集成电路制造工艺教案

1、四川信息职业技术学院教 案课程编码： 0231124课程名称：集成电路制造工艺课程性质： 必修课 总学时/学分：64/4授课专业：微电子技术 授课教师：王志强使用学期： 20122013学年第1学期教研室审批意见及时间：课程基本信息课程标准名称、批准单位及时间微电子技术专业11级集成电路制造工艺课程标准；考核方式：形成性考核30%0+终结性考核70%（开卷）。电子工程系，2011年8月采用教材名称、作者、出版社及版本集成电路制造工艺，林明祥，机械工业出版社，2011.1教学参考资料微电子产业及单晶硅材料，李可为，电子高专2006.6集成电路芯片制造原理与技术，李可为，电子高专2006.6教法、

2、学法建议教法：讲授法、引导法、观摩法等学法：自学法、笔记法、讨论法。班级名称班编号本学期 总学时其 中讲授时数实训或实验课时数习题(讨论) 课时数机动学时微电11-11645680备注章节小结算入讲授学时，半期考试、复习算入习题课时。课程授课学时安排表编号班号/周次单元或项目名称计划学时备注1211绪论2理论课21绪论2理论课31硅晶圆片制造技术硅及材料；单晶硅材料；2理论课42硅晶圆片制造技术晶圆加工成形2理论课52硅外延生长2理论课62物质形态及材料属性工艺用化学品 2理论课73玷污的类型及玷污与控制2理论课83硅片湿法清洗2理论课93集成电路测量学及质量测量2理论课104硅片的质量分析设

3、备2理论课114集成电路芯片制造工艺概述2理论课124集成电路芯片制造工艺概述2理论课135氧化技术Si02及掩蔽作用；2理论课145氧化技术热氧化及热氧化生长动力学；2理论课155氧化技术氧化速率及杂质再分布2理论课166扩散机构及杂质浓度分布；2理论课176常用杂质的扩散方法2理论课186扩散层参数测量和质量分析2习题课197半期考试理论课207光刻技术光刻工艺要求及光刻胶2理论课217光刻技术光刻工艺2理论课2212光刻技术光刻工艺及质量分析2理论课2312刻蚀湿法刻蚀2理论课2412刻蚀干法刻蚀2理论课2513刻蚀砷化镓刻蚀2理论课2613离子注入工艺特点及原理2理论课2713离子注入

4、注入设备2理论课2814离子注入注入工艺2理论课2914CVD化学过程及薄膜分类及生长动力学；2理论课3014CVD淀积系统 2理论课3115金属化2理论课3215表面钝化概述及SI-SI02系统2理论课3315表面钝化钝化方法及、钝化膜结构。2理论课3416电学隔离技术2理论课3516电学隔离技术2理论课3616典型双极性集成电路工艺2理论课3717CMOS集成电路工艺2理论课3817空的获得与设备2理论课3917复习2习题课4020复习2习题课22222NO：1课 题绪论课 型理论课教学时数2教学目的1、了解课程的性质与任务2、了解微电子产业历史、现状；3、掌握硅片、芯片基本概念；教学重点

5、教学难点无无采用教法讲授法，引导法、激励法学法建议自学法、笔记法、讨论法教 学过 程设 计（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）1、课程引入（30分钟）介绍微电子行业相关知识，激发学生学习兴趣。2、本课基本信息介绍（20分钟）（1）本课的性质与任务；（2）本课的教学安排；（3）本课的学习资源与方法；（4）要求及注意事项：课程纪律要求，考核情况（作业、平时成绩、半期考试、期末考试），辅导答疑等。3、引子与微电子产业发展历史（30分钟）（1）硅片与芯片；（2）微电子器件发展阶段；（3）微电子产业发展史；4、小结与答疑（10分钟） 教师启发式提问和学生自由提问并施，解决

6、学生对专业和本课程的疑惑、疑问，其目的在于激发其学习兴趣、信心和和恒心。备 注思考与练习教学后记N0：2课 题绪论课 型理论课教学时数2教学目的1、了解半导体工艺技术史、半导体制造企业分类、集成电路分类；2、掌握微电子产业技术趋势和技术节点。教学重点教学难点半导体工艺技术史、集成电路分类、电子产业技术趋势和技术节点无采用教法讲授法，引导法、激励法学法建议自学法、笔记法、讨论法教 学过 程设 计（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、半导体工艺技术史（25分钟）叙述各种首次被应用到半导体工

