计算机组装和维护chap04ppt课件

1、高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社第4章 内存储器计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社第4章 内存储器v4.1 阅读资料：主内存的发展历程v4.2 内存概述v4.3 内存的分类v4.4 内存的性能指标v4.5 内存的技术规范v4.6 内存的识别与选购计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.1 阅读资料：主内存的发展历程80286时代时代30线、线、256KB80486时代时代30线的线的SIMM FPM和和72线的线的SIMM FP并存，速度是并

2、存，速度是60ns以上以上EDO RAM有有72线和线和168线之分，线之分， 速度是速度是40ns以上以上SDRAM168线线Rambus DRAM184线线DDR SDRAM速度是速度是SDRAM的双倍的双倍DDR II速度是速度是DDR SDRAM的两倍的两倍计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.1 内存的存在方式v4.2.2 内存与外存的区别计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.1 内存的存在方式vRAM：Random

3、Access Memory，随机存储器vROM：Read Only Memory，只读存储器vCache：高速缓冲存储器计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.2 内存与外存的区别v外存的表现形式有硬盘、软盘、光盘等。与CPU交换数据方式容量价格存取速度内存直接交换小每存储单元价格高快外存间接交换大每存储单元价格低慢计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.3 内存的结构与封装v1.内存的结构 内存结构图计算机组装与维护第4章 内存储

4、器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.3 内存的结构与封装 标注部件名称说明1PCB板多为绿色，4层或6层的电路板，内部有金属布线，6层设计要比4层的电气性能好，性能更稳定，名牌内存多采用6层设计2金手指金黄色的触点，与主板连接的部分，数据通过“金手指”传输。金手指是铜质导线，易氧化，要定期清理表面的氧化物3内存芯片是内存的灵魂所在，决定着内存的性能、速度、容量等，也叫内存颗粒。市场上内存种类很多，但内存颗粒的型号却并不多，常见的有HY、KINGMAX、WINBOND、TOSHIBA、SEC、MT、Apacer等几种品牌。不同品牌的内存颗粒

5、，速度、性能不尽相同4内存颗粒位预留的一片内存芯片位置，供其他采用这种封装模式的内存条使用。此处预留的是一个ECC校验模块位置5电容是PCB板上必不可少的电子元件之一。一般采用贴片式电容，可以提高内存条的稳定性，提高电气性能6电阻是PCB板上必不可少的电子元件之一，也采用贴片式设计7内存固定缺口内存插到主板上后，主板内存插槽的两个夹子便扣入该缺口，可以固定内存条8内存脚缺口防止反插，也可以区分以前的SDRAM内存条，以前的SDRAM内存有两个缺口9SPD是一个八脚的小芯片，实际上是一个EEPROM，可擦写存储器。有256字节的容量，每一位都代表特定的意思，包括内存的容量、组成结构、性能参数和厂

6、家信息计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.3 内存的结构与封装v2. 内存的封装DIP DIP SOJ SOJ TSOP TSOP BGA BGA 计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.3 内存的结构与封装v2. 内存的封装Tiny-BGA Tiny-BGA mBGA mBGA 计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.3 内存的结构与封装v2.

7、内存的封装 CSP CSP WLCSP WLCSP 计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.4 内存的接口方式v1SIMMSIMM 30线线SIMM 72线线计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.4 内存的接口方式v2DIMMSIMM 168线线DIMM 184线线（DDR）DIMM 240线线（DDRII）计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 内存概述v4.2.4

8、 内存的接口方式v3RIMMRIMM 184线线计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.3 内存的分类v内存：RAM、ROM、Cachev1FPM DRAMvFast Page Mode DRAM快速页面模式动态存储器。v 2EDO DRAMvExtended Data Out DRAM扩展数据输出动态存储器。v3SDRAMvSynchronous DRAM同步动态存储器。计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.3 内存的分类4RDRAMRambus DRAM高频动态存储器。

9、5DDR SDRAMDouble Data Rate SDRAM双倍速率同步动态随机存储器。6DDRDDR内存能够提供比传统SDRAM内存快四倍，比DDR内存快两倍的工作频率。计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 内存的性能指标v4.4.1 内存容量v4.4.2 工作频率v4.4.3 数据带宽v4.4.4 奇偶校验与ECC校验v4.4.5 CAS的延迟时间v4.4.6 工作电压v4.4.7 SPD计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 内存的性能指标v4.4.1 内

10、存容量v是指一根内存条可以容纳的二进制信息量。v4.4.2 工作频率v内存的工作频率表示的是内存的传输数据的频率，一般使MHz为计量单位。v4.4.3 数据带宽v数据带宽是指内存的数据传输速度，也就是内存一次能处理的数据宽度。它是衡量内存性能的重要标准。计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 内存的性能指标v4.4.4 奇偶校验与ECC校验v奇偶校验是最早使用的内存软错误的检测方法。ECC校验，即Error Checking and Correcting，错误检查和纠正。 v4.4.5 CAS的延迟时间vColumn Addres

