大学物理讲义半导体基础

1、大学物理讲义半导体基础第一章第一章 半导体器件半导体器件 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 1.2 PN 结及半导体二极管结及半导体二极管 1.3 特殊二极管特殊二极管 1.4 半导体三极管半导体三极管 1.5 场效应晶体管场效应晶体管1.1.1 导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之半导体：

2、另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。化物、氧化物等。1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。它的导电能力明显改变。 本征半导体本征半导体一、本征半导体的结构特点一、本征半

3、导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。层电子（价电子）都是四个。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间子位于四面体的顶点，每个原子

4、与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的晶硅和锗的晶体结构：体结构：硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是形

5、成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。列，形成晶体。+4+4+4+4二、本征半导体的导电机理二、本征半导体的导电机理在绝对在绝对0度度（T=0K）和没有外界激发时和没有外界激发时, ,价电子价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相，相当于绝缘体。当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量

6、而脱离共价键的束缚，成为自由电子，足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下，在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流可以认为空穴是载流子。子。本征半导体中存在数量相

7、等的两种载流子，即自由本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。电子和空穴。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。 杂质半导体杂质半导体

8、在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。的某种载流子浓度大大增加。P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。（空穴半导体）。N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。为（电子半导体）。一、一、N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）

9、，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。+4+4+5+4多余多余电子电子磷原子磷原子N 型半导体中型半导体中的载流子是什么？的载流子

10、是什么？1.1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2.2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。称为少数载流子（少子）。二、二、P 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取（或铟），晶

11、体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。受电子，所以称为受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。三、杂质半导体的示意表示法三、杂质半导体的示意表示法P 型半导体型半导体+N 型半导体型半

12、导体杂质杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为。近似认为多子与杂质浓度相等。多子与杂质浓度相等。2.1.1 PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了就形成了PN 结。结。1.2 PN结及半导体二极管结及半导体二极管P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E漂移运动漂移运动扩散

13、的结果是使空间电荷区扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。逐渐加宽，空间电荷区越宽。内电场越强，就使漂移运动内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区越强，而漂移使空间电荷区变薄。变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。漂移运动漂移运动P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。+空间空间电荷电荷区区N型区型区P型区型区电位电位VV01.1.

14、空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍P P中的空穴中的空穴. .N区区 中的中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。3.3.P 区中的电子和区中的电子和 N区中的空穴（都是少子），数区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。量有限，因此由它们形成的电流很小。注意注意: :2.1.2 PN结的单向导电性结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是：结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加区加正、正、N 区加负电压。区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向

15、偏置的意思都是：结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、区加负、N 区加正电压。区加正电压。+RE一、一、PN 结正向偏置结正向偏置内电场内电场外电场外电场变薄变薄PN+_内电场被削弱，多子内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成的扩散加强能够形成较大的扩散电流。较大的扩散电流。二、二、PN 结反向偏置结反向偏置+内电场内电场外电场外电场变厚变厚NP+_内电场被被加强，多内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子子漂移加强，但少子数量有限，只能形成数量有限，只能形成较小的反向电流。较小的反向电流。RE 半导体二极管半导体二极管一、基本结构一、基本结构PN 结加

16、上管壳和引线，就成为半导体二极管。结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线引线外壳线外壳线触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型PN结结面接触型面接触型PN二极管的电路符号：二极管的电路符号： 二、伏安特性二、伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.6V,锗管锗管0.2V。导通压降导通压降: : 硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压UBR三、主要参数三、主要参数1. 最大整流电流最大整流电流 IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。向平均电流。2. 反向击穿电压反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电

17、压值。击穿时反向电流剧二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是一般是UBR的一半。的一半。3. 反向电流反向电流 IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流

18、较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。介绍两个交流参数。4. 微变电阻微变电阻 rDiDuDIDUDQ iD uDrD 是二极管特性曲线上工作点是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变附近电压的变化与电流的变化之比：化之比：显然，显然，rD是对是对Q附近的微小变化附近的微小变化区域内的电阻。区域内的电阻。5. 二极管的极间电

19、容二极管的极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容电容CB和扩散电容和扩散电容CD。势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容：为了形成正向电流（扩散扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入电流），注入P 区的少子（电子）在区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近区有浓度差，越靠近PN结浓度越结浓度越大，即在大，即在P

20、区有电子的积累。同理，区有电子的积累。同理，在在N区有空穴的积累。正向电流大，积区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。累的电荷多。这样所产生的电容就是扩这样所产生的电容就是扩散电容散电容CD。P+-NCB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。PN结高频小信号时的等效电路：结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电容势垒电容和扩散电容的综合效应的综合效应rd二极管：死区电压二极管：死区电压=0 .5V，正向压降，正向压降 0.7V(硅二极管硅二极管) 理想二理想二极管：死

21、区电压极管：死区电压=0 ，正向压降，正向压降=0 RLuiuouiuott二极管的应用举例二极管的应用举例1：二极管半波整流：二极管半波整流二极管的应用举例二极管的应用举例2：tttuiuRuoRRLuiuRuo 稳压二极管稳压二极管UIIZIZmax UZ IZ稳稳压压误误差差曲线越陡，曲线越陡，电压越稳电压越稳定。定。+-UZ动态电阻：动态电阻：rz越小，稳越小，稳压性能越好。压性能越好。1.3 特殊二极管特殊二极管（4）稳定电流稳定电流IZ、最大、最小稳定电流最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。（5）最大允许功耗）最大允许功耗稳压二极管的参数稳压二极管的参数:（1）稳定电压）稳定