7、艺或制作半导体器件而被研发出来的具有里程碑意义的技术，同时将本课程涉及的主要技术逐一介绍，以期使学生对本课程有个概略的了解。3、我国微电子产业的现状、问题和前景（7分钟）4、集成电路制造工艺简介（15分钟）5、半导体制造企业（8分钟）设计企业、设计与制造企业、代工企业6、集成电路分类（10分钟）7、技术趋势（5分钟）8、技术节点（10分钟）5、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记N0：3课 题硅的晶体结构，缺陷及杂质课 型理论课教学时数2教学目的1、了解半导体材料及分类；晶体基础知识。2、掌握硅结构及缺陷。教学重点教学难点半导体材料及分类；晶体基础知识；硅结构及缺陷。无采用教法讲授法，

8、引导法、归纳法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）1、复习及引入课题（10分钟）（1）上次课复习（2）本章、本节学习内容与教学目的介绍2、半导体材料及分类（25分钟）（1）半导体材料（2）半导体分类3、硅的晶体结构（35分钟）（1）物质分类：非晶体、晶体（单晶体和多晶体）；（2）晶体结构及性质；（3）硅单晶体及其结构。4、晶体的缺陷及杂质（15分钟）四种缺陷：点、线、面、体5、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记N0：4课 题硅晶体制备课 型理论课教学时数2教学目的1、了解多晶硅分类、制备方法2、掌握多硅单晶制备方

9、法；制备工艺、单晶硅制备方法。教学重点教学难点多硅单晶制备方法；制备工艺；单晶硅制备方法。直拉法制备硅单晶工艺采用教法讲授，演示法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、多晶硅制备（30分钟）（1）多晶硅分类（2）多晶硅常见制备方法（3）多晶硅制备工艺流程；3、单晶硅制备（50分钟）（1）单晶制备流程 ；（2）典型的单晶硅制备方法：CZ直拉法、FZ区熔法（3）单晶制备设备4、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记N0：5课 题硅单晶加工及质量

10、要求课 型理论课教学时数2教学目的1、了解硅晶圆质量要求2、掌握硅单晶制备工艺；晶圆加工成形工艺步骤及每步工艺要点教学重点教学难点硅单晶制备工艺；晶圆加工成形工艺步骤及每步工艺要点；单晶制备工艺采用教法讲授，演示法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）1、复习及引入课题（10分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、硅单晶制备工艺（30分钟）（1）、硅单晶制备工艺（2）质量要求；3、硅单晶加工（45分钟）（1）硅单晶的切割（2）硅单晶的研磨（3）硅单晶的倒角；（4）硅单晶的抛光4、小结与答疑（5分钟）备 注思

11、考与练习教学后记N0：6课 题硅片玷污与控制课 型理论课教学时数2教学目的1、了解硅片玷污及类型；2、掌握硅片清洗教学重点教学难点硅片玷污类型；硅片清洗硅片清洗采用教法讲授法，演示法，巡查指导学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、玷污的类型（40分钟）（1）颗粒；（2）金属杂质；（3）有机物玷污；（4）自然氧化层；（5）ESD静电释放。3、玷污控制（40分钟）（1）硅片湿法清洗概述（2）RCA清洗；（3）清洗设备4、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记N0：7课 题硅外延生长课 型理论课教学时数2教学目的

12、1、了解外延生长基本概念。2、理解外延生长工艺教学重点教学难点外延生长工艺外延生长工艺采用教法讲授，启发式，示例法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、外延生长概述（15分钟）3、硅的气相外延（45分钟）（1）硅外延生长用的原料；（2）硅外延生长设备；（3）外延工艺顺序；（4）硅外延生长的基本原理和影响因素。4、硅外延层电阻率的控制（20分钟）（1）外延层中的杂质及掺杂；（2）外延中杂质的再分布；（3）外延层生长中的自掺杂；（4）外延层的夹层。4

13、、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：7课 题测量学和缺陷检测课 型理论课教学时数2教学目的1、了解硅片清洗的目的、目标；2、掌握RCA清洗工艺。教学重点教学难点RCA清洗工艺RCA清洗工艺采用教法讲授法，实例引导法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、湿法清洗概况（30分钟）（1）RCA清洗：1号标准清洗液，21号标准清洗液（2）改进的RCA清洗；（3）湿法清洗步骤3、湿法清洗及设备（35分钟）（1）兆声清洗 （2）喷雾清洗（3）溢流清洗4、 RCA清洗的替代方案（15分钟）5、小结与答疑（5分钟

