牌号表示方法见

d)(4.2);

更改了磷化铟单晶锭电学性能的要求见年版的

e)(5.1.1,20063.2.2);

增加了型非掺磷化铟单晶锭的电学性能要求见

f)n(5.1.1);

删除了磷化铟单晶锭晶向以及其他晶向供需双方协商确定的规定见年版的

g)<111>(20063.2.3);

增加了磷化铟单晶锭位错密度的要求见

h)(5.1.3);

删除了磷化铟单晶锭无孪晶线的要求见年版的

i)(20063.2.4);

删除了磷化铟单晶锭直径的要求见年版的

j)(20063.2.5);

更改了磷化铟单晶抛光片位错密度的要求见年版的

k)(5.2.1,20063.3.1);

增加了磷化铟单晶抛光片表面取向及基准标记的要求见

l)(5.2.2);

增加了直径磷化铟单晶抛光片的几何参数要求见

m)150.0mm(5.2.3);

更改了磷化铟单晶抛光片厚度总厚度变化翘曲度总指示读数的要求见年版

n)、、、(5.2.3,2006

3.3.2);

更改了磷化铟单晶抛光片表面质量的要求见年版的

o)(5.2.4,20063.3.3);

增加了磷化铟单晶抛光片表面颗粒的要求见

p)(5.2.5);

删除了磷化铟单晶抛光片晶向的要求见年版的

q)(20063.3.5);

更改了试验方法见第章年版的第章

r)(6,20064);

更改了组批检验项目取样及检验结果的判定见第章年版的第章

s)、、(7,20065);

更改了标志的要求见年版的

t)(8.1,20066.1);

更改了包装的要求见年版的

u)(8.2,20066.2、6.3);

更改了随行文件的要求见年版的

v)(8.5,20066.5);

增加了订货单内容见第章

w)(9);

增加了规范性附录磷化铟单晶位错密度的测试方法见附录

x)“”(A)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所云南鑫耀半导体材料有限公司广东先导

:、、

微电子科技有限公司有研国晶辉新材料有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司

、、。

本文件主要起草人孙聂枫李晓岚王阳刘惠生惠峰李素青朱刘王书杰邵会民周铁军

:、、、、、、、、、、

史艳磊付莉杰王博张晓丹姜剑王宇

、、、、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订

2006,。

GB/T20230—2022

磷化铟单晶

1范围

本文件规定了磷化铟单晶的牌号技术要求试验方法检验规则标志包装运输贮存和随行文

、、、、、、、

件及订货单内容

本文件适用于制作光电微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片

、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T4326

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GB/T13388X

半导体材料术语

GB/T14264

硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T19921

硅片切口

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