22、电压 UZ（2）电压温度系数）电压温度系数 U（%/） 稳压值受温度变化影响的的系数。稳压值受温度变化影响的的系数。（3）动态电阻）动态电阻负载电阻负载电阻 。要求当输入电压由正常值发生要求当输入电压由正常值发生 20%波动时，负载电压基本不变。波动时，负载电压基本不变。稳压二极管的应用举例稳压二极管的应用举例uoiZDZRiLiuiRL稳压管的技术参数稳压管的技术参数:解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。求：电阻求：电阻R和输入电压和输入电压 ui 的正常值。的正常值。方程方程1令输入电压降到下限时，令输入电压降到下限时，流过

23、稳压管的电流为流过稳压管的电流为Izmin 。方程方程2uoiZDZRiLiuiRL联立方程联立方程1、2，可解得：，可解得：1.3.2 光电二极管光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加照度增加1.3.3 发光二极管发光二极管有正向电流流过时，有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极它的电特性与一般二极管类似。管类似。 基本结构基本结构BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发

24、射极BCEPNP型型1.4 半导体三极管半导体三极管BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂浓度较高BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结1.4.2 电流放大原理电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴基区空穴向发射区向发射区的扩散可的扩散可忽略。忽略。IBE进入进入P区的电子少区的电子少部分与基区的空穴部分与基区的空穴复合，形成电流复合，形成电流IBE ，多数扩散到，多数扩散到集电结。集电结。发射结正发射结正偏，发射偏，发射区电子不区电子不断向

25、基区断向基区扩散，形扩散，形成发射极成发射极电流电流IE。BECNNPEBRBECIE集电结反偏，集电结反偏，有少子形成的有少子形成的反向电流反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO ICEIBEICE从基区扩散从基区扩散来的电子作来的电子作为集电结的为集电结的少子，漂移少子，漂移进入集电结进入集电结而被收集，而被收集，形成形成ICE。IB=IBE-ICBO IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBEICE与与IBE之比称为电流放大倍数之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电

26、结反偏。电结反偏。BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管 特性曲线特性曲线ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 实验线路实验线路一、一、输入特性输入特性UCE 1VIB( A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：工作压降： 硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管锗管UBE 0.20.3V。UCE=0VUCE =0.5V 死区电压，死区电压，硅管硅管0.5V，锗管锗管0.2V。二、二、输出特性输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满此区域满足足IC= IB称为线称为

27、线性区性区（放大（放大区）。区）。当当UCE大于一大于一定的数值时，定的数值时，IC只与只与IB有关，有关，IC= IB。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中UCE UBE,集电结正偏，集电结正偏， IBIC，UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBEIC，UCE 0.3V (3) 截止区：截止区： UBE 死区电压，死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 例：例： =5

28、0， USC =12V， RB =70k ， RC =6k 当当USB = -2V，2V，5V时，时，晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位于哪个区？于哪个区？当当USB =-2V时：时：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0 ， IC=0IC最大饱和电流：最大饱和电流：Q位于截止区位于截止区 例：例： =50， USC =12V， RB =70k ， RC =6k 当当USB = -2V，2V，5V时，时，晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位于哪个区？于哪个区？IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区位于放大区。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE

29、USB =2V时：时：USB =5V时时:例：例： =50， USC =12V， RB =70k ， RC =6k 当当USB = -2V，2V，5V时，时，晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位于哪个区？于哪个区？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEQ 位于饱和区，此时位于饱和区，此时IC 和和IB 已不是已不是 倍的关系。倍的关系。三、主要参数三、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：共射直流电流放大倍数：工作

30、于动态的三极管，真正的信号是叠加在直工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为流上的交流信号。基极电流的变化量为 IB，相相应的集电极电流变化为应的集电极电流变化为 IC，则交流电流放大倍数为：，则交流电流放大倍数为：1. 电流放大倍数电流放大倍数和和 _例：例：UCE=6V时：时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理： =2.集集- -基极反向截止电流基极反向截止电流ICBO AICBOICBO是集是集电结反电结反偏由少偏由少子的漂子的漂移形成移

31、形成的反向的反向电流，电流，受温度受温度的变化的变化影响。影响。BECNNPICBOICEO= IBE+ICBO IBE IBEICBO进入进入N区，形成区，形成IBE。根据放大关系，根据放大关系，由于由于IBE的存在，的存在，必有电流必有电流 IBE。集电结反集电结反偏有偏有ICBO3. 集集- -射极反向截止电流射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响很受温度影响很大，当温度上升时，大，当温度上升时，ICEO增加很快，所增加很快，所以以IC也相应增加。也相应增加。三极管的温度特三极管的温度特性较差。性较差。4.集电极最大电流集电极最大电流ICM集电极电流集电极电流IC上升会导致三极管的上

32、升会导致三极管的 值的下降，当值的下降，当 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压当集当集-射极之间的电压射极之间的电压UCE超过一定的数值时，超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25 C、基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。6. 集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM 集电极电流集电极电流IC 流过三极管，流过三极管， 所发出的焦耳所发出的焦耳 热为：热为：PC =ICUCE 必定导致结温必定导致结温 上升，所以上升，

33、所以PC 有限制。有限制。PC PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。电，输入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种场效应管有两种:1.5 场效应晶体管场效应晶体管N基底基底 ：N型半导体型半导体PP两边是两边是P区区G(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极一、结构一、结构1.5.1 结型场效应管结型场效应管:导电沟道导电沟道NPPG(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极N沟道结型场效应管沟道结型场效应管DGSDGSPNNG(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极P沟道结型场效应管沟道结型场效应管DGSDGS二、工作原理（以二、工作原理（以P沟道为例）沟道为例）UDS=0V时时PGSDUDSUGSNNN