14、）备 注思考与练习教学后记NO：9课 题集成电路测量学及质量测量课 型理论课教学时数2教学目的1、掌握等效的概念；2、掌握电阻串、并、混联结方式的特点及相关电量计算；教学重点教学难点混联电阻电路的计算。混联电阻电路的计算。采用教法讲授法，实例引导法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、集成电路测量学（40分钟）（1）引言；（2测量设备；（3）成品率；（4）数据管理。3、质量测量（40分钟）（1）膜厚；（2）膜应力（3）参杂浓度；（4）有无图形的 表面缺陷。4、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：10

15、课 题硅片的质量测量及分析设备课 型理论课教学时数2教学目的1、了解了解集成电路测量学；2、理解质量测量教学重点教学难点质量测量无采用教法讲授法，演示法，巡查指导学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、硅片的质量测量（55分钟）（1）关键尺寸CD；（2）台阶覆盖；（3）套准精度；（4）C-V测试。（4）接触角度。3、分析设备（25分钟）二次离子质谱仪、原子力显微镜等。4、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：11课 题集成电路芯片制造工艺概述课 型理论课教学时数2教学目的1、 了解集成电路芯片制造工艺历

16、史现状；2、 理解硅外延平面晶体管工艺流程。教学重点教学难点硅外延平面晶体管工艺流程硅外延平面晶体管工艺流程采用教法导入法，讲授法，归纳法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、微电子器件工艺历史（15分钟）（1）生长法；（2）合金发；（3）扩散法。3、集成电路发展史（15分钟）4、硅外延平面晶体管工艺流程（50分钟）（1）工艺流程图；（2）各部工艺及作用。5、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：12课 题集成电路芯片制造工艺概述课 型理论课教学时数2教学目的1、理解双极性和单极性集成电路生产工艺流程

17、教学重点教学难点双极性和单极性集成电路生产工艺流程双极性和单极性集成电路生产工艺流程采用教法导入法，讲授法，归纳法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、双极性集成电路生产工艺流程（50分钟）（1）工艺流程图；（2）各部工艺及作用。3、单极性集成电路生产工艺流程（30分钟）（1）工艺流程图；（2）各部工艺及作用。4、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：13课 题氧化技术Si02及掩蔽作用；课 型习题课教学时数2教学目的了解Si02、性质、用途掌握Si02的掩蔽作用教学重点教学难点Si02的掩蔽作用无采

18、用教法讲授法，启发式，讨论法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、Si02及Si02结构（15分钟）3、Si02主要性质及作用（25分钟）（1）主要性质：物理性质和化学性质；（2）Si02薄膜在器件中的作用。4、Si02掩蔽作用（40分钟）（1）杂质在Si02中的存在形式；（2）杂质在Si02中的扩散系数；（3）Si02掩蔽层厚度的确定；（4）杂质在Si02中的扩散系数；5、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：14课 题氧化技术热氧化及热氧化生长动力学；课 型理论课教学时数2教学目的1、了解Si02

19、制备方法及热氧化生长动力学；2、掌握热氧化工艺教学重点教学难点热氧化工艺热氧化工艺采用教法讲授法，引导法、示例法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、Si02热氧化生长法（45分钟）（1）干氧热氧化法；（2）湿氧热氧化法；（2）湿氧热氧化法；（3）干-湿氧热氧化法；3、热氧化生长动力学（35分钟）（1）氧化剂扩散到Si02表面；（2）氧化剂扩散到Si02Si界面；（2）氧化剂与Si生成Si 02；（3）反应副产物清除；4、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：15课 题氧化技术氧化速率及杂质再分布课

20、型理论课教学时数2教学目的1、了解决定氧化速率的各种因素、杂质再分布特点及对硅表面杂质浓度的影响；2、掌握热处理工艺。教学重点教学难点热处理工艺热处理工艺采用教法讲授法，演示法，巡查指导学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、影响氧化速率的因素（20分钟）（1）氧化剂分压的影响；（2）氧化温度的影响；（3）硅表面晶向的影响；（4）杂质的影响。3、杂质再分布特点及对硅表面杂质浓度的影响（20分钟）（1）质再分布特点；（2）杂质再分布对硅表面杂质浓度的影响。4、热处理（40分钟）（1）退火与硅化反应；（2）熔流与固化；