11、s Strobe列地址信号。CAS的延迟时间就是指内存纵向地址脉冲的反应时间，用CLCAS Latency来表示。计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 内存的性能指标v4.4.6 工作电压v内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，各有各的规格，不能超出规格，否则会损坏内存。v4.4.7 SPDvSerial Presence Detect，串行存在探测SPD是一个8针的256字节EEPROM电可擦写可编程只读存储器芯片，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。 计算机组装与维护第4章 内存

12、储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 内存的技术规范SDRAM:PC100、PC133DDR SDRAM：PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700RDRAM：PC600、PC800、PC1600DDRII：PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300、PC2 6400计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 内存的技术规范v4.5.1 PC100v4.5.2 PC133v4.5.3 DDR与DDRII技术规范v4.5.4 RIMM：3200、42

13、00、4800v4.5.5 流行内存性能比较计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 内存的技术规范v4.5.1 PC100vPC100是JEDECJoint Electron Device Engineering Council，电子元件工业联合会和Intel联合制定的一种SDRAM内存的技术标准，其中100代表该内存的工作频率可达到100MHz。v4.5.2 PC133vPC133是威盛公司联合三星、现代、日立、西门子、美光和NEC等数家著名IT厂商共同推出的内存标准其中133是指该内存的工作频率可达到133MHz。计算机组装与

14、维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 内存的技术规范v4.5.3 DDR与DDRII技术规范规格规格传输标准传输标准实际工作频率实际工作频率等效频率等效频率数据传输率（带宽）数据传输率（带宽）DDR内存内存技术技术规范规范DDR200PC1600100MHz200 MHz1 600MB/SDDR266PC 2100133 MHz266 MHz2 100 MB/SDDR333PC 2700166 MHz333 MHz2 700 MB/SDDR400PC 3200200 MHz400 MHz3 200 MB/SDDR433PC 3500216

15、MHz433 MHz3 500 MB/SDDR533PC 4300266 MHz533 MHz4 300 MB/SDDRII内存内存技术技术规范规范DDRII400PC2 3200100 MHz400 MHz3 200 MB/SDDRII533PC2 4300133 MHz533 MHz4 300 MB/SDDRII667PC2 5300166MHz667 MHz5 300 MB/SDDRII800PC2 6400200 MHz800 MHz6 400 MB/S计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 内存的技术规范v4.5.4 R

16、IMM：3200、4200、4800 工作频率工作频率等效工作频率等效工作频率数据带宽数据带宽说明说明RIMM 3200400MHz800 MHz3 200MB/S32位的位的RDRAM内存，工作速度与内存，工作速度与PC800的的RDRAM一致一致RIMM 4200533 MHz1 066MHz4 200MB/S32位的位的RDRAM内存，工作速度与内存，工作速度与PC1066RDRAM一致一致RIMM 4800600 MHz1 200MHz4 800MB/S32位的位的RDRAM内存，工作速度与内存，工作速度与PC1200RDRAM一致一致计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与

17、出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 内存的技术规范v4.5.5 流行内存性能比较v1HY DDR400v2KimgBox 黑金刚DDR400v3KingSton金士顿 ValueDDR400计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.6 内存的识别与选购v4.6.1 内存的识别v4.6.2 内存的选购计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.6 内存的识别与选购v4.6.1 内存的识别代号代号厂商名称厂商名称HYHyundai（现代电子）（现代电子）HYBSiem

18、ens（西门子）（西门子）KM或或MSamsung（三星）（三星）MBFujitsu（富士通）（富士通）MCMMotorola（摩托罗拉）（摩托罗拉）MTMicron（美光）（美光）TC或或TDToshiba（东芝）（东芝）HMHitachi（日立）（日立）uPDNECBMIBM计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等教育出版社高等教育出版社4.6 内存的识别与选购v4.6.1 内存的识别编号编号HYXXXXXXXXXXXXXXXX位数位数1234567891011第一位：第一位：HYHY代表该产品是现代的产品。代表该产品是现代的产品。第二位：代表内存芯片类型。

19、第二位：代表内存芯片类型。第三位：代表内存工作电压。第三位：代表内存工作电压。第四位：代表芯片密度和刷新速度。第四位：代表芯片密度和刷新速度。第五位：代表芯片输出的数据位宽：第五位：代表芯片输出的数据位宽：4040、8080、1616、3232分别代表分别代表4 4位、位、8 8位、位、1616位和位和3232位。位。第六位：代表第六位：代表BANKBANK数量：数量：1 1、2 2、3 3分别代表分别代表2 2个、个、3 3个、个、4 4个和个和8 8个个BankBank，是，是2 2的幂次关系。的幂次关系。第七位：第七位：I/0I/0界面，界面，1SSTL-31SSTL-3；2SSTL-22SSTL-2。第八位：芯片内核版本：可以为空白或第八位：芯片内核版本：可以为空白或A A、B B、C C、D D等字母，越往后表示越新。等字母，越往后表示越新。第九位：代表功耗：第九位：代表功耗：L=L=低功耗芯片；空白低功耗芯片；空白= =普通芯片。普通芯片。第十位：内存芯片封装形式。第十位：内存芯片封装形式。第十一位：代表内存工作速度。第十一位：代表内存工作速度。计算机组装与维护第4章 内存储器高等职业教育研究与出版中心计算机分社高等