21、（3）快速热处理。5、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：16课 题扩散技术扩散原理与模型；课 型理论课教学时数2教学目的1、 理解扩散原理；2、 掌握扩散模型。教学重点教学难点扩散原理、扩散模型；扩散原理采用教法讲授法，引导法、示例法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、掺杂概述（15分钟）3、扩散原理（25分钟）（1）空位扩散；（2）填隙扩散。3、扩散模型（40分钟）（1）恒定表面源扩散；（2）有限表面源扩散。4、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：17课 题扩散技术常用杂质的扩散

22、方法课 型理论课教学时数2教学目的1、掌握液态、固态源扩散、；2、了解其他扩散方法。教学重点教学难点液态、固态源扩散液态、固态源扩散采用教法讲授法，引导法、示例法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、液态源扩散（35分钟）（1）液态源硼扩散；（2）液态源磷扩散；3、固态源扩散（30分钟）（1）固态源硼扩散；（2）固态源磷扩散；4、其他扩散方法（15分钟）5、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：18课 题扩散层参数测量和质量分析课 型理论课教学时数2教学目的1、了解方块电阻；2、掌握方块电阻、结深的测

23、量。教学重点教学难点方块电阻、结深的测量方块电阻、结深的测量采用教法讲授法，启发式，讨论法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、方块电阻及测量（30分钟）（1）方块电阻 ；（2）方块电阻的四探针测量。3、结深及测量（25分钟）（1）结深定义；（2）结深测量。4、质量分析（25分钟）（1）扩散的均匀性与重复性；（2）反向击穿电压；（3）常见表面质量问题。5、小结与答疑（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：19课 题半期考试课 型习题课教学时数2教学目的通过考试检验学生对知识的掌握情况。教学重点教学难点半期考试无采

24、用教法学法建议教 学过 程设 计（复习内容、课题引入、主要知识点序列或操作步骤教法设计、时间分配等）1、半期考试（90分钟）备 注思考与练习教学后记NO：20课 题光刻技术光刻工艺要求及光刻胶课 型理论课 教学时数2教学目的了解光刻及工艺要求；了解光刻胶及组成。无教学重点教学难点光刻及工艺要求；光刻胶及组成采用教法讲授法，引导法，互动交流法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、光刻及作用（20分钟）（1）光刻概念(2)光刻作用3、光刻的工艺要求（35分钟）（1）高分辨率（2）高灵敏度（3）紧密套准（4）大尺寸硅片

25、加工（5）低缺陷4、光刻胶组成材料及感光原理（25分钟）（1）光刻胶组成材料（2）光刻胶感光原理5、本课小结（5分钟）备 注思考与练习光刻工艺的作用？教学后记NO：21课 题光刻技术光刻工艺课 型理论课教学时数2教学目的了解衬底材料的检查与处理；掌握光刻工艺及流程；教学重点教学难点光刻工艺及流程；光刻工艺及流程；采用教法讲授法，引导法，互动交流法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍22、光刻工艺（80分钟）（1）衬底材料的检查与处理（2）曾粘处理（3）涂胶（4）前烘（5）曝光（6）显影3、本课小结（5分钟）备 注思

26、考与练习曝光的方式有那几个？教学后记NO：22课 题光刻技术光刻工艺及质量分析课 型理论课教学时数2教学目的掌握光刻工艺流程图；理解光刻质量分析教学重点教学难点光刻工艺流程图；理解光刻质量分析无采用教法讲授法，引导法，互动交流法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、坚膜及光刻工艺流程图（75分钟）（1）坚膜（2） 光刻工艺流程图3、光刻质量分析（1）溶胶（2） 小岛（3）针孔4、本课小结（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：23课 题刻蚀湿法刻蚀课 型理论课教学时数2教学目的了解刻蚀及作用、湿法刻蚀概念；掌握常

27、见湿法刻蚀方法。教学重点教学难点常见湿法刻蚀方法无采用教法讲授法，引导法，小组讨论法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、刻蚀及超大规模集成电路对图形转移的要求（30分钟）（1）刻蚀及作用(2) 超大规模集成电路对图形转移的要求3、湿法刻蚀（50分钟）（1）湿法刻蚀及特点（2）二氧化硅湿法刻蚀（3）吕刻蚀（4）硅的刻蚀4、本课小结（5分钟）备 注思考与练习湿法刻蚀有哪几种？教学后记NO：24课 题刻蚀干法刻蚀课 型理论课教学时数2教学目的理解干法刻蚀原理；掌握常见干法刻蚀方法教学重点教学难点常见干法刻蚀方法无采用

28、教法讲授法，引导法，小组讨论法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、干法刻蚀及原理（30分钟）（1）干法刻蚀概念及作用（2）干法刻蚀原理3、干法刻蚀（50分钟）（1）二氧化硅干法刻蚀（2）氮化硅干法刻蚀（3）吕及铝合金硅干法刻蚀（4）其他干法刻蚀5、本课小结（5分钟）备 注思考与练习说出二氧化硅干法刻蚀工艺？教学后记NO：25课 题刻蚀砷化镓刻蚀课 型理论课教学时数2教学目的掌握砷化镓刻蚀工艺教学重点教学难点砷化镓刻蚀工艺砷化镓刻蚀工艺采用教法讲授法，引导法，小组讨论法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、

29、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、砷化镓刻蚀（15分钟）3、去胶：（25分钟）（1）溶剂去胶（2）氧化去胶（3）等离子体去胶4、终点检测（40分钟）（1）终点检测方法：光发射分光仪法、激光干涉法测量（2）刻蚀的损伤：等离子体引起的损伤、等离子体引起的微粒污染3、本课小结（5分钟）备 注思考与练习刻蚀的损伤有哪些？教学后记NO：26课 题离子注入工艺特点及原理课 型理论课教学时数2教学目的熟练掌握电感元件伏安关系的相量形式和相量图；教学重点教学难点电感元件伏安关系的相量形式和向量图。电感元件伏安关系的相量形式和向量图。采用教法讲授法，引导法，小组讨论法学

30、法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、离子注入概述（15分钟）（1）离子束的性质（2）离子束加工方式3、离子注入系统（65分钟）（1）离子源：质量分析器：加速器：聚焦系统中性束偏移器5、本课小结（5分钟）备 注思考与练习质量分析器的作用是什么？教学后记NO：27课 题离子注入注入设备课 型理论课教学时数2教学目的1、了解典型离子注入设备的结构及操作规程教学重点教学难点典型离子注入设备的结构；操作规程采用教法讲授法，引导法，小组讨论法学法建议自学法、笔记法教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习

31、（2）本节学习内容与教学目的介绍2、典型离子注入设备的结构（50分钟）（1） 质量分析注入机（2）氮注入机；（3）等离子源注入机(PIII)；目前还研制出了金属蒸发真空电弧离子源（MEVVA），它是在注入元素组成的电极表面引燃电弧而产生离子束的，它解决了固体元素直接注入这一难题。3、典型离子注入设备操作规程（30分钟）4、本课小结（5分钟）备 注思考与练习教学后记NO：28课 题离子注入注入工艺课 型理论课教学时数2教学目的1、 理解离子注入控制工艺；2、 掌握沟道效应及离子注入的阻止机制教学重点教学难点离子注入控制工艺；沟道效应及离子注入的阻止机制沟道效应及离子注入的阻止机制采用教法讲授法，

32、引导法，讨论法学法建议加强理解，习题练习教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍3、离子注入控制（45分钟）（1）离子束流密度和注入时间控制杂质浓度（注入离子剂量）（2）离子能量控制结深（3）杂质分布各向异性3、离子注入阻止与沟道效应（35分钟）（1）离子注入阻止：核阻止、电子阻止（2）沟道效应4、本课小结（5分钟）备 注思考与练习离子注入阻止与沟道效应额关系？教学后记NO：29课 题CVD化学过程及薄膜分类及生长动力学；课 型理论课教学时数2教学目的识记化学气相沉积基本概念；理解化学气相沉积法原理教学重点教学难点化学气相沉积基本概念；化学

33、气相沉积法原理化学气相沉积法原理采用教法讲授法，引导法，讨论法学法建议加强理解，习题练习教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、化学气相沉积基本概念（25分钟）（1）化学气相沉积（2）CVD技术的分类（3）常用三种CVD技术优缺点3、化学气相沉积法原理（30分钟）（1）CVD技术的热动力学原理；（2）两种常见的流体流动方式（3）CVD动力学4、化学气相沉积适用范围（15分钟）4、本课小结（5分钟）备 注思考与练习化学气相沉积CVD的作用？教学后记NO：30课 题CVD淀积系统课 型理论课教学时数2教学目的掌握常见化学气相沉积 ，了解化学

34、气相沉积生产装置、化学气相沉积应用实例。教学重点教学难点常见化学气相沉积 ， 化学气相沉积生产装置 无采用教法讲授法，引导法，讨论法学法建议加强理解教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、化学气相沉积工艺及设备（65分钟）（1）化学气相沉积分类；（2）化学气相沉积生产装置；（3）化学气相沉积工艺参数 ；4、应用实例（15分钟）5、本课小结（5分钟）备 注思考与练习常见化学气相沉积有哪几种？教学后记NO：31课 题金属化课 型理论课教学时数2教学目的1、了解金属化常用金属；了解平坦化2、掌握金属化工艺。教学重点教学难点金属化工艺金属化工艺

35、采用教法讲授法，引导法，讨论法学法建议加强理解，习题练习教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、金属化概述（15分钟）3、金属化工艺工艺（45分钟）（1）欧姆接接触（2）布线技术4、金属平坦化（20分钟）5、本课小结（5分钟）备 注思考与练习 简述金属化与平坦化教学后记NO：32课 题表面钝化概述及SI-SI02系统课 型习题课教学时数2教学目的1、了解钝化膜及介质膜；2、理解Si-SiO2系统教学重点教学难点钝化膜及介质膜；Si-SiO2系统Si-SiO2系统采用教法讲授法，启发式，讨论法学法建议加强习题练习教 学过 程设 计1、复习

36、及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、概述（30分钟）（1）钝化膜及介质膜（2）钝化膜及介质膜的重要性和作用（3）对钝化膜及介质膜性质的一般要求3、Si-SiO2系统（50分钟）（1）SiO2膜在半导体器件中的主要用途（2）Si-SiO2 系统中的电荷（3）Si-SiO2系统中的电荷对器件性能的影响（4）Si-SiO2结构性质的测试分析4、小结（5分钟）备 注思考与练习解释：钝化膜、介质膜教学后记NO：33课 题表面钝化钝化方法及、钝化膜结构。课 型实验课教学时数2教学目的1、 了解钝化膜结构；2、 掌握钝化方法。教学重点教学难点钝化方法。钝化方法。采用教法讲

37、授法，演示法，巡查指导学法建议认真按步骤进行操作练习教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、钝化方法（60分钟）（1）集成电路钝化的一般步骤（2）含氯钝化（3）磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）钝化（4）氮化硅（Si3N4）钝化膜（5）氧化铝（Al2O3）钝化膜（6）聚酰亚胺（PI）钝化膜3、钝化膜结构（20分钟）（1）双层结构（2）多层钝化结构4、小结（5分钟）备 注思考与练习实验报告册教学后记NO：34课 题电学隔离技术课 型理论课教学时数2教学目的1、 了解电学隔离及作用；2、 理解常用器件的电学隔离结构教学重点教学难点常

38、用器件的电学隔离结构常用器件的电学隔离结构采用教法讲授法，引导法，讨论法学法建议加强理解，习题练习教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、概述（20分钟）（1）电学隔离作用（2）电学隔离的必要性和方法3、器件的电学隔离结构（60分钟）（1）二极管的结构（2）双极型晶体管的结构（3）MOS场效应晶体管的结构6、小结(5分钟)备 注思考与练习电学隔离作用？教学后记NO：35课 题电学隔离技术课 型理论课教学时数2教学目的1、了解接触孔、通孔和连线；2、理解常用器件的电学隔离结构教学重点教学难点理解常用器件的电学隔离结构理解常用器件的电学隔离结构采用教法讲授法，引导法，讨论法学法建议加强理解，习题练习教 学过 程设 计1、复习及引入课题（5分钟）（1）上次课复习（2）本节学习内容与教学目的介绍2、器件的电学隔离结构（60分钟）（1）MOS场效应晶体管的结构（2） 电阻的结构（3）电容的结构4、接触孔、通孔和连线（20分钟）5、小结